chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

露笑科技募資不超過(guò)10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察 ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2020-04-13 10:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

4月12日,露笑科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“露笑科技”)發(fā)布2020年度非公開(kāi)發(fā)行股票預(yù)案。

公告顯示,露笑科技本次非公開(kāi)發(fā)行采取向特定對(duì)象非公開(kāi)發(fā)行股票的方式,在獲得中國(guó)證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)后由公司在中國(guó)證監(jiān)會(huì)規(guī)定的有效期內(nèi)選擇適當(dāng)時(shí)機(jī)向不超過(guò)35名特定對(duì)象發(fā)行。

按2019年12月31日股本測(cè)算,露笑科技本次非公開(kāi)發(fā)行股份總數(shù)不超過(guò)453,200,530股(含453,200,530股),非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金總額不超過(guò)100,000萬(wàn)元,扣除發(fā)行費(fèi)用后將用于“新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”、“碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目”和“償還銀行貸款”項(xiàng)目。

露笑科技募資不超過(guò)10億元用于多個(gè)碳化硅項(xiàng)目 將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力

Source:露笑科技

其中新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目總投資金額為69,456萬(wàn)元,本次擬使用募集資金投入65,000萬(wàn)元,該項(xiàng)目建設(shè)期24個(gè)月,擬生產(chǎn)碳化硅襯底片等產(chǎn)品,項(xiàng)目產(chǎn)品具有尺寸大、更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。

碳化硅研發(fā)中心項(xiàng)目總投資金額為5,010萬(wàn)元人民幣,其中擬使用募集資金投入5,000萬(wàn)元,由露笑科技股份有限公司的全資子公司浙江露笑碳硅晶體有限公司組織實(shí)施,本項(xiàng)目項(xiàng)目建設(shè)期為24個(gè)月。該項(xiàng)目主要建設(shè)內(nèi)容為研發(fā)場(chǎng)地改造及裝修工程、引進(jìn)行業(yè)內(nèi)高水平研發(fā)人才以及購(gòu)置與公司業(yè)務(wù)發(fā)展相適應(yīng)的研發(fā)設(shè)備及軟件。

露笑科技表示,新建碳化硅襯底片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目對(duì)于滿足國(guó)內(nèi)外快速增長(zhǎng)的4英寸、6英寸及以上尺寸級(jí)別的碳化硅襯底片市場(chǎng)需求,促進(jìn)襯底片質(zhì)量與成品率水平的提升將發(fā)揮較為重要作用用。而通過(guò)碳化硅研發(fā)中心的建設(shè),將加強(qiáng)公司在碳化硅方面的基礎(chǔ)研究以及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力,有利于提高產(chǎn)品附加值,增強(qiáng)公司核心競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)了解,碳化硅是一種第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和度以及更高的抗輻射能力。目前,碳化硅等第三代半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體的一個(gè)投資重點(diǎn)方向?!吨袊?guó)制造2025》中四次提到碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體,國(guó)家大基金也把碳化硅列為了重點(diǎn)投資方向之一。

從產(chǎn)業(yè)鏈角度看,碳化硅包括單晶襯底、外延片、器件設(shè)計(jì)、器件制造等環(huán)節(jié),但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被在國(guó)外企業(yè)所壟斷。

2019年11月26日,露笑科技股份有限公司與中科鋼研節(jié)能科技有限公司、國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司開(kāi)展碳化硅項(xiàng)目戰(zhàn)略合作,共同研發(fā)4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級(jí)別的碳化硅長(zhǎng)晶設(shè)備,目前首批2臺(tái)套升華法碳化硅長(zhǎng)晶爐已經(jīng)完成設(shè)備性能驗(yàn)收交付使用,經(jīng)過(guò)優(yōu)化后的碳化硅長(zhǎng)晶爐設(shè)備將應(yīng)用于國(guó)宏中宇主導(dǎo)的碳化硅產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目中。

露笑科技表示,將繼續(xù)專(zhuān)注第三代半導(dǎo)體晶體產(chǎn)業(yè),拓展碳化硅在5G GaN-on-SiC HEMT、SiC SBD、SiCMOSFET、SiC IGBT元器件芯片方面的應(yīng)用,生產(chǎn)4-6英寸半絕緣片以及4H晶體N型導(dǎo)電碳化硅襯底片及其他產(chǎn)品制品。
責(zé)任編輯:wv

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28865

    瀏覽量

    237088
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3061

    瀏覽量

    50415
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)

    隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件電力電子、可再生能源以及電動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?544次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    結(jié)合國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局和技術(shù)發(fā)展趨勢(shì),SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象,比如2024已經(jīng)有超過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?401次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱(chēng);而非晶
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?838次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅的耐高溫性能

    、高強(qiáng)度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例組成,形成一種穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)賦予了它許多獨(dú)特的性質(zhì),其中最引人注目的是其耐高溫能力。 2. 耐高溫性能 碳化硅的耐高溫性能主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 09:15 ?1573次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1314次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”聚焦于“柵極氧化層”這一新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅新能源領(lǐng)域的應(yīng)用 碳化硅汽車(chē)工業(yè)中的應(yīng)用

    。此外,碳化硅的高電子飽和速度和高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度使其高功率太陽(yáng)能電池中具有潛在的應(yīng)用前景。 2. 風(fēng)力發(fā)電 風(fēng)力發(fā)電領(lǐng)域,碳化硅材料可以用于
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:31 ?1145次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅材料的特性與優(yōu)勢(shì)

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域 碳化硅(SiC),作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,因其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性,多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用潛力。以下是碳化硅的一些主
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:27 ?5338次閱讀

    碳化硅SiC電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)電動(dòng)車(chē)中的應(yīng)用主要集中電力電子系統(tǒng)方面,以下是對(duì)其電動(dòng)車(chē)中具體應(yīng)用的分析: 一、電動(dòng)車(chē)充電設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 11-25 17:32 ?1530次閱讀

    碳化硅SiC高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅(SiC)高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 一、高溫穩(wěn)定性 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?2380次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?1244次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的工作原理和應(yīng)用

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì),逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),使得碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1429次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱(chēng)SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率器件性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。本文
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?1141次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用