chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

存儲級內存SCM詳細介紹

SSDFans ? 來源:面包板社區(qū) ? 作者:面包板社區(qū) ? 2020-09-02 15:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

在存儲基礎部件領域(Storage & Memory),這兩年討論最多的應屬Intel Optane系列,全新的介質、出色的性能、非揮發(fā)特性、適中的價格,Optane受到眾多存儲架構師和數據中心架構師的青睞,Intel也持續(xù)大力研發(fā)和推廣。本文原邏輯在2019年8月的DapuStor Haishen3系列產品發(fā)布會上已經討論過,這里再引申一些內容,拋磚引玉,供大家探討。

主要有以下內容:

什么是SCM(StorageClassMemory);

為什么說SCM越來越重要(數據中心基礎設施在經歷什么,存儲行業(yè)又在經歷什么);

DapuStor在思考什么(Optane SSD & Haishen3-XL)。

什么是SCM

關于SCM的定義,個人覺得以下統(tǒng)稱比較合適:“介于DRAM和NAND FLASH之間的具備非揮發(fā)特性的產品”。因為沒有精確的關于SCM參數的定義,我們先來看看DRAM和NAND的一些相關參數:

表:DRAM vs NAND FLASH

可以看到這兩者之間存在比較大的GAP,SCM即填補了這個GAP,如下圖的產品級圖示:

圖:存儲層缺口Gap - SCM

為什么說SCM越來越重要

首先,每個CPU核的可用DRAM容量,每兩年降低20~30%。

Intel創(chuàng)始人之一的Gordon Moore提出“集成電路上可容納的元器件的數目,約每隔18-24個月便會增加一倍,性能也將提升一倍”,這成為IT產業(yè)最著名的摩爾定律,Intel、AMD服務器CPU路線也符合這個發(fā)展規(guī)律:

表:服務器CPU的發(fā)展

但當我們把服務器內存容量的發(fā)展趨勢和CPU核數放在一起,就能看到其中的問題:

表:服務器CPU &內存的發(fā)展

即“每個服務器CPU核的可用DRAM容量,每兩年降低20~30%”,其實服務器CPU對內存的“hungry”是業(yè)界的共識:

圖:服務器CPU &內存的發(fā)展

這個趨勢從美國阿岡國家實驗室超級計算機計劃 Argonne National Labs plans也可以看出:

表:阿岡國家實驗室HPC計劃

其次,CPU獲得的DRAM帶寬增速,遠遠不及SSD、網絡帶寬增速。

這里直接引用Sandisk Fellow Fritz Kruger的數據,有興趣的朋友可以搜索“CPU Bandwidth – The Worrisome 2020 Trend”:

圖:網絡、存儲、DRAM趨勢(Log scale)

圖:網絡、存儲、DRAM趨勢(Linear scale)

第三,DRAM行業(yè)面臨scale up瓶頸。

熟悉DRAM行業(yè)的朋友,都知道DRAM行業(yè)經歷了一個殘酷的廝殺過程:從上世紀80年代的超過20家,到現在的“3大1小”。

在這個行業(yè)發(fā)展過程中,每一家都在靠以下兩種方式競爭:“制程轉進”與“擴大產能”。前者即為新工藝的研發(fā),如20nm轉往17nm,會帶來比如20~30%的bit growth;后者即為更新、增加產線和設備,以增加投片和產出。這兩者都需要龐大的資本投入,而在早期資本的投入和整體bit growth基本呈線性關系。

而我們如果拆開來看的話,可以發(fā)現隨著制程的發(fā)展,到了20nm及以下制程后,工藝的轉進帶來的研發(fā)投入增長越來越龐大,大白話是“原來有100塊錢,花30塊錢更新制程另外70塊錢擴產;但是現在更新一個制程需要花70塊甚至更高”。

因此,行業(yè)近5年雖然資本支出越來越大,但產出bit growth卻越來越低,也就是說整個行業(yè)面臨scale up的瓶頸,資本投入和bit growth并非線性關系,且越來越明顯:

