（文章來(lái)源：必優(yōu)傳感科技）

霍爾效應(yīng)原理是以物理學(xué)家埃德溫霍爾命名的。1879年，他發(fā)現(xiàn)，當(dāng)電流沿一個(gè)方向流動(dòng)時(shí)，當(dāng)引入垂直于磁場(chǎng)的導(dǎo)體或半導(dǎo)體時(shí)，可以在電流路徑的直角上測(cè)量電壓。

霍爾電壓可由V Hall=OB計(jì)算，其中：V Hali=電動(dòng)勢(shì)(伏特)；O=靈敏度(Volts/Gauss)；B=高斯中的應(yīng)用場(chǎng)；I=偏置電流。這一發(fā)現(xiàn)最初用于化學(xué)樣品的分類(lèi)。

20世紀(jì)50年代，砷化銦半導(dǎo)體化合物的發(fā)展導(dǎo)致了第一種有用的霍爾效應(yīng)磁性儀器?；魻栃?yīng)傳感器允許測(cè)量需要傳感器運(yùn)動(dòng)的直流或靜態(tài)磁場(chǎng)。在60年代，硅半導(dǎo)體的普及導(dǎo)致了霍爾元件和集成放大器的第一次組合。這導(dǎo)致了現(xiàn)在經(jīng)典的數(shù)字輸出霍爾開(kāi)關(guān)。

霍爾換能器技術(shù)的不斷發(fā)展，見(jiàn)證了從單元器件到雙正交排列元件的發(fā)展。這樣做是為了盡量減少霍爾電壓端子的偏移。接下來(lái)的進(jìn)展帶來(lái)了四元換能器的二次型。這些單元采用四元正交排列在一個(gè)橋的結(jié)構(gòu)。所有這些硅傳感器都是由雙極結(jié)半導(dǎo)體工藝制成的。

切換到CMOS工藝允許對(duì)電路的放大器部分實(shí)現(xiàn)斬波穩(wěn)定。這有助于通過(guò)減少運(yùn)算放大器的輸入偏移誤差來(lái)減少錯(cuò)誤。非斬波穩(wěn)定電路中的所有誤差都會(huì)導(dǎo)致數(shù)字或偏置開(kāi)關(guān)點(diǎn)的誤差和線性輸出傳感器的增益誤差。當(dāng)前一代CMOS霍爾傳感器還包括一種通過(guò)霍爾元件主動(dòng)切換電流方向的方案。該方案消除了半導(dǎo)體霍爾元件典型的偏置誤差.它還積極補(bǔ)償溫度和應(yīng)變引起的偏移誤差。

有源板開(kāi)關(guān)和斬波穩(wěn)定器的整體效應(yīng)使開(kāi)關(guān)點(diǎn)漂移或增益和偏置誤差提高了一個(gè)數(shù)量級(jí)。Melexis只使用CMOS工藝，以獲得最佳性能和最小的芯片尺寸?；魻栃?yīng)傳感器技術(shù)的發(fā)展主要?dú)w功于復(fù)雜信號(hào)調(diào)理的集成。電路到大廳IC。最近，Melexis公司推出了世界上第一款可編程線性霍爾集成電路，為未來(lái)的技術(shù)提供了一瞥。未來(lái)的傳感器將可編程，并有集成的微控制器核心，以制造一個(gè)更加“智能”的傳感器。它是怎么工作的？

如上圖所示，在磁場(chǎng)存在的情況下，霍爾IC開(kāi)關(guān)是關(guān)閉的，沒(méi)有磁場(chǎng)。地球的磁場(chǎng)不會(huì)操作霍爾IC開(kāi)關(guān)，但是普通的冰箱磁鐵將提供足夠的強(qiáng)度來(lái)驅(qū)動(dòng)傳感器。
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