4月7日消息，在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下，3nm 工藝就成了臺(tái)積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工，此前設(shè)定的目標(biāo)是在2021年大規(guī)模量產(chǎn) 3nm工藝。

但外媒最新的報(bào)道顯示，三星 3nm 工藝已不太可能在 2021 年大規(guī)模量產(chǎn)，目前來看 2022 年將是更現(xiàn)實(shí)的時(shí)間點(diǎn)。業(yè)內(nèi)消息人士指出，這并非工藝制造上的延遲，而是因?yàn)?EUV 光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備在物流上的延遲所致。

目前還不清楚三星競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 3nm 工藝是否會(huì)受到影響，如果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手正常推進(jìn)，對(duì)三星可能就會(huì)非常不利。

在今年年初我們報(bào)道過三星已經(jīng)攻克了3nm工藝的關(guān)鍵GAA全能門技術(shù)，并且打算在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并希望以此在3nm競(jìng)爭(zhēng)中擊敗臺(tái)積電，但由于新冠病毒的大流行，這一計(jì)劃可能要被推遲了。

根據(jù)Digitimes的報(bào)道，由于新冠病毒的流行打亂了三星公司原本為新生產(chǎn)線安裝設(shè)備的安排，因?yàn)椴《緦?duì)物流和運(yùn)輸服務(wù)的影響導(dǎo)致了EUV和其他生產(chǎn)設(shè)備的交付延遲了，三星可能會(huì)把3nm工藝的投產(chǎn)時(shí)間推遲到2022年，這對(duì)三星會(huì)造成什么影響暫時(shí)還未知。

三星的3nm工藝將不再使用FinFET技術(shù)相而是轉(zhuǎn)向GAA技術(shù)，新的技術(shù)可以讓芯片面積減少35%，功耗下降約50%，3nm GAA工藝與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。

GAA全能門與FinFET的不同之處在于，GAA設(shè)計(jì)圍繞著通道的四個(gè)面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓并且改善了對(duì)通道的控制，這是縮小工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)的基本步驟，使用更高效的晶體管設(shè)計(jì)，再加上更小的節(jié)點(diǎn)尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實(shí)現(xiàn)更好的能耗比。

另外，作為目前全球僅有的一家能生產(chǎn)極紫外光刻機(jī)的廠商，阿斯麥此前已經(jīng)下調(diào)了今年一季度的業(yè)績(jī)預(yù)期，由 2019 年第四季度及全年的業(yè)績(jī)報(bào)告中預(yù)計(jì)的 31 億歐元到 33 億歐元之間，下調(diào)到了 23 億歐元至 24 億歐元。

阿斯麥調(diào)整一季度的業(yè)績(jī)預(yù)期，主要也是受疫情的影響，但他們也給出了 3 個(gè)方面的具體原因，其中就包括光刻機(jī)交付的延遲，部分廠商對(duì)他們的交付能力存在擔(dān)憂，為了加快交付進(jìn)度，部分廠商甚至要求他們?cè)谕瓿烧５墓S驗(yàn)收之前就交付。

從外媒此前的報(bào)道來看，三星的 3nm 工藝，將采用環(huán)繞柵極晶體管（GAAFET））技術(shù)，這是同 7nm 和 5nm 工藝所使用的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）完全不同的技術(shù)，面積可以縮小 35%，此前的報(bào)道是顯示三星 3nm 芯片的性能較 5nm 可以替身 33%，基于 GAAFET 技術(shù)的三星 3nm 原型工藝，此前已經(jīng)投產(chǎn)。

而三星最大對(duì)手臺(tái)積電也因?yàn)橐咔樵?a target="_blank">半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，原計(jì)劃在 6 月份風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的 3nm FinFET 工藝，試產(chǎn)時(shí)間將延期到 10 月份。

相應(yīng)地，臺(tái)積電南科 18 廠的 3nm 生產(chǎn)線也會(huì)順延一個(gè)季度，原本在 10 月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到 2021 年初了。

目前臺(tái)積電已經(jīng)宣布將會(huì)在今年正式量產(chǎn)5nm制造工藝，預(yù)計(jì)蘋果A14以及華為麒麟1020處理器將會(huì)采用全新的5nm制造工藝，預(yù)計(jì)還將集成最新的5G基帶，至于5nm工藝的下一代應(yīng)該就是3nm制造工藝了。不過由于疫情的影響，采用3nm制造工藝的三星不得不選擇延期，原本2021年就可以完成的3nm工藝預(yù)計(jì)被曝延期到2022年。

根據(jù)三星官方的消息，三星將會(huì)在3nm工藝中采用最新的GAE工藝，同時(shí)放棄目前大規(guī)模應(yīng)用的FinFET晶體管從而轉(zhuǎn)投GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，三星稱全新的3nm制造工藝可以讓核心面積減少45%，功耗降低50%，同時(shí)性能提升35%。分析人士認(rèn)為三星宣布推遲3nm工藝的量產(chǎn)并不是由于晶圓制造的設(shè)計(jì)問題，而是疫情導(dǎo)致的光刻機(jī)不能正常運(yùn)抵三星總部。

當(dāng)然除了三星之外，另外一家晶圓代工巨頭臺(tái)積電也遇到了3nm制程工藝研發(fā)的麻煩，原因自然是疫情原因半導(dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，于是原定于今年6月份舉行的3nm風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的工序不得不轉(zhuǎn)移至10月份，而包括試產(chǎn)，安裝設(shè)備一直到量產(chǎn)還需要很長(zhǎng)的時(shí)間，因此臺(tái)積電方面量產(chǎn)3nm同樣需要延期到2021年，或許也將延期到2022年。

這場(chǎng)半導(dǎo)體雙強(qiáng)的 3nm 爭(zhēng)霸之戰(zhàn)，會(huì)有什么變數(shù)呢？讓我們靜觀其變

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