chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

5G時(shí)代氮化鎵的優(yōu)勢到底有多明顯

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:康爾信電力系統(tǒng) ? 作者:康爾信電力系統(tǒng) ? 2020-03-17 11:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵(GaN)被譽(yù)為繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,具有帶隙寬、原子鍵強(qiáng)、導(dǎo)熱率高、化學(xué)性能穩(wěn)定、抗輻照能力強(qiáng)、結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦、硬度很高等特點(diǎn),在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用等方面有著廣闊的應(yīng)用前景。

5G時(shí)代,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢明顯

第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)元素半導(dǎo)體。它們?cè)趪H信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)中的各類分立器件和集成電路、電子信息網(wǎng)絡(luò)工程等領(lǐng)域得到了極為廣泛的應(yīng)用。

第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP),以及三元化合物半導(dǎo)體材料,如鋁砷化鎵(GaAsAl)、磷砷化鎵(GaAsP)等。還有一些固溶體半導(dǎo)體材料,如鍺硅(Ge-Si)、砷化鎵-磷化鎵(GaAs-GaP)等;玻璃半導(dǎo)體(又稱非晶態(tài)半導(dǎo)體)材料,如非晶硅、玻璃態(tài)氧化物半導(dǎo)體等;有機(jī)半導(dǎo)體材料,如酞菁、酞菁銅、聚丙烯腈等。第二代半導(dǎo)體材料主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件,是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。

第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶(禁帶寬度 Eg》2.3eV)的半導(dǎo)體材料。

寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合材料。與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比,第三 代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射 能力,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。從目前第三代半導(dǎo)體材料及器件的研究來看,較為成熟 的第三代半導(dǎo)體材料是SiC和GaN,而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段。

靠快充火起來的氮化鎵

作為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵(GaN),是一種堅(jiān)硬的高熔點(diǎn)(熔點(diǎn)約為1700℃)材料,具有高頻、高效率、耐高壓等特性,用于制作多種功率器件和芯片。

氮化鎵在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研究已經(jīng)持續(xù)多年,近期廣為人知,是因?yàn)樗梢杂迷诔潆娖髦小?/p>

今年2月,小米發(fā)布新品,其中65W GaN充電器成為一大亮點(diǎn)。

這款充電器易散熱、充電快(比iphone原裝快50%,從0到100%的電量只需45分鐘)、體積?。ū瘸R?guī)充電器小了50%),且售價(jià)只要149元,性價(jià)比較高。3天預(yù)約就超5萬,一時(shí)間,這一黑科技產(chǎn)品站上了風(fēng)口,氮化鎵也因此引發(fā)市場的強(qiáng)烈關(guān)注。

不過這并不是第一款氮化鎵充電器,早在去年四季度,OPPO就發(fā)布了全球首款65W GaN充電器。兩家大廠相繼布局,意味著技術(shù)已經(jīng)進(jìn)一步成熟。

而且,氮化鎵充電器并不僅僅用于手機(jī)充電。更小、更便捷的GaN充電器是解放筆記本的一大利器。未來,筆記本、新能源車或許都會(huì)用到氮化鎵充電器。

5G帶來更廣闊的應(yīng)用空間

充電市場并非氮化鎵功率器件的唯一用武之地,它還應(yīng)用于光電、射頻領(lǐng)域。

非常值得一提的是,在射頻領(lǐng)域,氮化鎵射頻器件適合高頻高功率場景,是5G時(shí)代的絕佳產(chǎn)品,將替代Si基芯片,應(yīng)用在5G基站、衛(wèi)星通信、軍用雷達(dá)等場景。

在政治局會(huì)議多次點(diǎn)名之下,5G基站的建設(shè)迎來高峰,相應(yīng)的各種射頻器件、芯片數(shù)量和質(zhì)量都在提升,市場需求旺盛。氮化鎵工藝正在逐步占領(lǐng)市場,已經(jīng)勢不可擋。拓璞產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)計(jì)到2023年基站端GaN射頻器件規(guī)模達(dá)到頂峰,達(dá)到112.6億元。

再加上衛(wèi)星通信、軍用雷達(dá)的市場,據(jù)預(yù)測GaN射頻市場將從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元。

另外,GaN基紫外激光器在紫外光固化、紫外殺菌等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。疫情當(dāng)前,中美都啟用了基于GaN的紫外光進(jìn)行消毒殺菌,相關(guān)市場隨之增長。
責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    30047

    瀏覽量

    258974
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    1859

    瀏覽量

    119261
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1367

    文章

    49078

    瀏覽量

    592193
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    5G網(wǎng)絡(luò)通信哪些技術(shù)痛點(diǎn)?