圖:DRAM行業(yè)資本支出和位成長率

DRAM是已經商用的最快的存儲介質,從性能特性來說無法被替代,再加上現在行業(yè)的寡頭局面,任何一個IT OEM廠商或者數據中心,都需要至少3家供應商。如果你是其中一家DRAM供應商,你會怎么想?會不會是“這個生意太好了,慢慢來 :)”。

綜合以上各個趨勢發(fā)展,聰明的架構師們就開始從系統(tǒng)角度來思考這個問題,這也說明了為什么SCM會被委以重任。

具體SCM的使用場景有兩種:Caching 和 Tiering,一般情況下Caching相對比較容易實現,而Tiering需要更深入的上下層整合,包括配套的算法,以確保兼顧各Tier的容量比(即成本)和效率。很多大型數據中心和存儲廠商都在積極尋找和布局合適Optane SCM的應用場景,比如HPE有“Memory-Driven Flash”(Caching),比如DellEMC PowerMAX支持Tiering。

DapuStor在思考什么

DapuStor(深圳大普微電子科技有限公司)致力于打造企業(yè)級智能固態(tài)硬盤、數據存儲處理器芯片及邊緣計算相關產品,企業(yè)級、數據中心級智能存儲基礎設施是我們現階段主要的方向,而在此領域如此重要的SCM產品,當然非常關鍵。

合作伙伴KIOXIA(原Toshiba)在2018年提出SCM級XL-FLASH發(fā)展規(guī)劃,在接下來的時間里,DapuStor也針對XL-FLASH和KIOXIA進行了長時間的緊密溝通和合作,Haishen3-XL SCM級SSD也確定了如下特性:

圖:DapuStor Haishen3 SCM特性

關于Haishen3-XL和OptaneSSD、Z-SSD性能的比較

表:Optane SSD vs Z-SSD vs Haishen3-XL

Optane SSD采用3DXpoint,Z-SSD和Haishen3-XL采用optimized low-latency SLC NAND,從介質上講3DXpoint已經不是NAND而是PCRAM,是“cross point”型架構,尋址方式、寫入過程等與NAND完全不同,不需要垃圾回收,因此Optane SSD RW IOPS有明顯優(yōu)勢,另外據說Optane Gen2 會進一步提升至60DWPD,這是從介質改革帶來的優(yōu)勢;其它方面Haishen3-XL并不弱。

因此從整體性能方面,low-latency SLC NAND SSD,如Haishen3-XL可在大部分應用場景和Optane SSD共同存在。

DapuStor也在2020年1月份的PM Summit上基于RWW(Real World Workload)對Optane SSD、Haishen3-XL進行了比較,原文鏈接參考:http://www.dapustor.com/news_view.aspx?nid=2&typeid=139&id=543

關于Haishen3-XL和OptaneSSD成本的比較

因為Intel在數據中心CPU領域占絕對壟斷地位,針對CPU和Optane、SSD也有類似bundle program優(yōu)勢,因此我們無法估算Optane SSD的to B實際成交價格,僅以電商平臺零售價來看還是挺高的:

表:Optane SSD零售價

另一方面,我們粗算一下,能看到3DXpoint Gen1的Wafer成本大概是96L low-latency SLC NAND的2倍:

表:Wafer Cost:TLC vs XL-FLASH vs 3DXpoint vs DRAM

下面再看看Intel 3DXpoint從Micron的采購成本。

從Micron 2020FQ2 Earnings report,可以估算出Micron交付給Intel的3DXpoint業(yè)務預計為2B$的6%,即為120M$:

“……Revenue for the CNBU was approximately $2 billion, down approximately1% sequentially and down 17% year-over-year. We have now started to include all 3D XPoint revenue in CNBU reporting, as the use cases for 3D XPoint technology are more closely aligned with memory expansion and this business is being managed by CNBU. Excluding 3D XPoint, CNBU revenue would have been down 7% sequentially……”

而3DXpointGen1的產能約為135MGB/Q https://blocksandfiles.com/2019/08/27/3d-xpoint-revenue-forecasts/:

“……It will output 45m GB/month of Gen 1 XPoint in the fourth quarter and 5m GB/month of Gen 2 XPoint……”

即Intel采購價格約為120M$/135MGB = 0.88$/GB。Intel和Micron的長期合作協(xié)議,該價格應該是Micron能提供的最優(yōu)價,基本符合上面Wafer成本的測算(3DXpoint Gen1 wafer成本大概是96L TLC的10倍).

