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      IBM新一代主機(jī)IBM z15更多技術(shù)細(xì)節(jié)公布 14nm工藝爐火純青

      工程師鄧生 ? 來源：快科技 ? 作者：上方文Q ? 2020-03-09 14:52 ? 次閱讀
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      近日，IBM披露了其新一代主機(jī)IBM z15的諸多技術(shù)細(xì)節(jié)，再次彰顯了藍(lán)色巨人的雄厚實(shí)力，尤其是緩存容量和密度驚人。

      IBM z15集成了122億個(gè)晶體管，比上代z14增加了25億個(gè)，每顆芯片12個(gè)物理核心，總面積696平方毫米，與上代完相同。

      IBM z15、z14核心規(guī)格對(duì)比

      緩存分為四個(gè)級(jí)別，其中一二級(jí)集成于核心內(nèi)部，三四級(jí)位于核心外，容量則都大大提升：每個(gè)核心一級(jí)指令緩存128KB、一級(jí)數(shù)據(jù)緩存128KB，總?cè)萘?MB；每個(gè)核心二級(jí)指令緩存4MB、二級(jí)數(shù)據(jù)緩存4MB，總?cè)萘?6MB，比上代翻番。

      三級(jí)緩存從128MB翻番至256MB，四級(jí)緩存則從672MB來到了960MB，幾乎增加了一半。

      這樣算下來，每一顆處理器的四個(gè)級(jí)別緩存總?cè)萘烤瓦_(dá)到了驚人的1315MB。

      頻率方面，一二級(jí)緩存與CPU核心一樣都運(yùn)行在5.2GHz，三四級(jí)緩存則是半速2.6GHz。

      IBM z15四個(gè)級(jí)別的緩存

      更驚人的是，IBM z15的制造工藝依然是IBM、GlobalFoundries聯(lián)合研發(fā)的14nm FinFET SOI。緩存增加如此之多，總面積卻保持不變，當(dāng)真是寶刀不老。

      另外，z15的二三四級(jí)緩存都是高密度的eDRAM存儲(chǔ)單元，每單元面積為0.0174平方微米，甚至比臺(tái)積電5nm工藝下的SRAM密度還要高，后者每單元面積為0.021平方微米。

      當(dāng)然這樣比較并不完全精確，因?yàn)镾RAM每單元一般是六個(gè)晶體管，eDRAM則是一個(gè)，但也足以看出14nm工藝的爐火純青。

      WikiChip分析師David Schor也表示，IBM/GF 14nm被證明是極為出色的。

      責(zé)任編輯：wv

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