發(fā)揮新型舉國體制優(yōu)勢，推進產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級，強化本土 IC 產(chǎn)業(yè)

中國：堅定優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，重視研發(fā)及教育投入奠定產(chǎn)業(yè)升級堅實基礎(chǔ)

2008 年以來，隨著人口紅利逐步弱化、勞動力成本上升、匯率升值壓力顯現(xiàn)，依靠出口 貿(mào)易拉動經(jīng)濟增長的模式受到一定程度的挑戰(zhàn)，在此背景下，實體經(jīng)濟更多地借助資產(chǎn)負(fù) 債表的擴張以驅(qū)動利潤增長。國內(nèi)的預(yù)算軟約束、土地財政發(fā)展和房價快速上漲造成地方 政府、房地產(chǎn)企業(yè)等資金需求方對于利率不敏感，金融的價格在資產(chǎn)負(fù)債擴張過程中不斷 上升，抬升了實體企業(yè)的融資成本，對企業(yè)在投資新項目時的預(yù)期收益率提出了更高要求。

根據(jù)國家統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)，我國建筑業(yè)與房地產(chǎn)業(yè)城鎮(zhèn)就業(yè)總?cè)藬?shù)自 2009 年起快速提升，顯 著高于同期制造業(yè)就業(yè)人數(shù)的增速水平。截至 2018 年末，我國城鎮(zhèn)建筑業(yè)與房地產(chǎn)業(yè)城 鎮(zhèn)就業(yè)總?cè)藬?shù)達到 3177 萬人，較 2005 年增加 196%，而同期我國制造業(yè)城鎮(zhèn)就業(yè)總?cè)藬?shù) 累計增幅僅有 30%。與此同時，2009 年起我國房地產(chǎn) GDP 貢獻也呈現(xiàn)快速上升態(tài)勢， 2019 年末達到 7.03%，較 2008 年的 4.57%提升 2.45pct。

由于短期的資產(chǎn)負(fù)債擴張需要長期的利潤回報、現(xiàn)金回報進行維系，因此在投資邊際收益 下降的前提下就對降低社會預(yù)期收益率、降低融資成本，同時促進經(jīng)濟結(jié)構(gòu)向高科技產(chǎn)業(yè) 轉(zhuǎn)型以提升經(jīng)濟發(fā)展效率提出了迫切需求。

2016 年至今，政府針對房地產(chǎn)產(chǎn)業(yè)一以貫之的“因城施策”、“房住不炒”的調(diào)控方針正 顯示了政府優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的堅定決心。我們認(rèn)為，在中國經(jīng)濟由重增速向重質(zhì)量切換過程 中，以工程師紅利支撐的科技產(chǎn)業(yè)本就擔(dān)負(fù)著實現(xiàn)經(jīng)濟結(jié)構(gòu)升級、跨越中等收入陷阱的長 期使命。回顧日本、韓國等地的發(fā)展歷程可見，集成電路產(chǎn)業(yè)在其由“貿(mào)易立國”向“科 技立國”轉(zhuǎn)型升級的過程中都扮演著舉足輕重的角色。

考慮當(dāng)前中美貿(mào)易摩擦的時代背景，通過新型舉國體制優(yōu)勢強化科技產(chǎn)業(yè)中關(guān)鍵環(huán)節(jié)/關(guān) 鍵領(lǐng)域/關(guān)鍵產(chǎn)品保障能力已逐步上升至“國家意志”層面，8 月 4 日國務(wù)院發(fā)布的《新時 期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策》正是這一意志的具體彰顯，我們認(rèn) 為，在財稅/投融資/研究開支/進出口/人才/知識產(chǎn)權(quán)/市場應(yīng)用/國際合作等政策促進下，集 成電路產(chǎn)業(yè)有望迎來資源的充分涌流，逐步成為科技產(chǎn)業(yè)“內(nèi)循環(huán)”的硬件基礎(chǔ)。

中國的研發(fā)費用占 GDP 比重領(lǐng)先多數(shù)中/低收入國家，基礎(chǔ)研究占比穩(wěn)中有升

根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2018 年中國的研發(fā)費用達到 1.97 萬億，占 GDP 比重為 2.19%，接近 作為高收入國家的新加坡在 2015 年的水平（2.18%）與韓國在 2000 年的水平（2.18%）， 明顯高于巴西（1.26%，2017 年）、泰國（1.00%，2017 年）、南非（0.83%，2017 年）、 馬來西亞（1.44%，2016 年）等中、低收入國家。

