英飛凌是哪個(gè)國(guó)家的

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門，于1999年獨(dú)立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。

總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑戰(zhàn)領(lǐng)域——高能效、移動(dòng)性和安全性提供半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案。

英飛凌發(fā)展歷史

西門子半導(dǎo)體事業(yè)部作為英飛凌科技（中國(guó)）有限公司的前身于1995年正式進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)。自1995年在無(wú)錫建立第一家企業(yè)以來(lái)， 英飛凌的業(yè)務(wù)取得非常迅速的增長(zhǎng)，在中國(guó)擁有約2000名員工，已經(jīng)成為英飛凌全球業(yè)務(wù)發(fā)展的重要推動(dòng)力。英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈，并在銷售、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)企業(yè)、高等院校開(kāi)展了深入的合作。

2018年3月，英飛凌與上汽集團(tuán)宣布成立合資企業(yè)，為中國(guó)充滿活力的電動(dòng)汽車市場(chǎng)制造功率模塊。合資公司命名為“上汽英飛凌汽車功率半導(dǎo)體（上海）有限公司”，總部設(shè)在上海，生產(chǎn)基地位于英飛凌無(wú)錫工廠擴(kuò)建項(xiàng)目?jī)?nèi)。

進(jìn)入中國(guó)以來(lái)，英飛凌不斷順應(yīng)客戶與市場(chǎng)的需求，研發(fā)及生產(chǎn)一系列能夠應(yīng)用于本地市場(chǎng)的產(chǎn)品。英飛凌先進(jìn)的半導(dǎo)體解決方案已廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，同時(shí)我們憑借雄厚的技術(shù)實(shí)力和全球領(lǐng)先的經(jīng)驗(yàn)，與包括中興、華為、方正、握奇等國(guó)內(nèi)領(lǐng)先廠商展開(kāi)深入合作，為中國(guó)電子行業(yè)的騰飛做出應(yīng)有的貢獻(xiàn)。

英飛凌在中國(guó)建立了涵蓋研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、市場(chǎng)、技術(shù)支持等在內(nèi)的完整的產(chǎn)業(yè)鏈。在研發(fā)方面，英飛凌在上海、西安建立了研發(fā)中心，利用國(guó)內(nèi)的人才資源，參與全球的重點(diǎn)項(xiàng)目研究；在無(wú)錫的后道生產(chǎn)工廠，為中國(guó)及全球其他市場(chǎng)生產(chǎn)先進(jìn)的芯片產(chǎn)品；2011年，英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開(kāi)業(yè)，并在亦莊開(kāi)發(fā)區(qū)建立了專注于面向風(fēng)電高鐵等行業(yè)的IGBT模塊的制造。英飛凌中國(guó)以北京、上海、深圳和香港為中心在國(guó)內(nèi)建立了全面的銷售網(wǎng)絡(luò)。同時(shí)，我們?cè)阡N售、產(chǎn)品代工、技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面與國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的企業(yè)、高等院校開(kāi)展了深入的合作。

2020年4月16日英飛凌宣布：已經(jīng)完成總價(jià)值90億歐元（合人民幣693億元）對(duì)Cypress賽普拉斯半導(dǎo)體公司的收購(gòu)案，英飛凌成為全球十大半導(dǎo)體制造商之一。

英飛凌IGBT模塊選用指南

對(duì)于一個(gè)具體的應(yīng)用來(lái)說(shuō)，在選擇英飛凌IGBT模塊時(shí)需考慮其在任何靜態(tài)、動(dòng)態(tài)、過(guò)載（如短路）的運(yùn)行情況下：

（i）：器件耐壓;

（ii）：在實(shí)際的冷卻條件下，電流的承受力;

（iii）：最適合的開(kāi)關(guān)頻率;

（iv）：安全工作區(qū)（SOA）限制;

（v）：最高運(yùn)行溫度限制。

一、器件耐壓的選擇

因?yàn)榇蠖鄶?shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過(guò)單相或三相整流后的直流母線電壓下，所以通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)?？紤]到過(guò)載，電網(wǎng)波動(dòng)，開(kāi)關(guān)過(guò)程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好，就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。下面列出根據(jù)交流電網(wǎng)電壓或直流母線電壓來(lái)選擇IGBT耐壓的參考表。

二、電流的選擇

半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性，因此IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升IGBT模塊可利用的電流就會(huì)下降，英飛凌IGBT模塊是按殼溫TC=80℃來(lái)標(biāo)稱其最大允許通過(guò)的集電流極電流（IC）。對(duì)于西門子/英飛凌NPT-IGBT芯片來(lái)說(shuō)，當(dāng)TC≤25℃時(shí)，這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值，但隨著TC的增加，這個(gè)可利用的電流值下降較快，有些公司是按TC＝25℃的電流值來(lái)標(biāo)稱型號(hào)，這需用戶特別注意。

