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開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

我快閉嘴 ? 來源:e-works ? 作者:葉雪榮 陳岑 王一 ? 2020-09-09 13:55 ? 次閱讀
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1 引言

隨著近年來“全電”概念的提出和逐步實(shí)現(xiàn),新一代裝備向全電功率能源系統(tǒng)的轉(zhuǎn)型已成為必然趨勢。隨著系統(tǒng)用電量的大幅提升,對系統(tǒng)電源的性能以及可靠性提出了更高的要求。據(jù)統(tǒng)計,34%的電氣設(shè)備故障是由電源故障引起的。電源作為系統(tǒng)核心部件,其重要性不言而喻。以航空機(jī)載電源為例,一旦故障必將導(dǎo)致機(jī)上控制、通信以及儀表等重要設(shè)備無法工作,不僅直接影響飛機(jī)穩(wěn)定運(yùn)行,甚至?xí)斐蓧嫏C(jī)、爆炸等災(zāi)難性后果。

對于重要設(shè)備的電源,維護(hù)是保障其可靠性的必要手段。傳統(tǒng)的定期維護(hù)方法,耗費(fèi)巨大但仍不能顯著提高可靠性。近年來,美國軍方提出了預(yù)測與健康狀態(tài)管理(PHM,Prognostics and Health Management)以及基于狀態(tài)的智能維護(hù)(CBM,Condition Based Maintenance)技術(shù)。此技術(shù)已在如直升飛機(jī)的動力傳動等機(jī)械結(jié)構(gòu)的維護(hù)中得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展,將基于狀態(tài)的智能維護(hù)思想引入電源領(lǐng)域十分必要。而智能維護(hù)思想的實(shí)現(xiàn),首先需要準(zhǔn)確獲得電源的健康狀態(tài)。

目前,國內(nèi)外對于電源設(shè)備PHM的研究主要集中在關(guān)鍵元器件的故障預(yù)測上。基于元器件失效機(jī)理,結(jié)合相應(yīng)的加速退化手段,監(jiān)測元器件的敏感退化參數(shù),并利用預(yù)測算法進(jìn)行預(yù)測。如有學(xué)者分別對MOSFET閾值電壓和導(dǎo)通電阻進(jìn)行了監(jiān)測,并利用粒子濾波、高斯回歸等算法進(jìn)行了剩余壽命預(yù)測研究。類似針對于元器件本體的監(jiān)測與預(yù)測方法,很難適用于系統(tǒng)級的PHM研究。如MOSFET在某一電源系統(tǒng)中時,其閾值電壓無法在線測得。另有學(xué)者提出了綜合考慮多個器件退化情況,通過提取能反映電源整體退化的故障特征參數(shù),利用灰色模型、最小二乘支持向量機(jī)等方法進(jìn)行退化預(yù)測研究。但相關(guān)研究中固定了工作條件狀態(tài),無法實(shí)現(xiàn)不同組合應(yīng)力作用下的預(yù)測和維護(hù)。本文基于EDA仿真技術(shù),人為注入退化故障,以此開展電源健康狀態(tài)評估方法的研究。首先建立電源Pspice仿真模型,并通過試驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證及修正;然后確定關(guān)鍵元器件及其退化模型;根據(jù)主要應(yīng)力剖面設(shè)計仿真方案,得到未退化及故障(退化)注入后的仿真結(jié)果,由此構(gòu)建電源健康特征數(shù)據(jù)庫;最后將待評估電源的輸出數(shù)據(jù)與特征數(shù)據(jù)庫進(jìn)行距離比對,從而實(shí)現(xiàn)對其實(shí)際健康狀態(tài)的評估。實(shí)例應(yīng)用結(jié)果表明,本文方法有效可用。

1 開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證

開關(guān)電源的仿真建??捎蒔spice,Saber等EDA軟件實(shí)現(xiàn)。建模時,大部分的元器件可從模型庫獲得,其精度能滿足要求。但對于變壓器以及鋁電解電容等特殊器件,采用仿真軟件所提供的理想模型往往仿真結(jié)果欠佳。

