本期分享的科研成果來自南京大學-浙江大學聯合研制的新型能谷晶體管器件，該器件可以在完全不加電壓的情況下工作，在非常低的電流下也能夠實現很大的輸出信號的調控。如此神奇的固態(tài)量子器件究竟如何工作？請隨小編一探究竟！

研究背景

集成電路沿摩爾定律發(fā)展近50年，目前已走到5nm工藝節(jié)點，發(fā)展已經減緩，其核心障礙之一是，只要有電流流過，產生焦耳熱，功耗的極限值就不可避免。集成電路器件主要依賴電荷實現對信息的表達、存儲、傳輸和處理，降低集成電路功耗的一條理想思路是，用其他量子自由度，替代以前的電荷來表達信息，在計算中極大減小或消除電信號產生的焦耳熱，在更小空間中計算更多的“0”和“1”。能谷便是一種可能的解，那么何為“能谷”呢？

學界很早便在實驗中發(fā)現，“能谷”作為半導體材料能量-動量色散關系中的極值點，其量子指標“能谷自旋”可以像電荷或電子自旋等自由度一樣表達信息，通過能谷自旋可以實現超過現有電荷或自旋控制技術的信息存儲能力。但由于能谷很難通過外場操控，目前很難利用能谷自旋制作相應的能谷晶體管器件。該領域的探索與研究則被稱為能谷電子學（valleytronics）。

南京大學電子科學與工程學院的王肖沐、施毅課題組與浙江大學的徐楊課題組以及北京計算科學研究中心共同合作，研制出一種新型能谷晶體管，可在室溫下實現能谷自旋流產生、傳輸、探測和調控等全信息處理功能。該成果以“室溫下的能谷電子晶體管”（Room-temperature valleytronic transistor）為題發(fā)表在《自然-納米技術》（Nature Nanotechnology）雜志，博士生李泠霏和北京計算科學研究中心邵磊為文章的共同第一作者, 南京大學電子科學與工程學院王肖沐教授和浙江大學信息與電子工程學院徐楊教授為該論文的共同通訊作者。

基本特性

聯合研發(fā)團隊利用不對稱等離激元納米天線中的光學手性，實現電磁場與過渡金屬硫族化合物中能谷自旋的可控相互作用，并結合材料中的手性貝瑞曲率，在器件級別上實現了谷信息的產生、傳輸、探測和開關操作。

能谷自旋晶體管對能谷信息的注入、傳輸和探測過程進行了優(yōu)化和改進，使得能谷信息流得以在零偏置電壓下獨立于電流進行傳輸和調控，實現在完全不加電壓的情況下工作，在非常低的電流下也能夠實現很大的輸出信號的調控。

制備與測試

器件由過渡金屬硫族化合物二硫化鉬溝道，新月形不對稱金納米天線和四個金電極組成，制作在硅/二氧化硅襯底上（見下方示意圖），插圖說明了在源極和漏極處光場在二硫化鉬中選擇性注入不同能谷自旋流的過程，以及硅背柵對能谷自旋流的開關作用，產生的能谷自旋流通過能谷霍爾效應，被橫向的霍爾電極讀出，產生輸出信號。

圖(a)能谷晶體管結構示意圖和工作原理；

圖(b) 能谷自旋流在二硫化鉬中產生的具體原理；

圖(c)典型能谷晶體管的光學圖像

圖（a)能谷自旋晶體管的掃描霍爾電壓圖像。1550nm的激光作為"能谷自旋激發(fā)源"在一個典型的能谷自旋晶體管上掃描，并記錄該位置的能谷霍爾輸出電壓。當激光位于源或漏電極時，產生相反的能谷霍爾輸出信號。

圖(b)能谷霍爾輸出電壓隨偏置電壓的輸出曲線。

圖(c)能谷輸出霍爾電壓隨硫化鉬溝道電流的變化，可以看到能谷自旋流與電流無關。

圖(d)能谷晶體管的轉移特性曲線。僅靠光場激發(fā)，能谷晶體管的輸出電壓可以通過柵壓實現開關操作。由于無偏置電壓，溝道電流非常小，整個器件展示出了極低的功耗。

應用前景

上述研究成果有望通過類似于CMOS集成電路的構造方式集成形成特定邏輯功能的超低功耗能谷晶體管集成電路。由于該研究首次提出了一種室溫下工作的能谷自旋的基本單元器件，這為后摩爾時代的固態(tài)量子器件的發(fā)展奠定了基礎。不過小編認為，要實現具有實用價值的能谷晶體管的量產，還需要克服許多障礙，本項成果更多是展示了能谷信息器件應用于未來集成電路的一種可能的形態(tài)，具體市場化應用還需要很多年的持續(xù)探索。

原文標題：科研前線 |南京大學科研團隊成功研制新型能谷晶體管器件

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責任編輯：haq