英特爾公司今日正式發(fā)布第三代英特爾至強可擴展處理器及全新的AI軟硬件產(chǎn)品組合，全新處理器、內(nèi)存、存儲、FPGA解決方案集體亮相。

作為第三代至強可擴展平臺的一部分，英特爾發(fā)布了全新英特爾傲騰持久內(nèi)存200系列，和新一代高容量英特爾3D NAND固態(tài)盤：英特爾SSD D7-P5500 和P5600。

英特爾公司副總裁兼至強處理器與存儲事業(yè)部總經(jīng)理Lisa Spelman介紹第二代傲騰持久內(nèi)存200系列，全新的散熱技術(shù)、超高的數(shù)據(jù)訪問速度以及超大的內(nèi)存總?cè)萘亢蛶挕?/p>

英特爾傲騰PMem 200系列是針對第三代英特爾至強可擴展處理器進行了優(yōu)化的第二代高性能持久內(nèi)存，英特爾 Optane PMem 200系列平均提供比上一代產(chǎn)品多25％的內(nèi)存帶寬、12-15瓦的低功耗設(shè)計（TDP），提供128 GB，256 GB和512 GB模塊，最大容量為512 GB。

英特爾傲騰持久內(nèi)存200系列能夠與傳統(tǒng)DDR4 DIMM共存，與DRAM并排占用相同的主板插槽。針對這些下一代處理器進行了優(yōu)化的平臺可以每個通道支持一個IntelOptanePMem 200系列模塊（單個插槽最多支持六個），每個插槽提供高達3 TB的PMem，每個插槽提供4.5 TB的總存儲容量。

英特爾傲騰持久內(nèi)存200系列與為工作負(fù)載（例如數(shù)據(jù)庫，分析和虛擬化基礎(chǔ)架構(gòu)）軟件生態(tài)系統(tǒng)兼容。

針對使用全閃陣列存儲數(shù)據(jù)的系統(tǒng)，英特爾發(fā)布了新一代高容量英特爾3D NAND固態(tài)盤：英特爾SSD D7-P5500 和P5600。這些3D NAND固態(tài)盤采用了英特爾最新的TLC 3D NAND技術(shù)以及全新低延遲PCIe控制器，能夠滿足AI及分析工作負(fù)載的密集IO需求，并具有提高IT效率和數(shù)據(jù)安全性的高級功能。

英特爾SSD D7-P5500 和P5600采用最新的 TLC 英特爾 3D NAND 技術(shù)構(gòu)建的下一代高容量固態(tài)盤。支持 PCIE Gen4 的新主控和固件使其具有低延遲和可擴展的特性。與上一代英特爾 固態(tài)盤相比，連續(xù)性能提高了 2 倍，隨機混合工作負(fù)載性能提高了 44%。滿足人工智能和分析工作負(fù)載的高強度 I/O 要求。先進的功能可提高 IT 效率和數(shù)據(jù)安全性。

英特爾公司副總裁兼至強處理器與存儲事業(yè)部總經(jīng)理Lisa Spelman表示：“快速部署AI和數(shù)據(jù)分析對當(dāng)今各類企業(yè)至關(guān)重要。英特爾一直致力于不斷強化處理器的內(nèi)置AI加速能力和軟件優(yōu)化優(yōu)勢，以更好地為全球的數(shù)據(jù)中心和邊緣解決方案提供動能，并通過打造無與倫比的芯片基石，助力釋放數(shù)據(jù)中的無限洞察?！?/p>