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開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

汽車玩家 ? 來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 作者:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? 2020-03-20 15:36 ? 次閱讀
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在電子電路中,MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn),它們都可以作為開關(guān)元件來使用,MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似,那為什么有些電路用 MOS 管?而有些電路用 IGBT 管?

下面我們就來了解一下,MOS 管和 IGBT 管到底有什么區(qū)別吧!

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

什么是 MOS 管?

場效應(yīng)管主要有兩種類型,分別是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵場效應(yīng)管(MOS 管)。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

MOS 管即 MOSFET,中文全稱是金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,由于這種場效應(yīng)管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應(yīng)管。

MOSFET 又可分為 N 溝耗盡型和增強(qiáng)型;P 溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

▲ MOSFET 種類與電路符號

有的 MOSFET 內(nèi)部會有個二極管,這是體二極管,或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

關(guān)于寄生二極管的作用,有兩種解釋:
1、MOSFET 的寄生二極管,作用是防止 VDD 過壓的情況下,燒壞 MOS 管,因為在過壓對 MOS 管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免 MOS 管被燒壞。

2、防止 MOS 管的源極和漏極反接時燒壞 MOS 管,也可以在電路有反向感生電壓時,為反向感生電壓提供通路,避免反向感生電壓擊穿 MOS 管。

MOSFET 具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。

什么是 IGBT?

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和 MOS 管組成的復(fù)合型半導(dǎo)體器件。

IGBT 作為新型電子半導(dǎo)體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極廣泛的應(yīng)用。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

IGBT 的電路符號至今并未統(tǒng)一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS 管的符號,這時可以從原理圖上標(biāo)注的型號來判斷是 IGBT 還是 MOS 管。

同時還要注意 IGBT 有沒有體二極管,圖上沒有標(biāo)出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個二極管都是存在的。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

IGBT 內(nèi)部的體二極管并非寄生的,而是為了保護(hù) IGBT 脆弱的反向耐壓而特別設(shè)置的,又稱為 FWD(續(xù)流二極管)。

判斷 IGBT 內(nèi)部是否有體二極管也并不困難,可以用萬用表測量 IGBT 的 C 極和 E 極,如果 IGBT 是好的,C、E 兩極測得電阻值無窮大,則說明 IGBT 沒有體二極管。

IGBT 非常適合應(yīng)用于如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

MOS 管和 IGBT 的結(jié)構(gòu)特點

MOS 管和 IGBT 管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

IGBT 是通過在 MOSFET 的漏極上追加層而構(gòu)成的。

IGBT 的理想等效電路如下圖所示,IGBT 實際就是 MOSFET 和晶體管三極管的組合,MOSFET 存在導(dǎo)通電阻高的缺點,但 IGBT 克服了這一缺點,在高壓時 IGBT 仍具有較低的導(dǎo)通電阻。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別

另外,相似功率容量的 IGBT 和 MOSFET,IGBT 的速度可能會慢于 MOSFET,因為 IGBT 存在關(guān)斷拖尾時間,由于 IGBT 關(guān)斷拖尾時間長,死區(qū)時間也要加長,從而會影響開關(guān)頻率。

選擇 MOS 管還是 IGBT?

在電路中,選用 MOS 管作為功率開關(guān)管還是選擇 IGBT 管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結(jié)出以下幾點:

也可從下圖看出兩者使用的條件,陰影部分區(qū)域表示 MOSFET 和 IGBT 都可以選用,“?”表示當(dāng)前工藝還無法達(dá)到的水平。

開關(guān)元件MOS管與IGBT管的區(qū)別


總的來說,MOSFET 優(yōu)點是高頻特性好,可以工作頻率可以達(dá)到幾百 kHz、上 MHz,缺點是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而 IGBT 在低頻及較大功率場合下表現(xiàn)卓越,其導(dǎo)通電阻小,耐壓高。

MOSFET 應(yīng)用于開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、高頻逆變焊機(jī)、通信電源等等高頻電源領(lǐng)域;IGBT 集中應(yīng)用于焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域。

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