1.1 變壓器模型的建立

利用Pspice提供的TransformerDesigner建立變壓器模型,必須已知骨架結(jié)構(gòu)、磁芯材料、氣隙大小、絕緣材料等相關(guān)參數(shù),一般設(shè)計者很難準(zhǔn)確獲得。本文采用等效電路方法進(jìn)行了變壓器仿真建模??紤]了寄生電感、鐵心損耗以及繞組損耗后的變壓器模型如圖1所示。

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖1 變壓器等效電路仿真模型

可通過高頻網(wǎng)絡(luò)分析儀、高精度萬用表等測量、計算得到圖1等效電路中的各參數(shù)值。將變壓器副邊線圈短接,測得原邊線圈電感即為原邊漏感Ll1,同理可測副邊漏感Ll2;將副邊線圈開路,測得原邊電感即為勵磁電感Lmp。原副線圈具有一定的直流電阻Rdc1,Rdc2,而變壓器工作在高頻狀態(tài)時,由于集膚效應(yīng)會使其交流阻Rac抗大于直流阻抗。Rac/Rdc與電流頻率、線圈直徑以及溫度等因素相關(guān),圓銅線在20℃,f=100KHZ時,Rac/Rdc=1.7。直流電阻可利用萬用表直接測得,并由此估算原副線圈交流電阻Rac1,Rac2。

1.2 鋁電解電容模型的建立

鋁電解電容作為電源退化過程中的典型退化器件之一,其仿真模型不能用簡單的容值代替。根據(jù)鋁電解電容器的物理結(jié)構(gòu),構(gòu)造其等效電路如圖2所示。

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖2 鋁電解電容等效電路

圖中,Ls為引線電感,Rsp為介質(zhì)損耗電阻,Rp表示電解液及襯墊紙歐姆電阻,二極管D等效氧化膜介質(zhì)的PN結(jié)效應(yīng)。

1.3 開關(guān)電源的仿真模型及驗(yàn)證

本文所建立的某開關(guān)電源仿真模型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖3所示。

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖3 仿真模型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

為驗(yàn)證模型準(zhǔn)確性,需要將仿真模型關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)波形與實(shí)測波形進(jìn)行比對。開關(guān)管的占空比以及開關(guān)頻率是電源系統(tǒng)中重要的參數(shù),而二極管反向擊穿電壓等級以及開關(guān)速度同樣會影響電源性能。由此選擇MOSFET驅(qū)動波形、柵源電壓波形以及二極管導(dǎo)通壓降波形進(jìn)行對比,如圖4~6所示。

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖4 開關(guān)管驅(qū)動波形對比

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖5 開關(guān)管漏源電壓波形對比

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

圖6 二極管導(dǎo)通壓降對比

仿真模型的波形與實(shí)測波形相比,存在一定的開關(guān)振蕩,分析發(fā)現(xiàn)這是由于仿真算法的收斂性導(dǎo)致的,但對于本文的方法研究不會產(chǎn)生影響。同時可以看出在開關(guān)頻率方面存在一定的誤差,這是由于系統(tǒng)中使用的PWM芯片的固定頻率值與理想模型的誤差導(dǎo)致的,仿真頻率與實(shí)測頻率分別為62.5KHZ和60.6KHZ,誤差為3.1%。此外開關(guān)管驅(qū)動電壓的仿真值和實(shí)測值分別為9.7V和9.3V,誤差為4.3%。對比結(jié)果表明,所建立的仿真模型計算精度較高,可用于本文的研究。

2 開關(guān)電源輸出特性退化仿真

2.1 開關(guān)電源主要元器件退化模型

開關(guān)電源中,電解電容的性能和指標(biāo)直接影響著整個系統(tǒng)的性能。應(yīng)用情況表明,電容器發(fā)生故障的概率在整個電力電子系統(tǒng)中最高。而采樣電阻作為開關(guān)電源反饋控制的重要元器件,也對開關(guān)電源的輸出性能等起到了重要的影響。此外,MOSFET作為電源中的核心器件,其性能退化對整個系統(tǒng)的性能與可靠性有著重要的影響。

