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STT-MRAM自旋磁阻內(nèi)存升級(jí)為GF 12nm工藝

獨(dú)愛(ài)72H ? 來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家 ? 作者:驅(qū)動(dòng)之家 ? 2020-03-15 23:52 ? 次閱讀
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(文章來(lái)源:驅(qū)動(dòng)之家)
GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布,雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作,將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來(lái)制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存),包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。

MRAM是一種非易失性存儲(chǔ),其前景被廣泛看好,Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來(lái)一直都在研究,讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存,但同時(shí)又是非易失性的,也就是可以斷電保存數(shù)據(jù),綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的優(yōu)點(diǎn)。STT-MRAM則進(jìn)一步通過(guò)自旋電流實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫(xiě)入,具備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、損耗小、速度快等一系列優(yōu)點(diǎn),只是容量密度提升困難,所以想取代內(nèi)存、閃存暫時(shí)不現(xiàn)實(shí),但非常適合用在各種嵌入式領(lǐng)域。

GF、Everspin的良好合作由來(lái)已久,2012年的第一代STT-MRAM就是用GF 40nm制造的,單顆容量32MB,2019年的第二代則升級(jí)為GF 28nm,單顆容量翻了兩番達(dá)到128MB。

就在日前,GF 22FDX工藝成功試產(chǎn)了eMRAM,-40℃到125℃環(huán)境下可工作10萬(wàn)個(gè)周期,數(shù)據(jù)保持可長(zhǎng)達(dá)10年。進(jìn)一步升級(jí)到12nm,自然有利于進(jìn)一步提升MRAM的容量密度,并繼續(xù)降低成本,尤其是隨著MRAM芯片容量的提高,迫切需要更先進(jìn)的工藝。GF 12nm工藝包括12LP、12LP+兩個(gè)版本,雖然算不上多先進(jìn)但也有廣闊的用武之地,尤其適合控制器微控制器等,比如群聯(lián)電子、Sage的不少企業(yè)級(jí)SSD主控都計(jì)劃加入eMRAM,從而提升性能、降低延遲、提高QoS。

雖然大家可能覺(jué)得沒(méi)見(jiàn)過(guò)MRAM,不過(guò)Everspin宣稱已經(jīng)向100多家客戶出貨了1.25億顆MRAM芯片,還援引報(bào)告稱到2029年獨(dú)立MRAM芯片銷(xiāo)售額可達(dá)40億美元。
(責(zé)任編輯:fqj)

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