4月22日消息，美光的消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)（Crucial）發(fā)布P5高性能SSD，這也是繼P1、P2后再度發(fā)布的高性能SSD，不過(guò)目前美光并沒(méi)公布該新品價(jià)格，不過(guò)就表明可以提供5年質(zhì)保。該新款SSD采用M.2 2280板型，支持NVMe 1.3，走PCIe 3.0 x4通道，定位不低。在性能方面，連續(xù)讀取速度最高3400MB/s、連續(xù)寫入速度最高3000MB/s（250GB款式為1400MB/s）。

容量提供250GB、500GB、1TB、2TB，主控帶緩存。不過(guò)，從外觀來(lái)看，并沒(méi)有提供夸張的散熱裝甲，建議加裝或者做好機(jī)箱風(fēng)道設(shè)計(jì)。官方名為透露顆粒是TLC還是QLC，不過(guò)從官圖的FPGA識(shí)別碼（NW969）推導(dǎo)出的Flash部件號(hào)是MT29F4T08EQLCEG8-R:C，似乎采用的是QLC。

從性能指標(biāo)來(lái)看，P5在當(dāng)今高端NVMe固態(tài)硬盤中并沒(méi)有任何特別之處，雖然提到了全盤硬件加密，但并未提供TCG Opal或IEEE1667的支持情況。從250GB到2TB容量的標(biāo)稱寫入耐久度指標(biāo)為150TBW到1200TBW，保修期均為5年。

和過(guò)去一樣，美光并未公開英睿達(dá)P5所用的主控和閃存類型，這給人帶來(lái)了大量的想象空間。不過(guò)從有限的圖片和數(shù)據(jù)資料當(dāng)中小編能夠猜測(cè)一二。下圖中通過(guò)邊緣能夠隱約看到主控的體積，根據(jù)美光的傳統(tǒng)，小編認(rèn)為主控能是慧榮SM2262EN或Marvell 88SS1092/1093中的一個(gè)，由于主控表面沒(méi)有看到慧榮常見(jiàn)的金屬覆蓋層，所以使用Marvell的可能性更大一些。另外閃存照片中DRAM緩存下方的正方形芯片也是慧榮公版方案中沒(méi)有的，更增加了使用非慧榮主控的可能性。

在官網(wǎng)照片當(dāng)中能夠看到P5所用的閃存編號(hào)：NW969，這是一個(gè)FBGA代碼。

根據(jù)美光FBGA and Component Marking Decoder系統(tǒng)，可以查詢到它對(duì)應(yīng)的零件號(hào)是MT29F4T08EQLCEG8-R:C。有些媒體看到“QLC”三個(gè)字母就打開腦洞，說(shuō)這是QLC閃存了，大錯(cuò)特錯(cuò)！

其實(shí)美光官網(wǎng)上有NAND閃存的零件號(hào)含義PDF，雖然年代比較老（最新的是2016年版），但還是能夠從中查詢到很多信息。MT29F代表美光NAND閃存，4T代表容量為4096Gb（512GB，說(shuō)明照片里那張P5如果單面布局的話就是1TB版本的），08代表8比特位寬。

重點(diǎn)來(lái)了：08后邊的字母E代表MLC-3，也就是TLC閃存。使用QLC的英睿達(dá)P2閃存顆粒這一位是G，也就是2016年版表格里沒(méi)有的MLC-4（QLC閃存）。

至于出現(xiàn)在零件號(hào)里的QLC三個(gè)字母分別代表什么呢？分開來(lái)看，“Q”代表8die封裝（說(shuō)明單die容量是512Gb），4CE；“L”代表Vcc電壓3.3V，Vccq電壓3.3/1.8V；“C”代表3rd set of device features。編號(hào)里出現(xiàn)QLC組合只是一個(gè)巧合，其實(shí)只要?jiǎng)觿?dòng)腦子都會(huì)知道，TLC閃存并沒(méi)有在編號(hào)里體現(xiàn)“TLC”字樣。

以上就是PCEVA對(duì)英睿達(dá)P5主控和閃存的分析猜測(cè)，具體結(jié)果還是需要等到有實(shí)際產(chǎn)品拆解照片才能確認(rèn)。

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