chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關系

MEMS ? 來源:《電子產(chǎn)品世界》 ? 2020-09-01 11:21 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

不久前,MEMS蝕刻和表面涂層方面的領先企業(yè)memsstar向《電子產(chǎn)品世界》介紹了MEMS與傳統(tǒng)CMOS刻蝕與沉積工藝的關系,對中國本土MEMS制造工廠和實驗室的建議等。

1 MEMS比CMOS的復雜之處

MEMS與CMOS的根本區(qū)別在于:MEMS是帶活動部件的三維器件,CMOS是二維器件。因此,雖然許多刻蝕和沉積工藝相似,但某些工藝是MEMS獨有的,例如失效機理。舉個例子,由于CMOS器件沒有活動部件,因此不需要釋放工藝。正因為如此,當活動部件“粘”在表面上,導致設備故障時,就會產(chǎn)生靜摩擦,CMOS沒有這種問題。

CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標準工藝,但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面,MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中,或通過表面微加工技術在硅的頂部形成。

體硅MEMS的深反應離子刻蝕(DRIE)也稱為Bosch工藝(因為該工藝在20世紀90年代由Bosch開發(fā)),是專為MEMS設計的一種最老的工藝解決方案。雖然它不是標準的半導體工藝,但現(xiàn)在已應用于三維裸片堆疊中,通過硅通孔(TSV)技術進行蝕刻。此外,表面微加工蝕刻的釋放蝕刻是另外一種需要釋放材料的受控化學蝕刻的特定MEMS工藝。

2將舊CMOS轉換為MEMS生產(chǎn)線

盡管歐美國家多年來一直在推動MEMS創(chuàng)新,但直到現(xiàn)在,還沒有一家建立MEMS專用工廠。雖然有些公司有MEMS工藝生產(chǎn)線,但它們并不一定是最先進的。相反,是二次利用舊半導體工廠的方式,為它們注入新的活力。將舊CMOS半導體制造設備的富余生產(chǎn)能力轉換為MEMS生產(chǎn)線可能是中國可以考慮的一種方法。

MEMS器件不太可能達到CMOS器件的產(chǎn)量,理解這一點非常重要。一種器件沒法讓MEMS生產(chǎn)線盈利,因為人們不需要5萬個初制晶圓。即使是MEMS麥克風這種相當高產(chǎn)量的應用,但生產(chǎn)卻分布在多個廠家。

3中國MEMS制造廠和實驗設備的挑戰(zhàn)

總體來看,中國在MEMS應用的內部開發(fā)方面落后于世界其他先進國家。目前,中國面臨著與歐美國家多年前一樣的制造和設備挑戰(zhàn),而且隨著歐美國家不斷推進發(fā)展,中國較難迎頭趕上。鑒于中國當前與其他國家之間的關系,中國正在加緊發(fā)展國內能力,以期獲得獨立供應鏈。

MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度快,創(chuàng)新力強。此外,大多數(shù)MEMS器件都是專用的,沒有像CMOS器件那樣大的體量。因此,正確合理的解決方案必須以技術為基礎。

尖端科技是需要成本的。為一家工廠配備已使用了20年工藝的傳統(tǒng)MEMS設備并非成功之道。重要的是,設備不僅要滿足今天的需要,還要滿足未來5 ~ 10年的需要。因此,為應對未來發(fā)展的需要,應盡可能選擇最高生產(chǎn)能力的設備是很重要的,以備援未來。

4 MEMS制造需要外包嗎

要想成為一家成功的中國MEMS制造公司,是選擇外包還是建廠?這取決于您的商業(yè)模式。MEMS集成器件制造商(IDM)并不是孤立存在的。成功的MEMS制造公司擁有多種MEMS產(chǎn)品,能夠處理不同尺寸的晶圓,以及各種材料和工藝。目前,對于中國企業(yè)來說,這種能力都在海外——在歐洲或美國。

MEMS代工廠之所以存在并取得成功,是因為它們?yōu)樵S多不同的公司生產(chǎn)許多不同的MEMS產(chǎn)品。例如,ST Microelectronics成功地使用了代工廠(foundry)模式。

總之,除非你是一個為多家MEMS服務的代工廠,否則建立自己的代工廠是沒有意義的。對于中國內部的MEMS市場來說,可以采取合作的方式來替代外包,即幾家MEMS公司共用一家工廠。歸根結底,選擇最終要帶來最佳的投資回報。

5良率指標更為關鍵

memsstar一直專注于技術、工藝和良率。memsstar通過實現(xiàn)這些目標,來確??蛻粼诋斍昂臀磥矶寄芤宰畹偷某杀局圃熳钕冗M的MEMS器件。許多公司把“產(chǎn)量”作為控制成本的一種方法。而memsstar深信“良率”這一指標更為關鍵。因為無論你能生產(chǎn)多少器件,如果你的良率只有50%,那么成本就是2倍。

memsstar的第二個獨特之處在于,所提供的工藝流程貫穿在MEMS器件發(fā)展演變過程中,始終有效。從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)制造,MEMS器件經(jīng)歷了概念驗證、原型制作、試產(chǎn)和生產(chǎn)制造等多個階段。如果在概念設計和可行性階段使用不同的工藝工具,它們可能不會過渡到主流制造設備。memsstar作為MEMS蝕刻和表面涂層方面的專家,提供了專業(yè)知識、經(jīng)驗和專有技術,并且提供從研發(fā)到生產(chǎn)的全套設備。memsstar的MEMS產(chǎn)品融合了下一代專有的釋放蝕刻和涂層技術,以及專有和再使用半導體設備。這一系列產(chǎn)品確保memsstar能夠提供全套蝕刻和沉積解決方案,以支持MEMS開發(fā)和生產(chǎn)準備制造。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • CMOS
    +關注