財務表現上, Intel在Optane上的巨大研發(fā)投入,也導致NSG絕大多數財季在虧損。從長期來看,Intel大概率會持續(xù)推廣Optane產品,隨著3DXpoint的使用量越來越多,生產制造成本也會隨之降低,形成正循環(huán)。

而從一個健康的行業(yè)發(fā)展來看,現階段正是需要多個SCM玩家推高市場需求的時期。Low-latency NAND因為基于非常成熟的3D NAND研發(fā)生產制造流程,從生態(tài)上來說是一個非常合適的SCM產品第二選擇,DapuStor也立志成為基于low-latency NAND的優(yōu)秀SCM解決方案提供商。

說明:文中部分內容涉及對未來的判斷,可能和實際會有出入;另外有一些數據是通過參考公開數據推測而來,并非一手數據。若有偏頗還望見諒,有問題歡迎討論lijinxing@dapustor.com :)

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲
    +關注

    關注

    13

    文章

    4819

    瀏覽量

    90146
  • SCM
    SCM
    +關注

    關注

    2

    文章

    68

    瀏覽量

    15856

原文標題:珍藏!存儲級內存SCM,看這一篇就夠了!

文章出處:【微信號:SSDFans,微信公眾號:SSDFans】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    自研芯片、猛攻企業(yè),國內存儲“量級躍遷”

    電子發(fā)燒友網報道(文/黃晶晶)日前,德明利、聯(lián)蕓科技發(fā)布了2025半年度業(yè)績預告。顯示出大幅增長的態(tài)勢。而其他存儲廠商暫未發(fā)布季報,不過受益于AI、企業(yè)存儲、自研芯片等舉措,業(yè)務拓展取得突破
    的頭像 發(fā)表于 07-28 08:01 ?6726次閱讀
    自研芯片、猛攻企業(yè)<b class='flag-5'>級</b>,國<b class='flag-5'>內存儲</b>“量級躍遷”

    美光內存存儲解決方案驅動智能未來

    從端側到云端,美光內存存儲解決方案廣泛覆蓋智駕、移動端應用、機器人、生成式AI和數據中心等領域,驅動智能未來。
    的頭像 發(fā)表于 03-23 10:37 ?78次閱讀

    工業(yè)板載存儲新選擇:創(chuàng)世 SD NAND 實測

    萬次,通過1萬次隨機掉電測試,支持-40℃~+85℃寬溫工作,遠超消費存儲產品。 1.3、內部原理圖 下圖是芯片的內部原理圖: 接下來我便詳細講解一下這個原理圖: 電源濾波: VCC引腳
    發(fā)表于 03-17 18:14

    智能顯示模塊Flash存儲空間有多大?模塊的內存有多大?

    智能顯示模塊Flash存儲空間有多大?模塊的內存有多大?
    發(fā)表于 02-26 09:17

    內存暴漲缺貨?全志T536開發(fā)板靈活存儲救場,現貨秒發(fā)不卡殼

    誰還在為內存缺貨、DDR4溢價頭疼?嵌入式研發(fā)黨集合!當下內存緊缺潮來襲,不少項目被供貨卡脖子、被成本壓得喘不過氣。合眾恒躍直接帶著全志T536工業(yè)開發(fā)板破局——多元內存按需選配不浪
    的頭像 發(fā)表于 01-26 10:50 ?804次閱讀
    <b class='flag-5'>內存</b>暴漲缺貨?全志T536開發(fā)板靈活<b class='flag-5'>存儲</b>救場,現貨秒發(fā)不卡殼

    【「Linux 設備驅動開發(fā)(第 2 版)」閱讀體驗】+讀深入理解Linux內核內存分配

    每個內存地址是虛擬的,不是直接指向RAM中的任何地址。當用戶訪問內存中的存儲單元時,都會進行地址轉換以匹配相應的物理內存。書籍的第10章討論了五個主題,對Linux內核
    發(fā)表于 01-16 20:05