從國內(nèi)研發(fā)費用的結(jié)構(gòu)來看，基礎(chǔ)研究占比穩(wěn)中有升，企業(yè)資金占比快速提高，全社會研 發(fā)投入的質(zhì)量和效率均得到一定程度改善。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2019 年研發(fā)經(jīng)費總支出同比 增長 10.5%至 2.17 萬億，其中基礎(chǔ)研究經(jīng)費占比 5.6%。2018 年政府、企業(yè)投入的研發(fā) 經(jīng)費分別為 3979 億元、15079 億元，占比分別為 20.2%、76.6%，其中企業(yè)投入占比較 2002 年提升 21.6pct。

為建設(shè)創(chuàng)新型國家和世界科技強國，國家在“十三五”規(guī)劃中明確提出到 2020 年，研發(fā) 費用占 GDP 比重將從 2015 年的 2.1%提高至 2.5%（屆時將接近美國當(dāng)前水平），全國研 發(fā)經(jīng)費支出從 1.42 萬億元增加至 2.32 萬億元，5 年累計投資 11.22 萬億元，相當(dāng)于“十 二五”時期的 1.93 倍。

中國正在將人口紅利轉(zhuǎn)變?yōu)?a target="_blank">工程師紅利，平均受教育年限接近日、韓經(jīng)濟騰飛前的水平

在勞動力成本提升，人口紅利逐漸弱化的經(jīng)濟環(huán)境中，部分人力資本密集型的加工制造企 業(yè)正將生產(chǎn)基地遷往東南亞等地區(qū)，中國電子產(chǎn)業(yè)的核心驅(qū)動力迫切需要實現(xiàn)由人口紅利 向工程師紅利的切換，從而向微笑曲線的兩端延伸。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2012 年以來全國每 年新增教育經(jīng)費投入逾 2 萬億元，2019 年全國公共財政教育經(jīng)費（包括教育事業(yè)費，基 建經(jīng)費和教育費附加）同比增長 8.5%至 3.49 萬億，占公共預(yù)算支出比重為 14.6%，占 GDP 比重為 3.5%。

根據(jù) 18 年 3 月《政府工作報告》數(shù)據(jù)，在勞動力市場上 2017 年我國勞動年齡人口平均 受教育年限為 10.5 年，其中 2016 年新增勞動力平均受教育年限為 13.3 年。根據(jù)《國家 中長期教育改革和發(fā)展規(guī)劃綱要（2010-2020 年）》，目標(biāo)到 2020 年我國新增勞動力平均 受教育年限從 12.4 年提高到 13.5 年；主要勞動年齡人口平均受教育年限從 9.5 年提高到 11.2 年，其中接受高等教育的比例達到 20％以上，屆時將接近如前所述的跨越中等收入 陷阱前夕的日本、韓國的比例。

我國 R&D 人員總量已處全球領(lǐng)先地位，有望借助工程師紅利復(fù)制日本、韓國的跨越式發(fā) 展軌跡。根據(jù)國家統(tǒng)計年鑒的全時當(dāng)量（全時人員數(shù)加非全時人員數(shù)按工作量折算為全時 人員數(shù)的總和）數(shù)據(jù)，2013 年我國 R&D 人員總量達 353.3 萬人年，超過美國居世界第一 位，2018 年我國 R&D 人員全時當(dāng)量進一步增長到 461 萬人年。

韓國：以半導(dǎo)體國產(chǎn)替代立科技之國，跨越中等收入陷阱創(chuàng)造漢江奇跡

根據(jù) 2006 年世界銀行《東亞經(jīng)濟發(fā)展報告》定義，“中等收入陷阱”是指中等收入國家因 勞動力成本不能與低收入國家競爭、技術(shù)水平不能與高收入國家競爭而落入經(jīng)濟停滯/后退 發(fā)展階段。盡管世界銀行對高/中/低等收入國家的劃分標(biāo)準(zhǔn)基于世界經(jīng)濟發(fā)展有所調(diào)整， 但中等收入陷阱卻在多個國家的發(fā)展歷程中重演。據(jù)世界銀行統(tǒng)計，在 1960 年的 101 個 中等收入經(jīng)濟體中，僅 13 個于 2009 年跨越中等收入陷阱成為高收入經(jīng)濟體。我們認(rèn)為， 依靠出口自然資源或主要依靠低成本勞動力發(fā)展制造業(yè)的增長模式在中等收入階段面臨 瓶頸，而真正實現(xiàn)“貿(mào)易立國”到“技術(shù)立國”的轉(zhuǎn)變才是突破中等收入陷阱的關(guān)鍵所在。

