電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）芯片，一直被譽為人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機就是雕刻這個結(jié)晶的“神之手”。但僅有光刻機還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及其他工藝器件的參與才能保障芯片的高良率。

以光刻膠為例，這是決定芯片圖案能否被精準刻下來的“感光神經(jīng)膜”。并且隨著芯片步入7nm及以下先進制程芯片時代，不僅需要EUV光刻機，更需要EUV光刻膠的參與。但在過去國內(nèi)長期依賴進口，長期以來更是在多個官方文件、產(chǎn)業(yè)報告和政策導向中被列為關(guān)鍵攻關(guān)材料。

近期，《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》的立項工作于2025年10月23日進入關(guān)鍵階段，國家標準委網(wǎng)站正式公示該標準為擬立項項目，推動國產(chǎn)EUV光刻膠邁向新的臺階。

從0到1的跨越

光刻膠不是普通膠水，而是一種對特定波長光敏感的高分子材料。它的核心作用是將光刻機投射的光信號，轉(zhuǎn)化為化學信號，最終形成物理結(jié)構(gòu)，這個過程就好像是在“用光寫字”。

如果說光刻機就像一臺超精密的“照相機”，那么光刻膠就是涂抹在硅片表面的那層“膠片”，光刻機中有一塊刻著電路設(shè)計圖的掩膜版，當DUV或EUV透過掩膜版時，會將圖案投影到光刻膠上。

這時光刻膠就像被“拍照”一樣，曝光區(qū)域會發(fā)生化學反應，正性光刻膠曝光的部分會變得容易溶解，進而消散，而負性光刻膠曝光的地方反而變得更堅硬，讓圖案更清晰。再經(jīng)過顯影后留下與掩膜版對應的3D微觀結(jié)構(gòu)，后續(xù)刻蝕/離子注入步驟以此結(jié)構(gòu)為模板。

而如此重要的技術(shù)，在過去國內(nèi)一直依賴于進口，工信部數(shù)據(jù)顯示，2020年國內(nèi)的光刻膠進口依存度仍然達到95%。全球光刻膠技術(shù)更是主要由日本企業(yè)占領(lǐng)，包括JSR、東京應化TOK、信越化學、富士電子材料，占了全球70%以上的市場份額。美國的杜邦、韓國的東進也有一定的份額，但核心技術(shù)仍掌握在日本手中。

2019年日韓貿(mào)易爭端期間，日本對韓國限制光刻膠等關(guān)鍵材料出口，導致三星、SK海力士產(chǎn)能一度緊張，這讓中國深刻意識到，即便有了光刻機，如果沒有光刻膠，芯片產(chǎn)線也會被迫停工。有業(yè)內(nèi)人士認為，光刻機被卡，還能撐一陣；光刻膠斷供，產(chǎn)線立刻停擺。

同年，大基金二期明確將包括光刻膠在內(nèi)的半導體材料作為投資重點，截至2024年，大基金及相關(guān)地方政府基金已向南大光電、晶瑞電材、北京科華等光刻膠企業(yè)投入大量資金，用于建設(shè)KrF/ArF光刻膠產(chǎn)線。

而工信部《重點新材料首批次應用示范指導目錄》《產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)再造工程實施方案》等文件中，高端光刻膠（特別是ArF、EUV光刻膠）被列為關(guān)鍵攻關(guān)材料。

我國“十四五”規(guī)劃更是明確提出，突破高端光刻膠、高純試劑、CMP拋光材料等關(guān)鍵短板材料，提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈韌性。“十五五”中，光刻膠是作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈核心材料被明確列為重點突破領(lǐng)域，其戰(zhàn)略地位與量子計算、商業(yè)航天等技術(shù)并列。

尤其在高端光刻膠領(lǐng)域，數(shù)據(jù)顯示，2023年中國高端光刻膠領(lǐng)域國產(chǎn)化率不足5%，其中EUV光刻膠市場幾乎完全依賴進口，而ArF光刻膠國產(chǎn)化率僅為3.2%。不過隨著《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》的立項工作走入關(guān)鍵階段，國家標準委網(wǎng)站正式公示該標準為擬立項項目，公示截止時間為2025年11月22日。

此次公示是標準制定的法定程序，通過公開征求意見，可進一步吸納半導體材料企業(yè)、檢測機構(gòu)等產(chǎn)業(yè)鏈上下游的建議。若順利通過公示，該標準預計2026年正式實施，成為國內(nèi)EUV光刻膠研發(fā)、生產(chǎn)和應用的強制性技術(shù)依據(jù)。

