chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中的優(yōu)勢

芯干線科技 ? 來源:芯干線科技 ? 2025-06-13 14:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

氮化鎵(GaN)器件在高頻率下能夠?qū)崿F(xiàn)更高效率,主要歸功于GaN材料本身的內(nèi)在特性。

GaN獨特的材料屬性使其在器件性能方面優(yōu)于傳統(tǒng)的硅(Si)甚至碳化硅(SiC)材料。

以下是關(guān)鍵原因的詳細(xì)解析

1.GaN具有約3.4電子伏(eV)的寬禁帶,這遠(yuǎn)高于硅的禁帶寬度。寬禁帶使GaN器件能夠承受更高的擊穿電壓,也就是說,在不發(fā)生故障的情況下承受更高的工作電壓。

2. GaN在高溫下具有更低的漏電流,這意味著在高電壓和高頻率開關(guān)條件下效率更高。

3.GaN具有高電子遷移率和高電子飽和速度,這使得GaN器件具有更快的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗,因此在開關(guān)過程中浪費(fèi)為熱能的能量更少。這一點在射頻RF)、電源轉(zhuǎn)換器5G系統(tǒng)等高頻應(yīng)用中尤為關(guān)鍵。

4.GaN HEMT的結(jié)電容和柵電荷極低,使其在高頻下仍能實現(xiàn)快速的開啟和關(guān)閉時間,且具有較低的柵極驅(qū)動損耗。

5. 得益于GaN器件較高的擊穿電場和較低的導(dǎo)通電阻,其器件結(jié)構(gòu)更小,具有更低的寄生電感和電容,從而在高速開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)更優(yōu)。

6.與硅MOSFET不同,GaN HEMT是多數(shù)載流子器件。這類器件沒有體二極管的反向恢復(fù)損耗,而硅器件在高頻和硬開關(guān)條件下,其主要開關(guān)損耗就來源于這種反向恢復(fù)損耗,且該損耗與開關(guān)頻率和反向恢復(fù)電荷成正比。

表1 GaN在高頻應(yīng)用中相對于硅的優(yōu)勢

特性 GaN
禁帶寬度
開關(guān)速度 非???/td> 中等
開關(guān)損耗
反向恢復(fù)損耗 可忽略不計 顯著
柵電荷
高頻效率

芯干線公司的GaN HEMT在GaN器件行業(yè)取得了技術(shù)突破。其GaN HEMT具有高dv/dt能力、極低的輸入電容、零反向恢復(fù)電荷(Qrr)以及卓越的開關(guān)性能和高可靠性。

此外,芯干線公司專利的雙柵引腳結(jié)構(gòu)進(jìn)一步提升了開關(guān)性能,并為PCB布局提供了更多靈活性。芯干線公司還采用先進(jìn)的封裝技術(shù),實現(xiàn)了低熱阻和高器件性能。

芯干線公司自主設(shè)計的GaN HEMT支持在軟開關(guān)和硬開關(guān)模式下的高頻切換操作,同時仍可實現(xiàn)高效率。使用芯干線公司GaN HEMT的最終產(chǎn)品可實現(xiàn)非常緊湊的系統(tǒng)尺寸。典型應(yīng)用包括開關(guān)電源(SMPS)、PC和服務(wù)器電源、太陽能逆變器、電動車充電器以及5G電源等。

一個代表性的產(chǎn)品是芯干線公司E-MODE(增強(qiáng)型)GaN HEMT——X3G6506B8。

這是一款700V增強(qiáng)型GaN功率晶體管,具有極低的導(dǎo)通電阻和輸入電容。其導(dǎo)通電阻僅為52mΩ,輸入電容僅為158PF。

圖1和圖2展示了X3G6506B8的電路符號及封裝結(jié)構(gòu)。這款DFN8*8封裝的六引腳晶體管尺寸僅為8×8毫米,最大漏極電流為28A,同時具有極低的結(jié)到殼熱阻和高達(dá)150V/ns的dv/dt能力。

547e8d90-46a4-11f0-b715-92fbcf53809c.png

圖1:芯干線公司的X3G6506B8是一款700V增強(qiáng)型功率晶體管,采用六引腳設(shè)計,并配有雙柵極引腳,以進(jìn)一步提升開關(guān)性能并為PCB布局提供更高的靈活性。

55169626-46a4-11f0-b715-92fbcf53809c.png

圖2:芯干線公司X3G6506B8的8×8毫米封裝采用了先進(jìn)的封裝工藝,以實現(xiàn)低熱阻和優(yōu)異的器件性能。

總結(jié):芯干線公司在GaN HEMT技術(shù)方面的突破,正在改變電力電子行業(yè)的前景。在不久的將來,高效率、高頻操作、小尺寸的電子產(chǎn)品將成為行業(yè)的新常態(tài)。

關(guān)于芯干線

芯干線科技是一家由功率半導(dǎo)體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè),2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè),通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。