2.1.1 鋁電解電容退化模型

通過對電解電容器退化機(jī)理的分析發(fā)現(xiàn),其內(nèi)部物理、化學(xué)反應(yīng)引起的最顯著退化是電解液的損失和等效串聯(lián)電阻ESR的增大。其退化模型可表示為:


開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

式中:C0為C的初值;ESR0為ESR的初值;t為時間;β為各自的退化系數(shù)。

2.1.2 電阻器件的退化模型

電阻的退化模型在不考慮初值的分散性且工作環(huán)境確定的條件下可以簡化描述為:

開關(guān)電源Pspice建模及驗(yàn)證分析

其中:t為時間;β為定義的退化系數(shù);R0為電阻初值。

2.1.3 MOSFET的退化模型

MOSFET參數(shù)退化的直接原因是柵極氧化層通道遭到破壞。實(shí)驗(yàn)表明MOSFET的退化會導(dǎo)致跨導(dǎo)降低、閾值電壓上升以及導(dǎo)通電阻的降低。其中閾值電壓的變化最為明顯,其變化會導(dǎo)致開通時間增長,從而導(dǎo)致功耗增加、溫升增大,更嚴(yán)重的退化甚至?xí)苯咏档拖到y(tǒng)的工作頻率。

閾值電壓的退化模型可以利用有效界面缺陷態(tài)密度△NIT進(jìn)行描述。此模型在MOSFET器件加速壽命退化試驗(yàn)中得到了很好的驗(yàn)證。將△NIT近似用時間的對數(shù)替代,則模型簡化為Vth(t)=Vth(0)+eβ-1。

2.1.4 非典型器件模型

除上述3類重要器件的退化模型,退化過程還需要考慮變壓器勵磁電感以及非鋁電解電容,其退化模型可簡化為:


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2.1.5 元器件退化模型參數(shù)

參考已有研究結(jié)果,結(jié)合相關(guān)測試與分析,確定了本文主要器件的退化參數(shù),如表1所示。

表1 退化器件參數(shù)


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2.2 仿真方案的試驗(yàn)設(shè)計

已有研究表明,電源所承受應(yīng)力如溫度、輸入電壓、負(fù)載電阻等,對其性能有著重要的影響。要準(zhǔn)確評估電源健康狀態(tài),理論上必須制備所有應(yīng)力組合情況下的電源狀態(tài)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)庫。而多應(yīng)力、多水平值全組合帶來的仿真工作量十分巨大,因此,本文提出采用試驗(yàn)設(shè)計的方法,以完成標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)庫的建立。某開關(guān)電源技術(shù)參數(shù)如下:等效直流輸入電壓范圍380~420V,負(fù)載范圍165~245Ω,環(huán)境溫度-20~60℃,額定輸出電流為恒流710mA。結(jié)合該電源實(shí)際工作狀況,將輸入電壓、負(fù)載電阻以及環(huán)境溫度確定為3個應(yīng)力因素,在各自的波動范圍內(nèi)取5個水平值,采用L2553正交表設(shè)計仿真方案(如表2~3所示)。

即便是采用試驗(yàn)設(shè)計,構(gòu)建特征數(shù)據(jù)庫的仿真工作量仍然很大。本文利用Autoit對Pspice進(jìn)行了二次開發(fā)(圖7),使其可自動修改參數(shù)并循環(huán)運(yùn)行,顯著縮短了數(shù)據(jù)庫的制備周期。

表2 試驗(yàn)設(shè)計方案


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表3 應(yīng)力組合


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圖7 Pspice二次開發(fā)流程圖

3 健康狀態(tài)評估方法

本文提出的健康狀態(tài)評估方案如圖8所示。


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圖8 評估方案流程圖

3.1 特征量選取

本例中,經(jīng)過大量數(shù)據(jù)分析后發(fā)現(xiàn),輸出電流、電壓紋波隨系統(tǒng)的整體退化呈現(xiàn)出最為明顯的變化趨勢。由此說明,輸出電流(圖9)以及電壓紋波(圖10)在本例中可以很好的表征系統(tǒng)退化程度即電源的健康狀態(tài),故選為退化特征量。


