chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

2N3055逆變器電路原理

姚小熊27 ? 來(lái)源:電工之家 ? 作者:電工之家 ? 2020-02-12 19:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

用2N3055做的逆變器,之前發(fā)表過(guò)視頻,也講述過(guò)原理,由于電路很簡(jiǎn)單,所以個(gè)人覺(jué)得還是很適合初學(xué)者,這個(gè)電路中也沒(méi)用到電容,所以也不用擔(dān)心耐壓值選的不夠到導(dǎo)致電容爆炸的問(wèn)題,相對(duì)來(lái)說(shuō)也比較安全,這個(gè)電路的原理圖如下。

2N3055逆變器電路原理

這個(gè)電路用到了兩個(gè)2N3055三極管,也是通過(guò)這兩個(gè)三極管輪流導(dǎo)通產(chǎn)生的交流電再通過(guò)變壓器升壓,最后輸出得到想要的電壓,正是因?yàn)橥ㄟ^(guò)這兩個(gè)三極管輪流導(dǎo)通,所以輸出波形和頻率都和家里插座上來(lái)自電網(wǎng)的交流電不一樣。

不過(guò)用這個(gè)電路驅(qū)動(dòng)一些阻性負(fù)載是完全可以的,我也做過(guò)實(shí)物,實(shí)測(cè)能用。

之前見(jiàn)過(guò)怎么做個(gè)12V轉(zhuǎn)380V的逆變器,其實(shí)用這種電路也能做出來(lái),三極管電阻電源都不用改,只需要把變壓器換成380V轉(zhuǎn)雙12V輸出的就可以了,當(dāng)然輸出其他電壓也可以采用類似的方法。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    305

    文章

    5225

    瀏覽量

    217672
  • 2N3055
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    10

    瀏覽量

    8422
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美3電平NPC逆變器模塊NXH600N105L7F5S2HG/P2HG深度解析

    安森美3電平NPC逆變器模塊NXH600N105L7F5S2HG/P2HG深度解析 在電力電子領(lǐng)域,逆變器模塊的性能對(duì)于眾多應(yīng)用系統(tǒng)的效率和可靠性起著關(guān)鍵作用。安森美(onsemi)推
    的頭像 發(fā)表于 04-23 17:05 ?412次閱讀

    解析 onsemi NXH600N65L4Q2F2 3-Level NPC 逆變器模塊

    解析 onsemi NXH600N65L4Q2F2 3-Level NPC 逆變器模塊 在電力電子領(lǐng)域,逆變器模塊是實(shí)現(xiàn)高效電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵部件。onsemi 推出的 NXH600N65L4Q2
    的頭像 發(fā)表于 04-23 16:20 ?66次閱讀

    詳解 onsemi NDT3055L 邏輯電平 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

    詳解 onsemi NDT3055L 邏輯電平 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天,我們就來(lái)深入探討
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:20 ?108次閱讀

    onsemi NDT3055 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析

    onsemi NDT3055 N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天我們來(lái)深入探討 onsemi 公司的 NDT3055 N
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:20 ?102次閱讀

    Onsemi NTF3055L108 和 NVF3055L108 MOSFET 詳細(xì)解析

    Onsemi NTF3055L108 和 NVF3055L108 MOSFET 詳細(xì)解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各類電源、轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制和橋電路等。今天我們
    的頭像 發(fā)表于 04-20 10:00 ?79次閱讀

    Onsemi NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 MOSFET 深度解析

    Onsemi NTF3055 - 100 和 NVF3055 - 100 MOSFET 深度解析 在電子工程領(lǐng)域,MOSFET 作為重要的功率開(kāi)關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于各類電路中。今天我們來(lái)深入
    的頭像 發(fā)表于 04-20 09:55 ?82次閱讀

    onsemi NTF3055L108和NVF3055L108 MOSFET器件詳解

    onsemi NTF3055L108和NVF3055L108 MOSFET器件詳解 一、引言 在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET是一種非常重要的功率器件,廣泛應(yīng)用于電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機(jī)控制和橋
    的頭像 發(fā)表于 04-19 12:00 ?241次閱讀

    Onsemi MTP3055VL N溝道MOSFET:低電壓高速開(kāi)關(guān)的理想之選

    Onsemi MTP3055VL N溝道MOSFET:低電壓高速開(kāi)關(guān)的理想之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET作為關(guān)鍵的功率器件,廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天,我們來(lái)深入了解Onsemi
    的頭像 發(fā)表于 04-14 14:35 ?155次閱讀

    Onsemi NTD3055 - 094和NVD3055 - 094 MOSFET:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)考量

    。Onsemi的NTD3055 - 094和NVD3055 - 094 N溝道功率MOSFET,專為低電壓、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機(jī)控制和橋式電路等。下面我們就
    的頭像 發(fā)表于 04-14 10:35 ?118次閱讀

    探索 onsemi NTD3055 - 150 和 NVD3055 - 150:卓越性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合

    探索 onsemi NTD3055 - 150 和 NVD3055 - 150:卓越性能與廣泛應(yīng)用的完美結(jié)合 在電子工程師的日常工作中,高性能的功率MOSFET器件是實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵
    的頭像 發(fā)表于 04-14 10:35 ?121次閱讀

    onsemi NTD3055L104、NTDV3055L104 MOSFET深度解析

    onsemi NTD3055L104、NTDV3055L104 MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是一種常用且關(guān)鍵的器件,它在電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機(jī)控制和橋式電路等領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 04-14 10:05 ?97次閱讀

    安森美NTD3055 - 150和NVD3055 - 150 MOSFET深度解析

    安森美NTD3055 - 150和NVD3055 - 150 MOSFET深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,MOSFET是一個(gè)非常關(guān)鍵的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。今天我們就來(lái)深入了解一下
    的頭像 發(fā)表于 04-08 09:20 ?498次閱讀

    Onsemi NTD3055 - 094和NVD3055 - 094 MOSFET深度解析

    對(duì)于項(xiàng)目成敗的關(guān)鍵影響。今天,我們就來(lái)深入剖析一下Onsemi公司的NTD3055 - 094和NVD3055 - 094這兩款N溝道功率MOSFET。從數(shù)據(jù)手冊(cè)來(lái)看,它們專為低電壓、高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 04-08 09:15 ?495次閱讀

    深入解析RFD3055LE與RFD3055LESM N溝道邏輯電平功率MOSFET

    深入解析RFD3055LE與RFD3055LESM N溝道邏輯電平功率MOSFET 一、引言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天我們要詳細(xì)探討
    的頭像 發(fā)表于 04-07 10:10 ?133次閱讀

    ?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析

    安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊是一款功率模塊,其中包含一個(gè)I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器。集成式場(chǎng)截止溝槽型IGBT和FRD可降低開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:31 ?1864次閱讀
    ?基于NXH600<b class='flag-5'>N65L4Q2F2</b> IGBT三電平NPC<b class='flag-5'>逆變器</b>模塊的技術(shù)解析