三星電子近日宣布推行一項(xiàng)名為PSU的薪酬改革計劃,首次將普通員工的獎金與公司股價表現(xiàn)直接掛鉤。根據(jù)該計劃,2025年10月至2028年10月期間,員工所獲獎勵將隨股價波動調(diào)整,并可選擇
發(fā)表于 10-15 18:27
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,蘋果在新聞稿中表示,正在三星位于奧斯汀的半導(dǎo)體工廠內(nèi),合作開發(fā)一種創(chuàng)新的芯片制造技術(shù),該技術(shù)是全球首次應(yīng)用。 ? ? 盡管兩家公司未具體說明將部署的技術(shù),但熟悉這筆交易的人士表示,
發(fā)表于 08-08 18:23
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給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息: 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報道,三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的
發(fā)表于 08-07 16:24
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我們來看看三星的最新消息: 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱,三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測試階
發(fā)表于 07-31 19:47
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深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線,收購適用于三星S21指紋模組?;厥?b class='flag-5'>三星指紋排線,收購三星指紋排線,全國高價回收三星指紋排線,專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。
4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
發(fā)表于 04-18 10:52
對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù),三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項(xiàng)目合作”的說法
發(fā)表于 04-10 18:55
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近日,據(jù)韓媒報道,三星位于中國西安的NAND閃存工廠正在加速推進(jìn)技術(shù)升級與產(chǎn)能擴(kuò)張計劃。該工廠在成功將制程從第六代V-NAND(即136層技術(shù))轉(zhuǎn)換至第八代V-NAND(238層技術(shù))
發(fā)表于 02-14 13:43
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據(jù)韓媒報道,三星電子設(shè)備解決方案部新任foundry業(yè)務(wù)總裁兼總經(jīng)理韓真晚(Han Jinman),在近期致員工的內(nèi)部信中明確提出了三星代工部門的發(fā)展策略。 韓真晚強(qiáng)調(diào),三星代工部門要
發(fā)表于 12-10 13:40
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和存儲芯片業(yè)務(wù); 以前負(fù)責(zé)三星電子美國半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Han Jin-man被提拔為總裁,并擔(dān)任代工業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)人; 芯片工廠工程和運(yùn)營
發(fā)表于 11-28 14:14
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價格有望回升,但這一趨勢可能會受到其他地區(qū)芯片制造商供應(yīng)增加的影響。這意味著,三星電子在內(nèi)存芯片市場的競爭壓力可能會進(jìn)一步加劇。 基于上述分析,Park將
發(fā)表于 11-27 11:22
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正在積極考慮從三星采購8層和12層的HBM3E存儲芯片。這一新型存儲芯片以其卓越的性能和高效的能源利用,備受業(yè)界矚目。英偉達(dá)若能夠成功引入這款芯片
發(fā)表于 11-26 10:22
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近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給將大幅削減,其中三星電子被指將調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場傳言,三星計劃在2024年底現(xiàn)貨
發(fā)表于 11-20 16:13
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三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠,以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施,進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的
發(fā)表于 11-14 16:44
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方式獲得三星顯示的一座大樓,并計劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導(dǎo)體后端加工設(shè)備導(dǎo)入。 此次擴(kuò)建工廠的背景是,三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應(yīng)量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推
發(fā)表于 11-13 11:36
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