公司自成立以來,深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。

公司總部位于南京,分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地,并延伸至北美與臺灣地區(qū),業(yè)務(wù)版圖不斷拓展中。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28766

    瀏覽量

    235034
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    1777

    瀏覽量

    117716
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    2190

    瀏覽量

    76444
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3050

    瀏覽量

    50243

原文標(biāo)題:芯課堂 | 氮化鎵器件在高頻應(yīng)用中效率更高及芯干線技術(shù)突破

文章出處:【微信號:Xinkansen,微信公眾號:芯干線科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    氮化電源IC U8765產(chǎn)品概述

    氮化憑借高頻高效特性,具備了體積小、功率高、發(fā)熱低等優(yōu)勢,但小型化雖好,散熱才是硬道理,選氮化
    的頭像 發(fā)表于 04-29 18:12 ?270次閱讀

    京東方華燦光電氮化器件的最新進(jìn)展

    日前,京東方華燦的氮化研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請,分享了關(guān)于氮化器件的最新進(jìn)展,引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高?/div>
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:44 ?717次閱讀

    垂直氮化器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

    過去兩年中,氮化雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對垂直氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-17 14:27 ?1106次閱讀
    垂直<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>器件</b>的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

    不同的氮化襯底的吸附方案,對測量氮化襯底 BOW/WARP 的影響

    在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮,氮化(GaN)襯底宛如一顆耀眼的新星,憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能,眾多高端芯片制造領(lǐng)域,尤其是光電器件
    的頭像 發(fā)表于 01-17 09:27 ?420次閱讀
    不同的<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>襯底的吸附方案,對測量<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>襯底 BOW/WARP 的影響

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化(GaN)”,這個名詞近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化快充充電器之后
    發(fā)表于 01-15 16:41

    羅姆、臺積電就車載氮化 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

    的 650V 氮化 HEMT工藝推出了 EcoGaN 系列新產(chǎn)品。 ? 羅姆、臺積電就車載氮化 GaN 功率器件達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系 ?
    的頭像 發(fā)表于 12-12 18:43 ?1177次閱讀
    羅姆、臺積電就車載<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> GaN 功率<b class='flag-5'>器件</b>達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

    羅姆與臺積公司攜手合作開發(fā)車載氮化功率器件

    ”)正式建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同致力于車載氮化功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)。 此次合作,雙方將充分利用各自的技術(shù)優(yōu)勢。羅姆將貢獻(xiàn)其卓越的氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:24 ?852次閱讀

    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測試

    氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?1000次閱讀
    遠(yuǎn)山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的耐高壓測試

    氮化晶圓劃切過程如何避免崩邊

    半導(dǎo)體市場的發(fā)展。氮化和硅的制造工藝非常相似,12英寸氮化技術(shù)發(fā)展的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的12英寸硅晶圓制造設(shè)備。全面規(guī)?;慨a(chǎn)12英
    的頭像 發(fā)表于 10-25 11:25 ?1504次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓<b class='flag-5'>在</b>劃切過程<b class='flag-5'>中</b>如何避免崩邊

    分立器件45W氮化快充產(chǎn)品的應(yīng)用

    成為市場上的新勢力。通常,氮化充電器具有高效率、高功率密度、節(jié)能環(huán)保、熱量控制優(yōu)秀、便攜性強(qiáng)、體積小、重量輕、充滿電時間短等優(yōu)點,很多高端電子產(chǎn)品配置了氮化快充。本期,合科泰從
    的頭像 發(fā)表于 09-12 11:21 ?795次閱讀
    分立<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>在</b>45W<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>快充產(chǎn)品<b class='flag-5'>中</b>的應(yīng)用

    氮化和砷化哪個先進(jìn)

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢 高頻與高效率 :氮化具有高電子遷移率和低電阻率,使得它
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?5118次閱讀

    氮化和碳化硅哪個有優(yōu)勢

    的電子遷移率和較低的損耗,使其高頻應(yīng)用方面表現(xiàn)出色。這使得氮化成為制造微波器件、功率放大器以及射頻IC等
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:26 ?3001次閱讀

    華燦光電氮化領(lǐng)域的進(jìn)展概述

    、高擊穿電場和高熱導(dǎo)率等特性,使其功率器件、射頻器件及光電轉(zhuǎn)化設(shè)備等展現(xiàn)出無與倫比的優(yōu)勢。這不僅大幅提升了相關(guān)器件的效率和穩(wěn)定程度,還為全
    的頭像 發(fā)表于 08-01 11:52 ?1527次閱讀

    氮化(GaN)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場潛力

    近年來,氮化(GaN)技術(shù)以其高功率、高效率和高頻率應(yīng)用的顯著優(yōu)勢,迅速成為半導(dǎo)體行業(yè)的焦
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:55 ?1040次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)技術(shù)的迅猛發(fā)展與市場潛力

    氮化(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展

    本文要點氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:13 ?1470次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)的最新技術(shù)進(jìn)展