根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2018 年韓國 GDP 構(gòu)成中制造業(yè)占比從 1953 年的 7.9%增長至 29.2%， 成為韓國僅次于服務(wù)業(yè)的經(jīng)濟支柱。根據(jù)世界銀行收入等級劃分及 Wind 數(shù)據(jù)，1977 年韓 國人均 GNI 超過 930 美元成為中等收入國家，1987 年人均 GNI 突破 3000 美元進入上中 等收入國家行列；1995 年人均 GNI 突破 1.2 萬美元，由此跨越中等收入陷阱成為高收入 國家。

而通過回顧韓國 1953 年朝韓之戰(zhàn)結(jié)束后至今的發(fā)展歷程，我們發(fā)現(xiàn)韓國經(jīng)濟發(fā)展可分為 四個階段，其中第一階段（1953-1961 年）戰(zhàn)后重建期通過出售美國所給予的援資度過難 關(guān)、以及第二階段（1962-1969 年）的“出口導(dǎo)向”策略推動本土工業(yè)產(chǎn)品自給能力為韓 國后續(xù)發(fā)展奠定良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)；而以“國退民進”推動經(jīng)濟結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的第三階段 （1970-1979 年）和以 “技術(shù)立國”為策略全力支持半導(dǎo)體國產(chǎn)替代的第四階段（1980 年至今）成為推動韓國經(jīng)濟騰飛的重要轉(zhuǎn)折時期。在此過程中，韓國經(jīng)濟結(jié)構(gòu)從政府主導(dǎo) 轉(zhuǎn)為市場經(jīng)濟下的民企主導(dǎo)，韓國本土企業(yè)之間的專利共享、互惠合作也進一步鞏固韓國 作為科技強國在全球的市場地位。

在“科技立國”戰(zhàn)略推動下，韓國的科技產(chǎn)業(yè)迎來快速發(fā)展，半導(dǎo)體及 3C 產(chǎn)品成為韓國 重要出口商品。根據(jù)韓國 KDI 數(shù)據(jù)，1990/2000 年電子行業(yè)總產(chǎn)值在韓國制造業(yè)中的占比 為 12.8%/18.3%，位列第一；1971-1984 年、1985-1990 年、1991-2000 年三階段韓國電 子行業(yè)產(chǎn)值的年復(fù)合增速分別為 19.5%、24.1%、31.7%，是制造業(yè)領(lǐng)域增速最快的細(xì)分 行業(yè)。根據(jù)韓國對外貿(mào)易協(xié)會數(shù)據(jù)，1961-2000 年，韓國主要出口品從 1961 年的鐵礦石 （13.0%）、1980 年的服裝（16.0%）向半導(dǎo)體（12.4%）、計算機（8.5%）以及手機（8.5%） 等技術(shù)密集型產(chǎn)品轉(zhuǎn)變。2019 年財富世界 500 榜單中，韓國共有 16 家企業(yè)上榜，其中科 技型企業(yè)三星電子（005930 KS，無評級）韓國排名第一、全球排名第 15。

日本：VLSI 研發(fā)聯(lián)合體是舉國體制打造本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的先行者

政府發(fā)起的研究聯(lián)盟成為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)趕超的發(fā)動機。日本通商產(chǎn)業(yè)?。ㄈ毡九f中 央省廳之一，承擔(dān)著宏觀經(jīng)濟管理職能）于 1976 年牽頭成立了 VLSI 研發(fā)聯(lián)合體，針對 先進的 64K、256K 動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）基礎(chǔ)技術(shù)進行集中攻堅。我們認(rèn)為， 主要是三方面原因促成了該聯(lián)合體的成立，其一為日本迫于美國的壓力于 1975 年和 1976 年分別開放其國內(nèi)的計算機和半導(dǎo)體市場；其二為 IBM 公司在 1975 年開始著手開發(fā)以一 百萬兆超大規(guī)模集成電路芯片為基礎(chǔ)的第四代未來系統(tǒng)計算機，它的成功將會嚴(yán)重威脅到 日本國內(nèi)公司的生存；其三為 VLSI 研發(fā)所需資金龐大，若沒有政府的強大支持，日本的 半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)很難追趕上美國企業(yè)。

