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比亞迪半導(dǎo)體和斯達(dá)半導(dǎo)體為國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT的發(fā)展增添實(shí)力

lhl545545 ? 來(lái)源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2020-09-27 11:27 ? 次閱讀
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日前,國(guó)家發(fā)改委網(wǎng)站發(fā)布了《關(guān)于擴(kuò)大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資培育壯大新增長(zhǎng)點(diǎn)增長(zhǎng)極的指導(dǎo)意見(jiàn)》。

在總體規(guī)劃中,該指導(dǎo)意見(jiàn)指出,要聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。著力揚(yáng)優(yōu)勢(shì)、補(bǔ)短板、強(qiáng)弱項(xiàng),加快適應(yīng)、引領(lǐng)、創(chuàng)造新需求,推動(dòng)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域形成規(guī)模效應(yīng)。同時(shí)也要打造集聚發(fā)展高地。充分發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集群要素資源集聚、產(chǎn)業(yè)協(xié)同高效、產(chǎn)業(yè)生態(tài)完備等優(yōu)勢(shì),利用好自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)、自由貿(mào)易港等開(kāi)放平臺(tái),促進(jìn)形成新的區(qū)域增長(zhǎng)極。

在聚焦重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)投資領(lǐng)域中,該指導(dǎo)意見(jiàn)也涉及了不少有關(guān)于半導(dǎo)體領(lǐng)域的內(nèi)容。

其中,加快新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提質(zhì)增效方面,指出了需要加快基礎(chǔ)材料、關(guān)鍵芯片、高端元器件、新型顯示器件、關(guān)鍵軟件等核心技術(shù)攻關(guān),大力推動(dòng)重點(diǎn)工程和重大項(xiàng)目建設(shè),積極擴(kuò)大合理有效投資。穩(wěn)步推進(jìn)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、區(qū)塊鏈等技術(shù)集成創(chuàng)新和融合應(yīng)用。

在加快新材料產(chǎn)業(yè)強(qiáng)弱項(xiàng)、加快新能源產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā)展方面,又分別強(qiáng)調(diào)了將圍繞微電子制造等加快在光刻膠、高純靶材、大尺寸硅片、電子封裝材料等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破。聚焦新能源裝備制造“卡脖子”問(wèn)題,加快IGBT等核心技術(shù)部件研發(fā)。

國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀

指導(dǎo)意見(jiàn)中所指出的重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)投資領(lǐng)域,國(guó)產(chǎn)實(shí)力究竟如何?

在光刻膠領(lǐng)域,我國(guó)在面板屏顯光刻膠方面,已具備一定競(jìng)爭(zhēng)力,中國(guó)的大部分光刻膠企業(yè)均涉及面板屏顯領(lǐng)域。但中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)水平離國(guó)際先進(jìn)水平差距較大。據(jù)國(guó)元證券報(bào)道顯示,中國(guó)光刻膠市場(chǎng)基本由外資企業(yè)占據(jù),國(guó)內(nèi)企業(yè)市場(chǎng)份額不足40%,尤其是高分辨率的KrF和Ar光刻膠,其核心技術(shù)基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷。根據(jù)中國(guó)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)的分析顯示,適用于6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,適用于8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,而適用于12寸硅片的ArF光刻膠完全依靠進(jìn)口。

在2000年之后,我國(guó)陸續(xù)出臺(tái)了多個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策,這其中也有不少涉及到了光刻膠的發(fā)展。在這以后的20年時(shí)間中,國(guó)產(chǎn)光刻膠也有了一定的進(jìn)步。據(jù)國(guó)元證券的調(diào)研報(bào)告顯示,從國(guó)內(nèi)整體來(lái)看,目前市場(chǎng)主流的四種中高端光刻膠:g線、i線、KrF、ArF,我國(guó)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了g/i 線的量產(chǎn),并將逐步提升供貨量;KrF 已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證,但還處于攻堅(jiān)階段;ArF光刻膠樂(lè)觀預(yù)計(jì)在2020年能有效突破并完成認(rèn)證。

具體來(lái)看,科華微電子已經(jīng)掌握了g線正膠、i線正膠、KrF(248nm)深紫外光刻膠及配套試劑,目前正在從事ArF(193nm)深紫外光刻膠的研發(fā),但KrF尚未形成有規(guī)模的量產(chǎn)供應(yīng),與國(guó)際品牌差距依舊明顯。晶瑞股份已經(jīng)掌握 g 線正膠、i 線正膠和環(huán)化橡膠負(fù)膠, KrF(248nm)深紫外光刻膠還處在研發(fā)階段。

