Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1.8V至3.6V）。在使用SPI-MRAM替換SPI-FRAM之前，有幾個參數(shù)需要進行一些系統(tǒng)級分析，包括輸出負載，啟動時間以及加電和斷電斜坡。

比較的可靠性考慮

CY15B104QN FRAM架構采用鐵電材料作為存儲設備。這些材料的固有電偶極子在外部電場的作用下轉換為相反的極性。FRAM中的讀取操作具有破壞性，因為它需要切換極化狀態(tài)才能感知其狀態(tài)。在初始讀取之后，讀取操作必須將極化恢復到其原始狀態(tài)，這會增加讀取操作的周期時間。FRAM的讀和寫周期需要一個初始的“預充電”時間，這可能會增加初始訪問時間。超過85°C的環(huán)境工作溫度會加速FRAM的磨損，因為會積聚自由電荷，從而導致烙印。

Everspin MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。MR2xH40xDF MRAM使用更簡單的1晶體管1磁性隧道結單元構建。簡單的Everspin MRAM單元可提高制造效率并提高可靠性。MRAM使用磁性隧道結技術進行非易失性存儲。在高溫下，數(shù)據(jù)不會泄漏出去，并且沒有磨損機制可以限制該技術中的讀取，寫入或電源循環(huán)次數(shù)。觸發(fā)MRAM可靠性的另一個重要方面是針對熱感應磁化翻轉產(chǎn)生的錯誤保留數(shù)據(jù)。進行了加速烘烤測試，其中在烘烤之前將棋盤格圖案寫入零件，然后再讀取數(shù)據(jù)。在150°C下的2000h至260°C下的2h的條件下烘烤了三批中的1500個代表性4-Mb零件，并且所有零件的數(shù)據(jù)保留翻轉均為零。外推回工作溫度表明數(shù)據(jù)保留壽命超過20年。由于磁性材料固有的堅固耐用性，MRAM還具有抗輻射性能.4-Mb模具的α粒子和中子輻照顯示錯誤率小于0.5FIT/Mb。

MRAM磁公差

Everspin Technologies的SPI MRAM在磁場環(huán)境中操作時，對數(shù)據(jù)損壞的敏感性較低，因此可幫助工程師設計高抗磁性能的可靠系統(tǒng)。在寫，讀和待機操作期間，可施加到SPI MRAM的最大外部磁場為12000A/m（150高斯）。Everspin Technologies提供有關在這種情況下如何操作MRAM的特定指南。