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2020Q1智能手機(jī)NAND flash芯片收益同比增長4%

lhl545545 ? 來源:C114通信網(wǎng) ? 作者:C114通信網(wǎng) ? 2020-07-03 10:38 ? 次閱讀
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Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)服務(wù)最新發(fā)布的研究報(bào)告《2020年Q1智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場份額:Samsung Memory占市場主導(dǎo)地位,收益小幅下降》指出,2020年Q1全球智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場總收益為94億美元。

該報(bào)告指出,2020年Q1,Samsung Memory,SK Hynix和Micron共占全球智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場近84%的收益份額。Samsung Memory保持了智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場的領(lǐng)先地位,收益份額為50%,其次是SK Hynix和Micron。

NAND市場

2020年Q1,受價(jià)格穩(wěn)定和容量閃存需求增加的推動(dòng),智能手機(jī)NAND flash芯片收益同比增長4%。Samsung Memory以44%的收益份額主導(dǎo)市場,其次是Kioxia占21%,SK Hynix占16%。

DRAM 市場

由于季節(jié)性因素和需求轉(zhuǎn)移到其他類別,2020年Q1全球智能手機(jī)的DRAM市場總收益同比下降了4%。 就市場份額而言,Samsung Memory在智能手機(jī)DRAM市場中的收益份額為55%,其次是SK Hynix和Micron,分別為25%和19%。

Strategy Analytics分析師Jeffrey Mathews表示:“由于庫存的改進(jìn)以及為了應(yīng)對(duì)未來疫情的早期的芯片客戶訂單,智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場收益僅出現(xiàn)了小幅下降。Samsung Memory的UFS 3.0 Flash和LPDDR5 DRAM存儲(chǔ)芯片繼續(xù)大熱,并在2020年Q1獲得了許多領(lǐng)先的智能手機(jī)OEM廠商的訂單?!?/p>

Strategy Analytics手機(jī)元件技術(shù)服務(wù)執(zhí)行總監(jiān)Stuart Robinson指出:“由于COVID-19疫情對(duì)全球智能手機(jī)制造造成的破壞,并導(dǎo)致智能手機(jī)需求大幅下降,智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片需求減少,智能手機(jī)存儲(chǔ)芯片市場將繼續(xù)面臨挑戰(zhàn)。然而,智能手機(jī)OEM對(duì)具有UFS 3.0和LPDDR5的高密度存儲(chǔ)芯片的需求仍然樂觀?!?br /> 責(zé)任編輯:pj

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