但國(guó)元證券的報(bào)告中也指出,在最新的EUV和E-beam光刻膠方面,現(xiàn)在國(guó)內(nèi)還不具備條件也沒(méi)有這方面研發(fā)能力,量產(chǎn)更是遙遙無(wú)期。國(guó)產(chǎn)光刻膠高端技術(shù)短期內(nèi)尚難突破,還要很長(zhǎng)的路要走。

硅片是集成電路發(fā)展的基石之一。在這方面國(guó)產(chǎn)硅片的實(shí)際情況又是怎樣的?據(jù)東莞證券的調(diào)研報(bào)告顯示,在小尺寸硅片方面,我國(guó)能大規(guī)模生產(chǎn) 4-6 英寸硅片,基 本滿足國(guó)內(nèi)需求。但大硅片(8、12 英寸)方面則存在較大缺口。雖然8英寸硅片我國(guó)能自主進(jìn)行生產(chǎn),但仍不能滿足下游生產(chǎn)需求;而 12 英寸硅片則幾乎依賴于進(jìn)口。在這種情況下,發(fā)展大硅片也成為了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個(gè)重點(diǎn)。

在大尺寸硅片方面,我國(guó)正積極邁向8英寸與12英寸硅片生產(chǎn),多項(xiàng)重大投資正在啟動(dòng)中。據(jù)芯思想2019年的報(bào)告顯示,包括上海新昇、超硅半導(dǎo)體、中環(huán)半導(dǎo)體以及立昂微等多家企業(yè)在內(nèi),目前宣布的12英寸硅片項(xiàng)目多達(dá)20個(gè),根據(jù)各家公司公布情況來(lái)看,總投資金額超過(guò)1400億,12英寸硅片總規(guī)劃月產(chǎn)能到2023年前后合計(jì)超過(guò)650萬(wàn)片。如果加上天芯硅片、中芯環(huán)球、濟(jì)南項(xiàng)目,12英寸硅片總規(guī)劃月產(chǎn)能將可能高達(dá)800萬(wàn)片,約是2018年全球12英寸硅片月需求的2倍。

另外一方面,IGBT也是目前我國(guó)本土半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)力的一個(gè)重點(diǎn)。尤其是隨著新能源汽車(chē)的快速發(fā)展,IGBT 也迎來(lái)了爆發(fā)。我國(guó)是車(chē)規(guī)級(jí) IGBT 的主要市場(chǎng)之一,約占全球市場(chǎng)份額超過(guò)30%。但這塊市場(chǎng)一直是我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的空白,直到近幾年才得到重視。

IGBT芯片國(guó)產(chǎn)替代有巨大的需求空間,國(guó)內(nèi)有不少?gòu)S商已經(jīng)參與布局。目前,國(guó)內(nèi)在車(chē)規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈布局較完善的企業(yè)有比亞迪半導(dǎo)體、斯達(dá)半導(dǎo)、中車(chē)時(shí)代電氣等。據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)觀察此前的報(bào)道顯示,今年4月底,比亞迪IGBT項(xiàng)目已在長(zhǎng)沙開(kāi)工建設(shè),該項(xiàng)目建成后可年產(chǎn)25萬(wàn)片8英寸新能源汽車(chē)電子芯,可滿足年裝車(chē)50萬(wàn)輛的產(chǎn)能需求。此外,其他廠商也在加快IGBT的產(chǎn)能建設(shè),斯達(dá)半導(dǎo)新能源汽車(chē)用IGBT模塊擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)后可年產(chǎn)120萬(wàn)個(gè)新能源汽車(chē)用IGBT模塊;中車(chē)時(shí)代電氣計(jì)劃在今年量產(chǎn)第6代IGBT技術(shù)IGBT,其8英寸IGBT生產(chǎn)線可年產(chǎn)24萬(wàn)片。

被歐美日壟斷的市場(chǎng)

誠(chéng)如上文所述,本土企業(yè)在光刻膠、大硅片以及IGBT等領(lǐng)域的發(fā)展才剛剛開(kāi)始起步。而目前這些領(lǐng)域的主要市場(chǎng)份額又都是被哪些企業(yè)所占據(jù)著?

