臺(tái)積電狂砸440億購(gòu)買55臺(tái)EUV光刻機(jī)，以加快相關(guān)工藝制程發(fā)展
芯片制程已經(jīng)推進(jìn)到了7nm以下，這其中最關(guān)鍵的核心設(shè)備就要數(shù)EUV光刻機(jī)了，目前全世界只有荷蘭ASML（阿斯麥）可以制造。
來(lái)自Digitimes的報(bào)道稱，臺(tái)積電打算在2021年底前購(gòu)置55臺(tái)EUV光刻機(jī)，以加快EUV相關(guān)工藝制程的發(fā)展。
實(shí)際上，當(dāng)前全球一半投入使用的EUV光刻機(jī)都在臺(tái)積電手中，而截止今年二季度結(jié)束，ASML累計(jì)出貨了大概71臺(tái)光刻機(jī)，也就是臺(tái)積電安裝（注意，從獲取零件到校準(zhǔn)機(jī)器使用還需要小半年時(shí)間）了30臺(tái)左右，還有25臺(tái)的缺口。
ASML今年下半年計(jì)劃出貨22臺(tái)光刻機(jī)，明年全年最多50臺(tái)，換言之，臺(tái)積電打算搶下這其中超過(guò)1/3的供貨。
更關(guān)鍵的是，一臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概是1.2億美元（約合8億元人民幣），也就是在2020年底前，臺(tái)積電買EUV機(jī)器就要花超過(guò)440億元人民幣，大約相當(dāng)于臺(tái)積電當(dāng)前兩個(gè)月的總收入了。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5778瀏覽量
173414 -
光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1190瀏覽量
48608 -
EUV
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
613瀏覽量
88135
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
俄羅斯亮劍：公布EUV光刻機(jī)路線圖，挑戰(zhàn)ASML霸主地位？
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）?在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局中，光刻機(jī)被譽(yù)為 “半導(dǎo)體工業(yè)皇冠上的明珠”，而極紫外（EUV）光刻技術(shù)更是先進(jìn)制程芯片制造的核心。長(zhǎng)期以來(lái)，荷蘭 ASML 公
臺(tái)積電引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關(guān)注
在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而，
臺(tái)積電Q2凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
據(jù)臺(tái)積電公布的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在2025年第二季度營(yíng)收達(dá)到9337.9
臺(tái)積電披露:在美國(guó)大虧 在大陸大賺 臺(tái)積電在美投資虧400億臺(tái)幣
根據(jù)臺(tái)積電公布的2024年股東會(huì)年報(bào)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在大陸的南京廠在2024年盈利新臺(tái)幣近260
臺(tái)積電加速美國(guó)先進(jìn)制程落地
近日，臺(tái)積電在美國(guó)舉行了首季董事會(huì)，并對(duì)外透露了其在美國(guó)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)積電董事長(zhǎng)魏哲家在會(huì)上表示
蘋果M5芯片量產(chǎn)，采用臺(tái)積電N3P制程工藝
工藝——N3P。與前代工藝相比，N3P在性能上實(shí)現(xiàn)了約5%的提升，同時(shí)在功耗方面降低了5%至10%。這一顯著的進(jìn)步意味著，搭載M5芯片的設(shè)備將能夠提供更強(qiáng)大的處理能力，同時(shí)擁有更出色的電池續(xù)航能力。 除了制程
光刻機(jī)的分類與原理
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片
臺(tái)積電美國(guó)芯片量產(chǎn)！臺(tái)灣對(duì)先進(jìn)制程放行？
來(lái)源：半導(dǎo)體前線 臺(tái)積電在美國(guó)廠的4nm芯片已經(jīng)開始量產(chǎn)，而中國(guó)臺(tái)灣也有意不再對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程赴
組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)介紹
? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過(guò)程，但精度要求極高
消息稱臺(tái)積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價(jià)，即日起效！
）計(jì)劃從2025年1月起對(duì)3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲，最高漲幅20% 其中，對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技術(shù)訂單漲價(jià)，漲幅在3%到8
臺(tái)積電2025年起調(diào)整工藝定價(jià)策略
近日，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，隨著AI領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)制程與封裝產(chǎn)能的需求日益旺盛，臺(tái)積電計(jì)劃從2025年1月起，針對(duì)其3nm、5nm以及先進(jìn)的CoWoS封裝工藝
臺(tái)積電2nm工藝將量產(chǎn)，蘋果iPhone成首批受益者
近日，據(jù)媒體報(bào)道，半導(dǎo)體領(lǐng)域的制程競(jìng)爭(zhēng)正在愈演愈烈，臺(tái)積電計(jì)劃在明年大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝制程。這
一文看懂光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)及雙工件臺(tái)技術(shù)
，光刻機(jī)作為IC制造裝備中最核心、技術(shù)難度最大的設(shè)備，其重要性日益凸顯。本文將從光刻機(jī)的發(fā)展歷程、結(jié)構(gòu)組成、關(guān)鍵性能參數(shù)以及雙工件臺(tái)技術(shù)展開介紹。 一、
臺(tái)積電計(jì)劃漲價(jià)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求
據(jù)了解，臺(tái)積電已經(jīng)成功獲得英偉達(dá)的同意，計(jì)劃在明年對(duì)其產(chǎn)品和服務(wù)進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。針對(duì)3nm制程，其價(jià)格預(yù)計(jì)將有最多5%的上漲，而CoWoS封裝工藝
今日看點(diǎn)丨 2011億元!比亞迪單季營(yíng)收首次超過(guò)特斯拉；三星將于2025年初引進(jìn)High NA EUV光刻機(jī)
1. 三星將于2025 年初引進(jìn)High NA EUV 光刻機(jī)，加快開發(fā)1nm 芯片 ? 據(jù)報(bào)道，三星電子正準(zhǔn)備在2025年初引入其首款High NA EUV（極紫外）
發(fā)表于 10-31 10:56
?1382次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論