    ,這些技術(shù)使得5G網(wǎng)絡(luò)能夠滿足未來物聯(lián)網(wǎng)、智能制造、自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域?qū)Ω咚?、低時(shí)延、高可靠性的通信需求。 5G網(wǎng)絡(luò)通信哪些技術(shù)痛點(diǎn)? 5G網(wǎng)絡(luò)通信經(jīng)過多年的高速發(fā)展,仍有一些技術(shù)痛點(diǎn)
    發(fā)表于 12-02 06:05

    請(qǐng)問芯源的MOS管也是用的氮化技術(shù)嘛?

    現(xiàn)在氮化材料技術(shù)比較成熟,芯源的MOS管也是用的氮化材料技術(shù)嘛?
    發(fā)表于 11-14 07:25

    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V氮化功率晶體管G5

    新品第五代CoolGaN650-700V氮化功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升,并滿足最
    的頭像 發(fā)表于 11-03 18:18 ?2716次閱讀
    新品 | 第五代CoolGaN? 650-700V<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率晶體管<b class='flag-5'>G5</b>

    電磁干擾“江湖三兄弟”:EMC、EMI、EMS 到底有啥區(qū)別?

    電磁干擾“江湖三兄弟”:EMC、EMI、EMS 到底有啥區(qū)別?
    的頭像 發(fā)表于 08-20 15:16 ?1923次閱讀
    電磁干擾“江湖三兄弟”:EMC、EMI、EMS <b class='flag-5'>到底有</b>啥區(qū)別?

    氮化器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

    氮化(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要?dú)w功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。
    的頭像 發(fā)表于 06-13 14:25 ?1251次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>器件在高頻應(yīng)用中的<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>

    熱門5G路由器參數(shù)對(duì)比,華為智選Brovi 5G CPE 5 VS SUNCOMM SDX75

    ,上行900Mbps 支持2.5G網(wǎng)口、RJ11語音口、TS-9外接天線… 這臺(tái)設(shè)備明顯是沖著極致性能和靈活部署來的。 第一回合:5G速率拼刺刀 項(xiàng)目 華為Brovi 5G CPE
    發(fā)表于 06-05 13:54

    5G網(wǎng)絡(luò)入門科普:原理、優(yōu)勢與實(shí)測對(duì)比大公開

    說無線通信的大家族。除了我們最常用的蜂窩網(wǎng)絡(luò),也就是手機(jī)用的4G5G,還有像WiFi、Zigbee、RFID、藍(lán)牙、紅外這些無線技術(shù)。它們各自有自己的應(yīng)用場景,比如家里的智能家居、工業(yè)控制,甚至是我們?nèi)粘S玫倪b控器。 那5G
    的頭像 發(fā)表于 05-15 15:58 ?1819次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>網(wǎng)絡(luò)入門科普:原理、<b class='flag-5'>優(yōu)勢</b>與實(shí)測對(duì)比大公開

    氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化電源ic得看準(zhǔn)散熱設(shè)計(jì)。今天就給小伙伴們推
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?866次閱讀

    實(shí)測 PTR54LS05低功耗到底有

    實(shí)測 PTR54LS05低功耗到底有低?
    發(fā)表于 04-27 10:57

    330W氮化方案,可過EMC

    氮化
    深圳市三佛科技
    發(fā)布于 :2025年04月01日 11:31:39

    CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC

    深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)CE65H110DNDI 能華330W 氮化方案,可過EMC,原裝現(xiàn)貨 CE65H110DNDl系列650v、110mΩ氮化(GaN)FET是常關(guān)器件
    發(fā)表于 03-31 14:26

    氮化(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?4278次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)充電頭安規(guī)問題及解決方案

    氮化硼散熱材料大幅度提升氮化快充效能

    器件的性能,使充電頭在體積、效率、功率密度等方面實(shí)現(xiàn)突破,成為快充技術(shù)的核心載體。氮化充電頭的核心優(yōu)勢:1.體積更小,功率密度更高材料特性:GaN的電子遷移率比硅
    的頭像 發(fā)表于 02-26 04:26 ?1069次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b>硼散熱材料大幅度提升<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充效能

    氮化充電器和普通充電器啥區(qū)別?

    ,引入了“氮化(GaN)”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器什么不一樣呢?今天我們就來聊聊。材質(zhì)不一樣是所有不同的根本 傳統(tǒng)的普通充電器,它的基礎(chǔ)材料是硅,硅也是電子行業(yè)內(nèi)非常重要的材料。但隨著硅的極限逐步
    發(fā)表于 01-15 16:41

    5G與6G:探索下一代通信技術(shù)的差異與前景

    隨著全球通信技術(shù)的不斷進(jìn)步,我們已經(jīng)迎來了5G時(shí)代,而在不久的將來,6G技術(shù)也將悄然而至。從更快的速度到更低的延遲,這兩項(xiàng)技術(shù)為消費(fèi)者和企業(yè)開辟了一個(gè)新的可能性領(lǐng)域,5G和6
    的頭像 發(fā)表于 12-27 14:01 ?2210次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>與6<b class='flag-5'>G</b>:探索下一代通信技術(shù)的差異與前景