VLSI 研發(fā)聯(lián)合體由日本電氣、三菱電氣、富士通、日立、東芝和電氣技術(shù)實驗室組成， 下設(shè)聯(lián)合實驗室和企業(yè)實驗室。聯(lián)合實驗室共有六個研究團隊，定員 100 人左右，主要進 行通用性和基礎(chǔ)性的技術(shù)研究，其中日立、富士通、東芝各自獨立牽頭高精度加工設(shè)備研 究室，三菱牽頭處理技術(shù)，日本電氣牽頭檢測和設(shè)備技術(shù)，電氣技術(shù)研究室牽頭晶體技術(shù)。三個并列的高精度加工設(shè)備研究室的成員主要從室主任所在的企業(yè)中抽調(diào)，余下的兩家企 業(yè)分別加入其中；另外三個研究室的成員，則盡量從五家參與企業(yè)中等額抽調(diào)。

企業(yè)實驗室由 CDL（計算機綜合研究所，computer design laboratory）和 NTIS (日電東 芝信息系統(tǒng)，Nippon Electric-Toshiba Information System)構(gòu)成，各自分散在與其相關(guān)的 公司內(nèi)部，主要進行應(yīng)用技術(shù)方面的研究。VLSI 研發(fā)聯(lián)合體中適于由中立者擔(dān)任的職務(wù) 均由通產(chǎn)省出身的人員出任。根據(jù)小宮隆太郎等 1984 年 12 月出版的《日本的產(chǎn)業(yè)政策》 中的數(shù)據(jù)，VLSI 組合從 1976 年設(shè)立起至 1980 年宣布解散為止的四年里，總事業(yè)費約為 720 億日元。其中由通產(chǎn)省補助金資助的數(shù)額為 291 億日元，約占總事業(yè)費的 40%。其 余事業(yè)費則由參加企業(yè)平均分擔(dān) 。

VLSI 研發(fā)聯(lián)合體的模式促進日本國內(nèi)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈躋身國際一線。VLSI 研發(fā)聯(lián)合體首 先在光刻裝置和大口徑晶圓的研制上取得了突破，成功地開發(fā)出了半導(dǎo)體加工過程中的關(guān) 鍵設(shè)備——縮小投影型光刻裝置，該設(shè)備在 1980 年前幾乎全從美國進口，但從 1985 年 開始，日本該設(shè)備的國際市場占有率即超過美國；在 1980 年首次開發(fā)出口徑達到 8 吋 (200mmm)的晶圓。與此同時，聯(lián)合體促成日本在存儲器生產(chǎn)銷售領(lǐng)域大幅超越了美國， 根據(jù)日本通產(chǎn)省數(shù)據(jù)，在 1976-1980 年里，該研究聯(lián)盟共提出 1200 多項專利、300 多項 商業(yè)機密技術(shù)、發(fā)表了 460 篇科技論文，并成功突破了 1 微米加工制成。

以 DRAM 為例，1K、4K 的 DRAM 是美國于 1970、1972 年研制出來的，但是 16K 的 DRAM 則是美、日于 1976 年同時研制出來的，到了 64K 的 DRAM，日本先美國 2 年于 1977 年 成功推出，率先進入 VLSI 時代，在之后 256K、1000K 的 DRAM 研制上，日本始終保持 領(lǐng)先地位?；诖耍毡?DRAM 的全球市場份額在 20 世紀(jì) 80 年代超越美國，在 1986 年達到巔峰，接近 80%，日本整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全球地位在隨之快速提升，根據(jù) Gartner 數(shù)據(jù)，1987 年日本的 NEC、東芝、日立位列全球前 3 大半導(dǎo)體廠，前 20 名中日企占據(jù) 10 席。

日美貿(mào)易戰(zhàn)時期，內(nèi)需市場成為電子產(chǎn)業(yè)增長的主要引擎

1970-1985 年以半導(dǎo)體為排頭兵的日本電子產(chǎn)業(yè)全面崛起，促成國家產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級。根據(jù) 日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省資源數(shù)據(jù)，從 1973 年開始，鋼鐵的生產(chǎn)量和原油的進口量開始減少，相 較之下，伴隨大規(guī)模集成電路的興起，日本對半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料硅的需求與日俱增，正是在 這 15 年內(nèi)日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值增加了 5 倍，內(nèi)需增加了 3 倍，出口增加了超過 11 倍。