    關注

    58

    文章

    6186

    瀏覽量

    241582
  • mems
    +關注

    關注

    129

    文章

    4373

    瀏覽量

    197710
  • 蝕刻
    +關注

    關注

    10

    文章

    428

    瀏覽量

    16463

原文標題:memsstar談MEMS刻蝕與沉積工藝的挑戰(zhàn)

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    白光干涉儀在晶圓濕法刻蝕工藝后的 3D 輪廓測量

    引言 晶圓濕法刻蝕工藝通過化學溶液對材料進行各向同性或選擇性腐蝕,廣泛應用于硅襯底減薄、氧化層開窗、淺溝槽隔離等工藝,其刻蝕深度均勻性、表面平整度、側向腐蝕量等參數(shù)直接影響器件性能。例
    的頭像 發(fā)表于 09-26 16:48 ?862次閱讀
    白光干涉儀在晶圓濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>后的 3D 輪廓測量

    濕法刻蝕工藝指標有哪些

    濕法刻蝕工藝指標是確保半導體制造過程中圖形轉移精度和器件性能的關鍵參數(shù),主要包括以下幾個方面:刻蝕速率定義與意義:指單位時間內材料被去除的厚度(如μm/min或nm/s),直接影響生產(chǎn)效率和成本
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:49 ?619次閱讀
    濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>的<b class='flag-5'>工藝</b>指標有哪些

    TSV制造技術里的通孔刻蝕與絕緣層

    相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應對高深寬比結構帶來的技術挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應刻蝕形成盲孔開始,經(jīng)等離子體化學氣相沉積絕緣層、金屬黏附
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:13 ?1789次閱讀

    MEMS矢量水聽器敏感結構的后CMOS釋放工藝研究

    MEMS矢量水聽器敏感結構的后CMOS釋放工藝研究
    發(fā)表于 07-24 15:08 ?0次下載

    MEMS制造中玻璃的刻蝕方法

    MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽極鍵合),常被用作襯底、封裝結構或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結構的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結構尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:18 ?1271次閱讀

    干法刻蝕的評價參數(shù)詳解

    MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過等離子體、離子束等氣態(tài)物質對薄膜材料或襯底進行刻蝕工藝,其評價參數(shù)直接影響器件的結構精度和性能。那么干
    的頭像 發(fā)表于 07-07 11:21 ?1379次閱讀
    干法<b class='flag-5'>刻蝕</b>的評價參數(shù)詳解

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術作為半導體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準刻蝕,其技術特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?2797次閱讀
    一文詳解干法<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    一文詳解濕法刻蝕工藝

    濕法刻蝕作為半導體制造領域的元老級技術,其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進程緊密交織。盡管在先進制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨特的工藝優(yōu)勢,濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可
    的頭像 發(fā)表于 05-28 16:42 ?3786次閱讀
    一文詳解濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    半導體刻蝕工藝技術-icp介紹

    ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術是半導體制造中的一種關鍵干法刻蝕工藝,廣泛應用于先進集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:33 ?3453次閱讀

    半導體制造關鍵工藝:濕法刻蝕設備技術解析

    刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導體圖案化過程中的關鍵環(huán)節(jié),與光刻機和薄膜沉積設備并稱為半導體制造的三大核心設備。
    的頭像 發(fā)表于 04-27 10:42 ?1859次閱讀
    半導體制造關鍵<b class='flag-5'>工藝</b>:濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>設備技術解析

    微型傳感革命:國產(chǎn)CMOS-MEMS單片集成技術、MEMS Speaker破局

    =(電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道)在萬物互聯(lián)與智能硬件的浪潮下,傳感器微型化、高精度化正成為產(chǎn)業(yè)升級的核心驅動力。MEMS(微機電系統(tǒng))與CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術的深度融合,被視為突破傳統(tǒng)傳感
    發(fā)表于 03-18 00:05 ?2285次閱讀

    什么是原子層刻蝕

    原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對,一個是逐層沉積材料,一個是逐層去除材料。 ? 工作原理 ALE 通常由以下兩個關鍵階段組成: ? 表面活化階段:使用氣相前體或等離子
    的頭像 發(fā)表于 01-20 09:32 ?1168次閱讀
    什么是原子層<b class='flag-5'>刻蝕</b>

    后段刻蝕工藝(BEOL ETCH)詳解

    后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環(huán)節(jié),其復雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是BEOL ETCH BEOL是指從金屬互連開始
    的頭像 發(fā)表于 12-31 09:44 ?2553次閱讀

    【「大話芯片制造」閱讀體驗】+ 芯片制造過程和生產(chǎn)工藝

    蓋樓一樣,層層堆疊。 總結一下,芯片制造的主要過程包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試和封裝。 晶圓,作為單晶柱體切割而成的圓薄片,其制作原料是硅或砷化鎵。高純度的硅材料提取自硅砂
    發(fā)表于 12-30 18:15

    ALE的刻蝕原理?

    ????? ALE,英文名Atomic Layer Etching,中文名原子層刻蝕。是和ALD相對的,均是自限性反應,一個是沉積一個是刻蝕。ALD是每個循環(huán)只沉積一層原子,ALE是每
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:15 ?1663次閱讀
    ALE的<b class='flag-5'>刻蝕</b>原理?