具體來(lái)看,據(jù)浙商證券的調(diào)研報(bào)告顯示,光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘,因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長(zhǎng)年被日本和美國(guó)專業(yè)公司壟斷。目前前五大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,行業(yè)集中度高。其中,日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達(dá)到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠核心技術(shù)亦基本被日本和美國(guó)企業(yè)所壟斷,產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國(guó)公司,如杜邦、JSR 株式會(huì)社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國(guó)東進(jìn)等企業(yè)。整個(gè)光刻膠市場(chǎng)格局來(lái)看,日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。

高純靶材市場(chǎng)同樣也是個(gè)寡頭市場(chǎng)。目前,全球的靶材制造行業(yè),特別是高純度的靶材市場(chǎng),呈現(xiàn)寡頭壟斷格局,主要由幾家美日大企業(yè)把持著,如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科,以及美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯等。根據(jù)有研新材公告數(shù)據(jù)估算,日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商,靶材銷(xiāo)售額約占全球市場(chǎng)的30%,霍尼韋爾在并購(gòu)Johnson Mattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后,占到全球市約20%的份額,此外,東曹和普萊克斯分別占20%和10%。

在大尺寸硅片方面,從全球范圍來(lái)看,大尺寸硅片的產(chǎn)能和市場(chǎng)基本已被日、德、韓和中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)所壟斷。以12英寸硅片市場(chǎng)為例,同半導(dǎo)體硅片的整體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局基本保持一致,但信越、盛高、環(huán)球晶圓、Silitronic和LG這五大供應(yīng)商的市場(chǎng)份額更高,達(dá)到了98%;而中國(guó)臺(tái)灣的環(huán)球晶圓市場(chǎng)份額有所降低。

IGBT模塊在新能源汽車(chē)領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,被廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制器、車(chē)載空調(diào)、充電樁等設(shè)備。同樣,IGBT模塊也是新能源汽車(chē)電機(jī)控制系統(tǒng)中負(fù)責(zé)能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵墓β拾雽?dǎo)體器件。從目前來(lái)看,國(guó)外廠商已研發(fā)出完善的 IGBT 產(chǎn)品系列。全球 IGBT 市場(chǎng)主要競(jìng)爭(zhēng)者包括德國(guó)英飛凌、日本三菱、富士電機(jī)、美國(guó)安森美、瑞士 ABB 等,前五大企業(yè)的市場(chǎng)份額超過(guò) 70%。

奮力追趕的本土廠商

近幾年中,在市場(chǎng)需求以及國(guó)家政策的鼓勵(lì)下,這些領(lǐng)域雖然被寡頭把持,但也有不少本土企業(yè)圖謀在這些半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行發(fā)展。

在今年當(dāng)中,我們也看到有不少企業(yè)開(kāi)始進(jìn)軍光刻膠領(lǐng)域。這其中就包括雅克科技擬募資12億投入光刻膠等材料研發(fā)。除此之外,八億時(shí)空也曾于日前發(fā)布公告稱,公司擬使用1億元超募資金投資設(shè)立全資子公司“上海八億時(shí)空先進(jìn)材料有限公司”(暫定名),由該公司投資建設(shè)研發(fā)平臺(tái),實(shí)施“先進(jìn)材料研發(fā)項(xiàng)目”。其先進(jìn)材料研發(fā)項(xiàng)目就包含了光刻膠方面。據(jù)悉,其重點(diǎn)研發(fā)平板顯示用光刻膠、5G分子天線用光刻膠及半導(dǎo)體用光刻膠。

在大硅片領(lǐng)域,得益于CIS、存儲(chǔ)等對(duì)8英寸硅片的需求,許多國(guó)產(chǎn)硅片廠商也有了擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃。除此之外,12英寸也是今年上市企業(yè)的重要布局方向之一。具體來(lái)看,滬硅產(chǎn)業(yè)于2020 年4月IPO上市,其公告顯示,公司擬投資22億用于擴(kuò)產(chǎn)15萬(wàn)片/月的12 寸大硅片;中環(huán)股份定增 50 億加碼8英寸、12 英寸半導(dǎo)體硅片;神工股份IP上市擬投9億用于建設(shè)8寸拋光片;此外有研、金瑞泓等國(guó)內(nèi)主要硅片制造商均有大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