需指出的是：IGBT參數(shù)表中標(biāo)出的IC是集電極最大直流電流，但這個(gè)直流電流是有條件的，首先最大結(jié)溫不能超過(guò)150℃，其次還受安全工作區(qū)（SOA）的限制，不同的工作電壓、脈沖寬度，允許通過(guò)的最大電流不同。同時(shí)，各大廠商也給出了2倍于額定值的脈沖電流，這個(gè)脈沖電流通常是指脈沖寬度為1ms的單脈沖能通過(guò)的最大通態(tài)電流值，即使可重復(fù)也需足夠長(zhǎng)的時(shí)間。如果脈沖寬度限制在10μs以內(nèi)，英飛凌NPT-IGBT短路電流承受能力可高達(dá)10倍的額定電流值。這種短路也不允許經(jīng)常發(fā)生，器件壽命周期內(nèi)總次數(shù)不能大于1000次，兩次短路時(shí)間間隔需大于1s。但對(duì)于PT型IGBT，這種短路總次數(shù)不能大于100次，這是由于NPT-IGBT過(guò)載能力、可靠性比PT型高的原因。

在電力電子設(shè)備中，選擇IGBT模塊時(shí)，通常是先計(jì)算通過(guò)IGBT模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點(diǎn)，考慮到過(guò)載、電網(wǎng)波動(dòng)、開(kāi)關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來(lái)選擇相應(yīng)的IGBT模塊。但嚴(yán)格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計(jì)算耗散功率，通過(guò)熱阻核算具最高結(jié)溫不超過(guò)規(guī)定值來(lái)選擇器件。通過(guò)最高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IGBT模塊通過(guò)更大的電流，更加有效地利用IGBT模塊。

三、根據(jù)開(kāi)關(guān)頻率選擇不同的IGBT系列

IGBT的損耗主要由通態(tài)損態(tài)和開(kāi)關(guān)損耗組成，不同的開(kāi)關(guān)頻率，開(kāi)關(guān)損耗和通態(tài)損耗所占的比例不同。而決定IGBT通態(tài)損耗的飽和壓降VCE（sat）和決定IGBT開(kāi)關(guān)損耗的開(kāi)關(guān)時(shí)間（ton，toff）又是一對(duì)矛盾，因此應(yīng)根據(jù)不同的開(kāi)關(guān)頻率來(lái)選擇不同特征的IGBT。

在低頻如fk《10KHz時(shí)，通態(tài)損耗是主要的，這就需要選擇低飽和壓降型IGBT系列。對(duì)于英飛凌產(chǎn)品需選用后綴為“KE3”或“DLC”系列IGBT；但英飛凌后綴為“KT3”系列飽和壓降與“KE3”系列飽和壓降相近，“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左右，因而

“KT3”將更有優(yōu)勢(shì)?！癒T3”由于開(kāi)關(guān)速度更快，對(duì)吸收與布線要求更高。

若開(kāi)關(guān)頻率在10KHz－15KHz之間，請(qǐng)使用英飛凌后綴為“DN2”和“KT3”的IGBT模塊，今后對(duì)于fk≤15KHz的應(yīng)用場(chǎng)合，建議客戶逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。

當(dāng)開(kāi)關(guān)頻率fk≥15KHz時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗是主要的，通態(tài)損耗占的比例比較小。最好選擇英飛凌短拖尾電流“KS4”高頻系列。當(dāng)然對(duì)于fk在15KHz－20KHz之間時(shí)，“DN2”系列

也是比較好的選擇。英飛凌“KS4”高頻系列，硬開(kāi)關(guān)工作頻率可達(dá)40KHz；若是軟開(kāi)關(guān)，可工作在150KHz左右。

IGBT在高頻下工作時(shí)，其總損耗與開(kāi)關(guān)頻率的關(guān)系比較大，因此若希望IGBT工作在更高的頻率，可選擇更大電流的IGBT模塊；另一方面，軟開(kāi)關(guān)主要是降低了開(kāi)關(guān)損耗，可使IGBT模塊工作頻率大大提高。隨著IGBT模塊耐壓的提高，IGBT的開(kāi)關(guān)頻率相應(yīng)下降，下面列出英飛凌IGBT模塊不同耐壓，不同系列工作頻率fk的參考值。

600V“DLC”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到30KHz

600V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到30KHz

1200V“DN2”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到20KHz

1200V“KS4”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到40KHz

1200V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到10KHz

1200V“KT3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到15KHz

1700V“DN2”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到10KHz

1700V“DLC”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到5KHz

1700V“KE3”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到5KHz

3300V“KF2C”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到3KHz

6500V“KF1”開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1KHz