來源：羅姆半導體社區(qū)

場效應管（Field Effect Transistor）又稱場效應晶體管，是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管，[1]它屬于電壓控制型半導體器件。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。

場效應管具有輸入電阻高（10 7～10 15Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和 功率晶體管的強大競爭者。

與雙極型晶體管相比，場效應管具有如下特點。

（1）場效應管是電壓控制 器件，它通過V GS(柵源電壓)來控制I D（漏極電流）；

（2）場效應管的控制輸入端 電流極小，因此它的 輸入電阻（10 7～10 12Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù) 載流子導電，因此它的 溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的 放大電路的電壓放大 系數(shù)要小于三極管組成放大電路的 電壓放大系數(shù)；

（5）場效應管的抗輻射能力強；

（6）由于它不存在雜亂 運動的電子擴散引起的 散粒噪聲，所以噪聲低。

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的 電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

哪么如何判斷他們的好壞呢？

先用萬用表R×10kΩ擋(內(nèi)置有15V電池)，把負表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再改用萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的 。

二、判斷結(jié)型場效應管的電極

將萬用表撥至R×100檔，紅表筆任意接一個腳管，黑表筆則接另一個腳管，使第三腳懸空。若發(fā)現(xiàn)表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。欲獲得更明顯的觀察效果，還可利用人體靠近或者用手指觸摸懸空腳，只要看到表針作大幅度偏轉(zhuǎn)，即說明懸空腳是柵極，其余二腳分別是源極和漏極。

判斷理由：JFET的輸入電阻大于100MΩ，并且跨導很高，當柵極開路時空間電磁場很容易在柵極上感應出電壓信號，使管子趨于截止，或趨于導通。若將人體感應電壓直接加在柵極上，由于輸入干擾信號較強，上述現(xiàn)象會更加明顯。如表針向左側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，就意味著管子趨于截止，漏-源極間電阻RDS增大，漏-源極間電流減小IDS。反之，表針向右側(cè)大幅度偏轉(zhuǎn)，說明管子趨向?qū)ǎ琑DS↓，IDS↑。但表針究竟向哪個方向偏轉(zhuǎn)，應視感應電壓的極性（正向電壓或反向電壓）及管子的工作點而定。

注意事項：

（1）試驗表明，當兩手與D、S極絕緣，只摸柵極時，表針一般向左偏轉(zhuǎn)。但是，如果兩手分別接觸D、S極，并且用手指摸住柵極時，有可能觀察到表針向右偏轉(zhuǎn)的情形。其原因是人體幾個部位和電阻對場效應管起到偏置作用，使之進入飽和區(qū)。

（2）也可以用舌尖舔住柵極，現(xiàn)象同上。

審核編輯黃昊宇