chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

TFF型WDM器件技術(shù)原理

光器件/光通信 ? 作者:hycsystembella ? 2020-05-22 10:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

我們知道,光纖通信是技術(shù)是實現(xiàn)互聯(lián)網(wǎng)并改變世界的關(guān)鍵技術(shù)之一,光纖通信的一個優(yōu)勢是可以在一根光纖中同時傳輸數(shù)十個波長,稱作波分復(fù)用(WDM)。WDM傳輸?shù)幕驹?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/4854/" target="_blank">光學(xué)濾波器,可通過光纖熔融拉錐(FBT)、薄膜濾光片(TFF)、陣列波導(dǎo)光柵(AWG)和光學(xué)梳狀濾波器等技術(shù)實現(xiàn)。TFF和AWG是最常用的兩種WDM技術(shù),本文討論基于TFF的WDM器件。

薄膜濾光片

法布里-帕羅干涉儀(FPI)是光學(xué)濾波領(lǐng)域常用的干涉儀。FPI結(jié)構(gòu)如圖1所示,包括兩個玻璃片和夾在其中、具有精確厚度的隔片。玻璃片的內(nèi)表面鍍了部分反射膜,外表面則通常鍍增透膜。

圖1. 法布里-帕羅干涉儀結(jié)構(gòu)

除了圖1中的體光學(xué)結(jié)構(gòu),F(xiàn)PI還可以通過介質(zhì)膜實現(xiàn),如圖2所示。多層薄膜沉積于玻璃基片上,以高/低折射率介質(zhì)膜構(gòu)成的周期結(jié)構(gòu),其功能類似于部分反射膜。中間的腔層將兩個反射鏡隔開。

圖2. 基于薄膜技術(shù)的法布里-帕羅干涉儀

與基于體光學(xué)元件的傳統(tǒng)FPI干涉儀一樣,基于薄膜技術(shù)的FPI干涉儀也可以作為光學(xué)濾波器。如圖3所示,干涉儀的透射峰是周期性的,隨著鏡面反射率的增加,透射譜的精細(xì)度越來越高。在自由光譜范圍內(nèi),干涉儀只有一個透射峰,如圖4所示。當(dāng)鏡面反射率較高時,透射峰線寬非常窄,可用于窄帶濾波。

圖3. 薄膜FPI的透射譜

圖4. 窄帶FPI在一個FSR之內(nèi)的透射譜

然而,在一些特殊應(yīng)用領(lǐng)域,比如DWDM傳輸系統(tǒng)中,要求濾波器具有平頂平頂和窄帶濾波特性。這種濾波器需要多腔薄膜結(jié)構(gòu),如圖5所示。多腔的效果如圖6所示,F(xiàn)P干涉腔的數(shù)量越多,通帶越平坦,而邊緣陡降特性更好,這對DWDM系統(tǒng)中的應(yīng)用非常有利。然而,多腔結(jié)構(gòu)伴隨著更多的“鏡面”,意味著薄膜層數(shù)成倍增加。所有膜層都需要以非常高的均勻度和精密的厚度沉積于玻璃基片上,因此多腔結(jié)構(gòu)將會降低良率,增加成本。

圖5. 多腔薄膜濾波器結(jié)構(gòu)

圖6. 多腔薄膜濾波器的濾波效果

薄膜濾波器的設(shè)計非常靈活,除了具有平頂?shù)恼瓗V波片,還可以實現(xiàn)許多其他濾波器,比如圖7中的長波通濾波片(LP), 圖8中的增益平坦化濾波片(GFF)。LP濾波器可用于WDM單纖雙向傳輸,比如發(fā)射波長為1310nm的光信號,接收波長為1550nm的光信號。GFF濾波器則用于摻餌光纖放大器(EDFA)中,對增益譜進(jìn)行平坦化。

圖7. 長波通濾波片的透射譜

圖8. 增益平坦化濾波片的透射譜

WDM器件

TFF濾光片用于WDM器件中,圖9所示為三端口WDM器件的結(jié)構(gòu),包括一個雙光纖準(zhǔn)直器、一個單光纖準(zhǔn)直器和一個TFF濾光片,TFF濾光片粘貼在雙光纖準(zhǔn)直器的準(zhǔn)直透鏡的端面上。WDM信號包括波長λ1, λ2,…λn,從公共端輸入,TFF濾光片讓一個波長λn透射,其他波長則被反射,因此波長λn從透射段輸出,而其他波長從反射端輸出。

