昨(20)日,三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕視察了該公司首條基于極紫外光刻(EUV)技術(shù)的晶圓生產(chǎn)線V1。期間,李在镕再次明確,將在2030年使三星電子成為邏輯芯片領(lǐng)域的世界第一。
據(jù)BusinessKorea報(bào)道,三星電子指出,李在镕在昨日參觀了該工廠的EUV生產(chǎn)線后,與DS業(yè)務(wù)部門(mén)的總裁進(jìn)行了實(shí)地會(huì)晤。三星設(shè)備解決方案部門(mén)(DS)包括半導(dǎo)體和顯示器兩大重要產(chǎn)品線,此次會(huì)晤似乎也顯示出李在镕勢(shì)在必得的決心。
據(jù)了解,V1產(chǎn)線于2018年2月動(dòng)工,投資約60億美元,若未來(lái)全線建成,預(yù)計(jì)總投資將達(dá)到20萬(wàn)億韓元。
“V1包含了紫外光線(Ultra Violet)和勝利(Victory)的意思,”三星電子的一位高管稱(chēng)。“我們計(jì)劃根據(jù)未來(lái)的市場(chǎng)情況對(duì)V1線進(jìn)行額外投資?!?/p>
與此同時(shí),三星電子判斷,掌握EUV工藝對(duì)于緊跟臺(tái)積電至關(guān)重要。因?yàn)槔枚滩ㄗ贤饩€光源在晶圓上雕刻半導(dǎo)體電路,與ArF方法相比,先進(jìn)的工藝可以制造出更精細(xì)的電路,適用于10納米以下的超精細(xì)工藝,是制備高性能、低功耗半導(dǎo)體的關(guān)鍵。
在三星電子該條V1產(chǎn)線上,除了生產(chǎn)7納米芯片外,還將生產(chǎn)5納米和3納米半導(dǎo)體。據(jù)悉,從2月初開(kāi)始量產(chǎn)的7納米產(chǎn)品將于3月份交付全球客戶(hù)。
李在镕當(dāng)天還對(duì)員工們表示,“去年,我們播下了成為系統(tǒng)半導(dǎo)體龍頭的目標(biāo)的種子,而今天,我們率先實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)?!?/p>
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