方向已定，路遠終至

EUV光刻膠是制造7nm及以下先進制程芯片的核心材料，其性能直接影響芯片良率。然而，國內(nèi)長期依賴進口，同時，缺乏統(tǒng)一、科學、可復現(xiàn)的測試方法標準，成為制約國產(chǎn)EUV光刻膠研發(fā)、驗證和產(chǎn)業(yè)化的重大瓶頸。

包括不同研發(fā)單位采用的測試條件（如曝光劑量、顯影時間、線寬粗糙度評估方式）不一致；無法與國際主流工藝對標，導致材料性能評估失真；光刻膠廠商與晶圓廠之間缺乏共同語言，影響協(xié)同開發(fā)效率。

因此，建立一套自主可控、與國際接軌的EUV光刻膠測試方法標準體系，成為國家半導體產(chǎn)業(yè)鏈安全戰(zhàn)略的重要一環(huán)。

此次標準的起草單位包括上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司等。

該標準還將填補國內(nèi)在EUV光刻膠測試方法領(lǐng)域的技術(shù)標準空白，為國內(nèi)外EUV光刻膠的性能評價提供統(tǒng)一的客觀標尺。建立統(tǒng)一的測試方法體系，覆蓋EUV光刻膠的靈敏度（E0）、分辨率、線邊緣粗糙度（LER）、曝光產(chǎn)氣等關(guān)鍵性能指標，明確最低技術(shù)要求和測試流程。

標準實施后，晶圓廠可依據(jù)統(tǒng)一的測試數(shù)據(jù)評估材料性能，將驗證周期從1-2年縮短至6個月左右，大幅降低國產(chǎn)材料的導入風險。推動國內(nèi)高端光刻膠產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)高質(zhì)量可持續(xù)發(fā)展，提升我國在全球半導體材料領(lǐng)域的話語權(quán)和競爭力。

與此同時，國內(nèi)各機構(gòu)與企業(yè)都在EUV光刻膠研發(fā)上有了一些突破，例如清華大學開發(fā)出聚碲氧烷基新型光刻膠，北京大學通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面分布與纏結(jié)行為，指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產(chǎn)業(yè)化方案為量產(chǎn)奠定材料基礎(chǔ)。

上海大學、南大光電、晶瑞電材等先后完成“含金屬氧化物分子鏈”“銻/錫摻雜負膠”實驗室級配方，分辨率≤18nm，劑量≤25mJ/cm2，樹脂/單體合成路線已跑通，滿足客戶入門門檻。

此外，瑞聯(lián)新材EUV光刻膠單體已通過客戶驗證，上海新陽等企業(yè)進入研發(fā)初期階段，徐州博康計劃建設(shè)國內(nèi)首條EUV光刻膠中試線。

此次標準的立項，也標志著國內(nèi)從過去的被動跟隨，轉(zhuǎn)到主動定義規(guī)則中來，樂觀估計，2028-2030年可能實現(xiàn)國產(chǎn)EUV光刻膠的有限商業(yè)化。

當然，EUV的光刻膠想要量產(chǎn)還面臨著一些困難，例如其核心樹脂、光引發(fā)劑、淬滅劑、高純?nèi)軇?span style="font-family:undefined, undefined, undefined, undefined;">等90%依賴進口，主要由日本三菱化學、住友化學掌控關(guān)鍵單體供應，還需要國內(nèi)建立“電子級99.999%”產(chǎn)線。

并且EUV光刻膠研發(fā)需使用EUV光刻機驗證，材料性能優(yōu)化依賴海外設(shè)備，否則只能靠模擬或DUV平臺推測EUV性能。當然，樂觀的暢想一下，如果EUV光刻膠能夠得到解決，那么EUV光刻機也不會太遠。

總結(jié)

此次EUV光刻膠測試標準的立項，意味著通過標準化的建設(shè)，國內(nèi)企業(yè)有望突破技術(shù)，降低對進口材料的依賴，同時為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)提供中國方案。國內(nèi)雖在EUV光刻膠領(lǐng)域起步晚，但通過材料創(chuàng)新、標準制定和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，正逐步縮小差距。只要堅持自主研發(fā)，中國半導體材料終將在EUV時代占據(jù)一席之地。