2020上半年,國(guó)內(nèi)廠商IGBT布局動(dòng)作頻頻,不少企業(yè)傳來(lái)了IGBT量產(chǎn)供貨的好消息,也有不少新的IGBT項(xiàng)目加速落地。華潤(rùn)微發(fā)布的2020年半年度報(bào)告顯示,公司目前在研項(xiàng)目共13項(xiàng),其中包括IGBT產(chǎn)品設(shè)計(jì)及工藝技術(shù)研發(fā)。今年7月份,華虹半導(dǎo)體宣布,公司將全面發(fā)力與IGBT產(chǎn)品客戶的合作,打造IGBT生態(tài)鏈。目前公司代工的IGBT芯片具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,已加速導(dǎo)入新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、白色智能家電等市場(chǎng),進(jìn)一步豐富IGBT產(chǎn)品線,為公司尋求新業(yè)務(wù)增長(zhǎng)點(diǎn)。

在車(chē)規(guī)級(jí)IGBT領(lǐng)域,除了比亞迪半導(dǎo)體和斯達(dá)半導(dǎo)體等為國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT的發(fā)展增添了一絲活力。利歐股份也在投資理想汽車(chē)之后,充分了解到了IGBT在電動(dòng)車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用的重要性,于是,公司決定投資IGBT項(xiàng)目。

本土半導(dǎo)體企業(yè)在這些領(lǐng)域的發(fā)展才剛剛起步,國(guó)內(nèi)旺盛的市場(chǎng)需求為他們的成長(zhǎng)增添了動(dòng)力。但不可否認(rèn)的是,面對(duì)強(qiáng)大的巨頭企業(yè),這些國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商還有很長(zhǎng)的一段路要走。
責(zé)任編輯:pj

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    2024傳感器大會(huì)分會(huì)場(chǎng)——<b class='flag-5'>車(chē)</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)<b class='flag-5'>發(fā)展</b>大會(huì)成功舉辦

    中國(guó)半導(dǎo)體的鏡鑒之路

    今天非常高興能在這里圍繞我跟蓋添怡女士的一本半導(dǎo)體專業(yè)著作《芯鏡》來(lái)展開(kāi)介紹日本半導(dǎo)體的得失,以及對(duì)咱們中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的啟發(fā)。 一芯片強(qiáng)國(guó)的初、興、盛、衰 首先,大家可以先了解一下日本
    發(fā)表于 11-04 12:00

    新聲半導(dǎo)體多款濾波器獲AEC-Q200車(chē)規(guī)認(rèn)證

    近日,新聲半導(dǎo)體傳來(lái)喜訊,其TC-SAW和BAW系列多款濾波器產(chǎn)品成功通過(guò)了AEC-Q200車(chē)規(guī)認(rèn)證。這一成就不僅彰顯了新聲半導(dǎo)體在濾波器領(lǐng)域的卓越技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 10-16 16:55 ?997次閱讀

    車(chē)規(guī)級(jí)國(guó)產(chǎn)MCU-小華半導(dǎo)體

    政策加持,車(chē)規(guī)級(jí)MCU國(guó)產(chǎn)化率將大幅提升,小華半導(dǎo)體汽車(chē)MCU符合AQC100,ISO 26262和ASPICE標(biāo)準(zhǔn),建立豐富的汽車(chē)MCU開(kāi)
    的頭像 發(fā)表于 09-25 16:49 ?1680次閱讀
    <b class='flag-5'>車(chē)</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>國(guó)產(chǎn)</b>MCU-小華<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>

    基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證

    近日,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 80mΩ碳化硅MOSFETAB2M080120H順利通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證,產(chǎn)品性能和可靠性滿足汽車(chē)電子元器件在極端環(huán)境下的嚴(yán)苛要求
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:20 ?1116次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101<b class='flag-5'>車(chē)</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b>認(rèn)證

    深入剖析車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模組的成本要素

    車(chē)規(guī)級(jí)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車(chē)中的核心功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 08-29 10:57 ?1756次閱讀
    深入剖析<b class='flag-5'>車(chē)</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模組的成本要素

    車(chē)規(guī)級(jí)IGBT模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析

    車(chē)規(guī)級(jí)IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)模組作為新能源汽車(chē)中的核心功率半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 07-22 10:24 ?1034次閱讀
    <b class='flag-5'>車(chē)</b><b class='flag-5'>規(guī)</b><b class='flag-5'>級(jí)</b><b class='flag-5'>IGBT</b>模組:成本背后的復(fù)雜系統(tǒng)解析