圖9. 基于TFF的三端口WDM器件結(jié)構(gòu)

為了將所有波長解復(fù)用,需要將n個三端口器件串聯(lián)起來,組成WDM模塊,如圖10所示,其中每個三端口器件中的TFF濾光片,其透射波長不同。WDM模塊可用作解復(fù)用器或者復(fù)用器,取決于信號的傳輸方向。

圖10. 基于三端口WDM器件的WDM模塊結(jié)構(gòu)

基于三端口WDM器件的WDM模塊,其尺寸相對較大(典型8信道WDM模塊的尺寸為130×90×13mm3),在一些特殊應(yīng)用領(lǐng)域,這個尺寸不符合要求。為滿足這些要求,人們開發(fā)了緊湊型WDM模塊,如圖11所示。所有TFF濾光片固定在一塊玻璃基片上,然后逐個對準(zhǔn)和固定輸入/輸出準(zhǔn)直器。緊湊型WDM模塊的典型尺寸為50×30×6mm3,比常規(guī)WDM模塊的尺寸小得到。緊湊型DWDM和CWDM模塊,通常又叫作CDWDM和CCWDM。

圖11. 緊湊型WDM模塊結(jié)構(gòu)

從圖10中可以看到,模塊中的不同波長經(jīng)過不同數(shù)量的三端口WDM器件,因此產(chǎn)生不同的插入損耗。隨著端口數(shù)增加,損耗均勻性劣化。此外,最后端口處的最大損耗是限制端口數(shù)的另一個因素。圖11中的緊湊型WDM模塊,存在同樣的問題。因此TFF型WDM模塊通常限于≤16信道。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • WDM器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    6312
  • WDM
    WDM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    111

    瀏覽量

    21791
  • TFFS
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    2

    瀏覽量

    8508
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    透過(凹槽)和反射微型光電傳感器的技術(shù)解說

    領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。技術(shù)原理與結(jié)構(gòu)對比透過(凹槽)原理:發(fā)射器與接收器分離,通過遮擋光路檢測物體,U槽結(jié)構(gòu)適配不同尺寸檢測需求。優(yōu)勢:檢測穩(wěn)定(不受物體表面影
    的頭像 發(fā)表于 08-21 09:34 ?861次閱讀
    透過<b class='flag-5'>型</b>(凹槽<b class='flag-5'>型</b>)和反射<b class='flag-5'>型</b>微型光電傳感器的<b class='flag-5'>技術(shù)</b>解說

    FUTEK TFF400通孔扭矩傳感器概述

    TFF400扭矩傳感器的頂部和底部都配有法蘭,每個法蘭都配置內(nèi)螺紋和一個中心沉孔。這不僅提供更嚴(yán)格的公差,還有助于使零件保持一致,以便接口。
    的頭像 發(fā)表于 07-18 10:13 ?477次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    器件可靠性領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    器件可靠性領(lǐng)域中的FIB技術(shù)在當(dāng)今的科技時代,元器件的可靠性至關(guān)重要。當(dāng)前,國內(nèi)外元器件級可靠性質(zhì)量保證技術(shù)涵蓋了眾多方面,包括元
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:51 ?402次閱讀
    元<b class='flag-5'>器件</b>可靠性領(lǐng)域中的 FIB <b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    電子元器件檢測技術(shù)

    電子元器件檢測的重要性電子元器件作為現(xiàn)代電子裝備的核心組成部分,其可靠性和性能直接決定了整個電子系統(tǒng)的穩(wěn)定性和功能表現(xiàn)。隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,電子元器件的種類日益豐富,包括集成電路、
    的頭像 發(fā)表于 06-24 14:06 ?573次閱讀
    電子元<b class='flag-5'>器件</b>檢測<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    功率器件中銀燒結(jié)技術(shù)的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展,碳化硅(SiC)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接
    的頭像 發(fā)表于 06-03 15:43 ?795次閱讀
    功率<b class='flag-5'>器件</b>中銀燒結(jié)<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的應(yīng)用解析:以SiC與IGBT為例