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圖9 25組不同應(yīng)力條件下的輸出電流退化趨勢


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圖10 25組不同應(yīng)力條件下的輸出電壓紋波變化趨勢

3.2 健康狀態(tài)建模

特征量一方面受退化程度的影響,另一方面也受環(huán)境應(yīng)力變化而產(chǎn)生偏移,如溫度上升將導(dǎo)致采樣電阻的漂移,使得穩(wěn)定工作點(diǎn)隨之漂移;恒流電路中的負(fù)載變化也將對輸出紋波產(chǎn)生直接影響。本例利用正交試驗(yàn)構(gòu)建一階響應(yīng)面模型,用最小二乘法對此多元函數(shù)進(jìn)行擬合。由于不同的退化狀態(tài)下的應(yīng)力響應(yīng)面存在差異但結(jié)構(gòu)相似,因此可以利用不同響應(yīng)面下的相同應(yīng)力狀態(tài)點(diǎn)的對比評估待測系統(tǒng)當(dāng)前的狀態(tài)。為避免數(shù)據(jù)的量級不同對擬合效果產(chǎn)生影響,應(yīng)首先對數(shù)據(jù)進(jìn)行平移-極差變換處理。擬合后分別得到輸出電流及電壓紋波與環(huán)境應(yīng)力的函數(shù)關(guān)系:


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其中:Vin,RL,T分別對應(yīng)于環(huán)境應(yīng)力中的輸入電壓、負(fù)載以及溫度應(yīng)力。結(jié)果表明,運(yùn)行時間對輸出電流和電壓紋波影響程度最大,而溫度和負(fù)載變化也會分別對輸出電流和電壓紋波產(chǎn)生一定影響。

為方便研究,選取應(yīng)力組合1作為基準(zhǔn)應(yīng)力狀態(tài)點(diǎn)。表4給出不同健康狀態(tài)下基準(zhǔn)狀態(tài)點(diǎn)的輸出響應(yīng)參數(shù),即基準(zhǔn)健康狀態(tài)。

表4 基準(zhǔn)健康狀態(tài)表


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3.3 評估實(shí)例

利用響應(yīng)面模型和原始待測狀態(tài)參數(shù),找到待測狀態(tài)在固定狀態(tài)點(diǎn)處的參數(shù)。將其與標(biāo)準(zhǔn)健康狀態(tài)表進(jìn)行距離比對,確定近似狀態(tài)。根據(jù)電源的應(yīng)用背景,我們規(guī)定電源健康狀態(tài)與各特征量關(guān)系如表5。表6,7所示為5組待測電源系統(tǒng)的健康狀態(tài)評估結(jié)果。

表5 健康狀態(tài)與特征量對應(yīng)表

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表6 待測組監(jiān)測參數(shù)

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表7 測試電源健康狀態(tài)評估結(jié)果

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表7中分別給出歸算至基準(zhǔn)態(tài)后的電流及電壓紋波值,對應(yīng)表3即可評估待測電源輸出特性的退化程度。而基于文中所建立的健康狀態(tài)評估模型,可得電源運(yùn)行時間的評估結(jié)果。五組評估結(jié)果與實(shí)際運(yùn)行時間的誤差分別為2.52%,2.444%,3.332%,7.315%以及0.359%。第4組誤差較另外幾組較大,其原因?yàn)樨?fù)載65Ω(見表6)偏離應(yīng)力設(shè)定范圍(165~245Ω)程度過大,出現(xiàn)了超出應(yīng)力響應(yīng)面的情況。

4 結(jié)論

開關(guān)電源作為電氣設(shè)備的核心部件,其健康狀態(tài)直接影響著整個系統(tǒng)的性能和可靠性。本文提出了一種新的基于EDA技術(shù)的開關(guān)電源健康狀態(tài)評估方法。