    CW32A系列(車規(guī) MCU)介紹

    定位:汽車電子應用,通過 AEC-Q100 認證,滿足車規(guī)可靠性要求。 核心特性: 內核:Arm Cortex-M0+/M3/M4,主頻 48MHz~120MHz。 存儲器:Flash 32KB
    發(fā)表于 11-17 06:30

    工業(yè)網關的內存有什么功能

    工業(yè)網關的內存是其核心硬件組件之一,承擔著保障設備高效、穩(wěn)定運行的關鍵作用,具體功能可從以下幾個方面詳細說明: 一、臨時數據存儲與處理 實時數據緩存:工業(yè)網關需要實時采集來自傳感器、PLC(可編程
    的頭像 發(fā)表于 08-15 10:15 ?617次閱讀

    半導體存儲芯片核心解析

    /FeRAM (阻變/鐵電) 等,目標是結合DRAM的速度和Flash的非易失性(存儲內存),部分已在特定領域應用(如MRAM做緩存),是未來重要方向。 CXL:一種新的高速互連協(xié)議,旨在更高效地連接
    發(fā)表于 06-24 09:09

    存儲示波器的存儲深度對信號分析有什么影響?

    記錄時間需求(如小時)的慢速信號。 直接結論: 高頻信號:存儲深度≥1Mpts(優(yōu)先滿足采樣率,通過分段存儲延長記錄時間)。 低頻信號:存儲深度≥1Mpts(優(yōu)先滿足記錄時間,通過降
    發(fā)表于 05-27 14:39

    佰維存儲亮相COMPUTEX 2025,全場景存儲方案賦能“AI +”未來生態(tài)

    近日,臺北國際電腦展(COMPUTEX 2025)以“AI NEXT”為主題啟幕,作為領先的存儲內存解決方案廠商,佰維存儲展示了其涵蓋消費、嵌入式
    的頭像 發(fā)表于 05-26 09:43 ?1243次閱讀
    佰維<b class='flag-5'>存儲</b>亮相COMPUTEX 2025,全場景<b class='flag-5'>存儲</b>方案賦能“AI +”未來生態(tài)

    ESD技術文檔:芯片ESD與系統(tǒng)ESD測試標準介紹和差異分析

    ESD技術文檔:芯片ESD與系統(tǒng)ESD測試標準介紹和差異分析
    的頭像 發(fā)表于 05-15 14:25 ?4686次閱讀
    ESD技術文檔:芯片<b class='flag-5'>級</b>ESD與系統(tǒng)<b class='flag-5'>級</b>ESD測試標準<b class='flag-5'>介紹</b>和差異分析

    MCU存儲器層次結構解析

    與指令執(zhí)行,速度最快(納秒),但容量極小(通常為KB)。 功能?: 存儲臨時操作數、地址指針及狀態(tài)標志。 支持低延遲的數據處理,確保實時控制類任務的高效執(zhí)行。 二、片上SRAM層(高速易失
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?834次閱讀

    國產新突破!江波龍車規(guī) LPDDR4x與車規(guī)eMMC重磅發(fā)布,定義存儲新標桿

    4月23日,在上海車展上,江波龍召開了新品發(fā)布會,亮相了多款創(chuàng)新的車規(guī)存儲產品,包括車規(guī)eMMC全芯定制版和車規(guī)UFS,以及車規(guī)LPDDR4x和車規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 04-24 07:06 ?3269次閱讀
    國產新突破!江波龍車規(guī)<b class='flag-5'>級</b> LPDDR4x與車規(guī)<b class='flag-5'>級</b>eMMC重磅發(fā)布,定義<b class='flag-5'>存儲</b>新標桿

    CPCI 接口反射內存介紹

    反射內存
    的頭像 發(fā)表于 04-21 16:11 ?952次閱讀
    CPCI 接口反射<b class='flag-5'>內存</b>卡<b class='flag-5'>介紹</b>