世界第一!云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片,向汽車電子進(jìn)發(fā)
1. GaN—引領(lǐng)新能源汽車領(lǐng)域的未來
隨著GaN器件在數(shù)據(jù)中心及光伏逆變等領(lǐng)域的滲透,其在工業(yè)級(jí)的應(yīng)用已日趨成熟。而在全球能源變革的浪潮中,新能源汽車作為一種環(huán)保高效的出行方式,逐漸成為市場主流,其核心技術(shù)的提升也成為關(guān)鍵課題。在這一背景下,高可靠性的GaN大電流芯片的應(yīng)用逐漸受到矚目,成為推動(dòng)新能源汽車技術(shù)革新的重要力量。

2. GaN的技術(shù)優(yōu)勢—提升電動(dòng)汽車的性能與效率
GaN芯片在新能源汽車中的應(yīng)用領(lǐng)域前景巨大,包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)、車載充電器(OBC)、DC/DC轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)以及快速充電樁等,其諸多變革性優(yōu)勢有:
a) 增加汽車的續(xù)航里程
GaN芯片的高效率轉(zhuǎn)換能力可顯著減少能量損耗,使電動(dòng)汽車的電池能量能夠更有效地轉(zhuǎn)化為驅(qū)動(dòng)電力,延長續(xù)航里程。
b)減輕系統(tǒng)重量與體積
得益于GaN材料的高能量密度,電力系統(tǒng)可以在保持或提高性能的同時(shí),大幅縮小尺寸和重量,從而提升車輛的整體性能和效率。
c)提高充電速度
GaN芯片的高頻特性使其在快速充電技術(shù)中表現(xiàn)優(yōu)異,可以實(shí)現(xiàn)更高的充電效率和更短的充電時(shí)間,極大地提升用戶體驗(yàn)。
d) 降低整車成本
GaN器件的市場推廣將有利于其成本的繼續(xù)下降,得益于GaN制造成本的優(yōu)勢,GaN器件的使用將大大降低整車的系統(tǒng)成本。

早在2021年,上海電驅(qū)動(dòng)研制的新能源汽車GaN功率組件及電機(jī)控制器在第四屆進(jìn)博會(huì)上亮相(上圖左)。而今年的北京車展,上海電驅(qū)動(dòng)又亮相了一款GaN的功率模塊產(chǎn)品(上圖右)。
受限于開關(guān)損耗的問題,傳統(tǒng)的IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)頻率多在10kHz以下,其逆變的頻率較低,電機(jī)的轉(zhuǎn)速受限,同時(shí)電流的畸變更大。而GaN器件因?yàn)殚_關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn),在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,器件的開關(guān)頻率可以得到進(jìn)一步提升,電機(jī)轉(zhuǎn)速可以做到更高,電流畸變更小,系統(tǒng)優(yōu)勢非常明顯。
3. 650V/150A—世界上最小內(nèi)阻的增強(qiáng)型GaN器件
早在新年伊始,云鎵半導(dǎo)體就發(fā)布工業(yè)級(jí)GaN功率器件,封裝形態(tài)覆蓋DFN88、TOLL和TOLT等,大舉入局?jǐn)?shù)據(jù)中心、再生能源、OBC等應(yīng)用場景。是國內(nèi)唯一可提供工業(yè)級(jí) E-mode GaN 器件的設(shè)計(jì)公司,其 TOLT頂面散熱封裝亦屬國內(nèi)首個(gè)。


對(duì)于如電機(jī)驅(qū)動(dòng)這類汽車應(yīng)用,如何獲取更小內(nèi)阻的氮化鎵芯片 (<10mΩ)?
眾所周知,在半導(dǎo)體工藝制程中,芯片內(nèi)阻越小,芯片面積越大,單芯片上缺點(diǎn)數(shù)越高,芯片的良率也會(huì)越差。對(duì)于10mΩ級(jí)別內(nèi)阻的GaN芯片,制造難度極大。

近日,云鎵半導(dǎo)體自主研發(fā)了650V/150A的大電流芯片(如下3D圖所示),導(dǎo)通內(nèi)阻典型值10mΩ,實(shí)現(xiàn)E-mode GaN器件的電流等級(jí)世界第一!基于一流的工藝制造平臺(tái),以及云鎵先進(jìn)的自研XXX工藝,實(shí)現(xiàn)了大于80%的芯片良率。此工藝研發(fā)的方案非常適合新能源汽車領(lǐng)域的模塊需求,焊盤引腳設(shè)計(jì)更加靈活多變,芯片成本大幅降低,可以按照不同客戶的方案,實(shí)現(xiàn)定制化需求。此外更小的寄生,更小的走線設(shè)計(jì),可以大大提升系統(tǒng)性能。
同時(shí),云鎵半導(dǎo)體還積極與合作伙伴合作,進(jìn)行工業(yè)模組以及電驅(qū)模塊的樣機(jī)開發(fā),積極推進(jìn)國產(chǎn)GaN上車!
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