(1)通過對變壓器、鋁電解電容等關(guān)鍵元器件的特殊建模處理,建立了仿真精度較高的開關(guān)電源仿真模型。其中頻率仿真誤差為3.1%,開關(guān)管驅(qū)動波形幅值誤差為4.3%。

(2)基于試驗(yàn)設(shè)計和Pspice軟件的二次開發(fā),通過對定量注入退化的仿真模型進(jìn)行仿真及數(shù)據(jù)處理,建立了可體現(xiàn)不同退化階段電源特征的標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)庫。在此基礎(chǔ)上,通過健康狀態(tài)評估建模,可實(shí)現(xiàn)任意應(yīng)力組合作用下開關(guān)電源的健康狀態(tài)評估。

(3)本文的研究工作,不僅可為開關(guān)電源PHM研究提供通用性平臺,相關(guān)方法亦可推廣應(yīng)用于其他電子系統(tǒng)的預(yù)測與健康管理研究中。
責(zé)任編輯:tzh

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    本文檔主要介紹開關(guān)電源設(shè)計與維修。內(nèi)容包括開關(guān)電源的基本電路,開關(guān)電源集成控制器,新型開關(guān)電源電路設(shè)計,開關(guān)電源主控元器件,
    發(fā)表于 04-17 15:36

    揭秘:低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計過程

    揭秘:低壓大電流開關(guān)電源的設(shè)計過程摘要:本文簡要介紹了有源箱位同步整流正激變換器的原理及主要參數(shù)的設(shè)計方法,給出了具體的設(shè)計公式和樣機(jī)結(jié)果。經(jīng)理論分析及樣機(jī)驗(yàn)證,證明了有源籍位同步整流正激變
    發(fā)表于 03-25 13:49

    每周推薦!開關(guān)電源電路原理圖、電機(jī)控制等資料集合

    仿真工具 SIMULINK 對系統(tǒng)建模,并進(jìn)行了仿真,還對仿真結(jié)果進(jìn)行了分析。 5、電源基礎(chǔ)電路原理圖集合!免費(fèi)下載! 本資料搜集了穩(wěn)壓電源、DCDC 轉(zhuǎn)換
    發(fā)表于 03-21 17:32

    電源經(jīng)典文檔-精通開關(guān)電源設(shè)計

    本文檔基于作者多年從事開關(guān)電源設(shè)計的經(jīng)驗(yàn),從分析開關(guān)變換器最基本器件:電感的原理入手,由淺入深系統(tǒng)地論述了寬輸入電壓DC-DC變換器(含離線式正、反激電源)及其磁件設(shè)計、MOSFET導(dǎo)
    發(fā)表于 03-17 14:15

    開關(guān)電源的基本工作原理

    ;如果從用 途上來分,還可以分成更多種類。 下面我們先對串聯(lián)式、并聯(lián)式、變壓器式等三種最基本的開關(guān)電源工作原理進(jìn)行簡單介紹,其它種類的開關(guān)電源也將逐步進(jìn)行詳細(xì)分析。 串聯(lián)式開關(guān)電源
    發(fā)表于 03-10 17:01

    開關(guān)電源的EMC設(shè)計

    開關(guān)電源因體積小、功率因數(shù)較大等優(yōu)點(diǎn),在通信、控制、計算機(jī)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。但由于會產(chǎn)生電磁干擾,其進(jìn)一步的應(yīng)用受到一定程度上的限制。本文將分析開關(guān)電源電磁干擾的各種產(chǎn)生機(jī)理,并在其基礎(chǔ)之上,提出
    發(fā)表于 03-03 16:02

    PWM開關(guān)電源電路分析

    正負(fù)12伏電流模式控制PWM開 關(guān)電源的研究目錄第一章緒論 第二章開關(guān)電源基礎(chǔ) 第三章單端反激式開關(guān)電源設(shè)計 第四章模塊及控制電路設(shè)計第五章整體電路設(shè)計 1.1 課題背景電源是什么?將
    發(fā)表于 02-26 14:56