    LTM2895 100MHz隔離DAC SPI串行接口技術(shù)手冊

    LTM2895 是一款采用 DAC 控制信號的高速隔離 μModule ^?^ (微型模塊) SPI 接口,該器件專為隔離LTC 的通用 DAC 系列和隔離通用 SPI 接口而設(shè)
    的頭像 發(fā)表于 06-03 10:04 ?618次閱讀
    LTM2895 100MHz隔離<b class='flag-5'>型</b>DAC SPI串行接口<b class='flag-5'>技術(shù)</b>手冊

    電子元器件應(yīng)用技術(shù)

    內(nèi)容簡介本文詳細(xì)介紹了運算放大器的內(nèi)部特性與工作原理,由淺入深、循序漸進(jìn)。全書共分八章第1章介紹利用晶體管制作簡單的運算放大器;第2章則對通用運算放大器與簡單運算放大器進(jìn)行了比較;第3章和第4章
    發(fā)表于 04-21 16:28

    電力電子器件的換流方式

    狀態(tài)的轉(zhuǎn)換和電流的轉(zhuǎn)移都不可能是瞬時實現(xiàn)的,因此產(chǎn)生了換流前后兩個電路穩(wěn)態(tài)間的暫態(tài)過程。這一過程稱為換流過程。 利用全控器件的自關(guān)斷能力進(jìn)行換流。在采用IGBT 、電力MOSFET 、GTO 、GTR等全控
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:58 ?898次閱讀
    電力電子<b class='flag-5'>器件</b>的換流方式

    碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至關(guān)重要。本文將詳細(xì)解析碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:21 ?971次閱讀

    面射雷射制程技術(shù)介紹

    目前市場上普遍采用的面射雷射元件主流技術(shù)為選擇性氧化法,絕大多數(shù)面射雷射操作特性紀(jì)錄均是由選擇性氧化局限技術(shù)所達(dá)成,例如低操作電壓[14]、低臨界電流[15]、高電光轉(zhuǎn)換效率[16
    的頭像 發(fā)表于 01-21 11:38 ?714次閱讀
    面射<b class='flag-5'>型</b>雷射制程<b class='flag-5'>技術(shù)</b>介紹

    隔離 (ΔΣ)1 位數(shù)字調(diào)制轉(zhuǎn)換器件

    隔離 (ΔΣ)1 位數(shù)字調(diào)制轉(zhuǎn)換器件 AMC1204 和 AMC1204B, 這是一款適用于追求零缺陷的高可靠性汽車電子應(yīng)用的隔離模擬信號采集器件 特點是: 這是隔離(ΔΣ)1位
    發(fā)表于 01-21 09:18

    BJT與其他半導(dǎo)體器件的區(qū)別

    BJT與其他半導(dǎo)體器件的區(qū)別 1. 結(jié)構(gòu)差異 BJT結(jié)構(gòu): BJT是一種雙極半導(dǎo)體器件,它由兩個PN結(jié)組成,分為NPN和PNP兩種類型。BJT由發(fā)射極(Emitter)、基極(Base)和集電極
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:28 ?1431次閱讀

    環(huán)保 SMT 元器件的發(fā)展趨勢

    隨著科技的不斷進(jìn)步和環(huán)保意識的日益增強,環(huán)保 SMT 元器件的發(fā)展受到了廣泛關(guān)注。其發(fā)展趨勢在多個方面呈現(xiàn)出顯著的特點,這些趨勢不僅對電子制造業(yè)的可持續(xù)發(fā)展至關(guān)重要,也對環(huán)境保護(hù)產(chǎn)生著深遠(yuǎn)的影響。
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:29 ?793次閱讀

    金融界:萬年芯申請緊湊高功率半橋電路器件專利

    據(jù)金融界網(wǎng)站近期消息:江西萬年芯微電子有限公司申請一項名為“緊湊高功率半橋電路器件、PCB板及其制造方法”的專利。金融界消息稱,萬年芯該項專利摘要顯示本發(fā)明公開了一種緊湊高功率半橋電路器件
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:16 ?752次閱讀
    金融界:萬年芯申請緊湊<b class='flag-5'>型</b>高功率半橋電路<b class='flag-5'>器件</b>專利