1985-2000 年美日貿(mào)易摩擦加劇，內(nèi)需增長成為日本電子產(chǎn)業(yè)核心動能。1985 年開始， 美蘇冷戰(zhàn)走向終結(jié)，美國的對日政策發(fā)生轉(zhuǎn)變，SIA(美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會)向 USTR(美國 貿(mào)易代表辦公室)提起訴訟，要求提高美國產(chǎn)品在日本半導(dǎo)體市場的份額，為防止低價傾銷 采取措施等。美日雙方于 1985 年簽署《廣場協(xié)議》開啟日元大幅升值趨勢，一定程度上 弱化了日本電子產(chǎn)業(yè)的出口競爭力，1986 年 9 月雙方再次簽署半導(dǎo)體協(xié)議，一方面要求 日本加大對美半導(dǎo)體的采購，一方面引入價格監(jiān)督制度限制日本出口產(chǎn)品價格下限。

在外部環(huán)境日益惡化、日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自身商業(yè)模式日益僵化的共同作用下，日本電子產(chǎn) 業(yè)整體的出口競爭力不斷下滑。根據(jù)日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省資源數(shù)據(jù)，在這 15 年內(nèi)日本電子產(chǎn) 業(yè)產(chǎn)值和出口增加了 1.5 倍，國內(nèi)產(chǎn)值于 2000 年達到頂峰約 26 萬億日元，但是內(nèi)需則增 加了 2 倍，內(nèi)需市場的興起主要受數(shù)字電視的推廣以及“鎖國”環(huán)境下的手機、PC 產(chǎn)品 所拉動。

受益于數(shù)字電視信號的覆蓋，日本電視機的內(nèi)需和產(chǎn)值從 2003 年開始季增。從 1996 年 左右日本積極推動電視信號數(shù)字化政策，2003 年是日本三大都市圈開始覆蓋數(shù)字電視信 號的一年，同時日本政府也將推動電視機換購作為一項產(chǎn)業(yè)振興政策來推廣。基于此，日 本電視機的內(nèi)需和產(chǎn)值于 2010 年達到頂峰，根據(jù)日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省機器統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2010 年 末日本國內(nèi)電視機單月需求超過 2000 億日元，2010 年全年總需求達到 11362 億日元。

日本“特立獨行”的手機、PC 產(chǎn)品成為其電子產(chǎn)業(yè)短期的推動力。2G 時代，日本放棄了 全世界主流的 GSM 通信標(biāo)準(zhǔn)，而采用了獨特的 PDC 方案，使得國內(nèi)的手機廠商在一個 相對封閉的市場中迅速發(fā)展，但也因此失去了在手機市場的全球競爭力。此外，日本的 PC 產(chǎn)業(yè)同樣是在一個“鎖國”的環(huán)境中起步的，由于日本的 PC 需要考慮到和日文文字 處理機的兼容性問題，而日文的處理則限制了諸多海外 PC 企業(yè)進入日本市場，使得本土 的 NEC-9800 系列 PC 長期占據(jù)日本國內(nèi)主要份額，這一封閉的 PC 市場格局直到 Windows 系統(tǒng)出現(xiàn)得以打破。

產(chǎn)業(yè)鏈自主可控、硬件生態(tài)創(chuàng)新以及新型基建成為促進內(nèi)循環(huán)的重要方向

我們認(rèn)為，與日本數(shù)字電視產(chǎn)業(yè)的發(fā)展類似，2019 年北京廣播電視局與北京市經(jīng)信局聯(lián) 合發(fā)布的《北京市超高清視頻產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃（2019-2022 年）》有望助推大尺寸、高 清電視的加速普及，為已處于全球領(lǐng)先地位的國內(nèi)半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)帶來增量需求；但是與 日本手機、PC 發(fā)展所經(jīng)歷的“自主鎖國”市場不同，在中美貿(mào)易摩擦的背景下，由于美 國對華為、?？档戎T多科技企業(yè)設(shè)立實體清單，造成相應(yīng)企業(yè)面臨被供應(yīng)商斷供的窘迫境 地，正常生產(chǎn)、經(jīng)營受到較大阻力，因此我們認(rèn)為，對于國內(nèi)電子產(chǎn)業(yè)而言，產(chǎn)業(yè)鏈自主 可控、硬件生態(tài)創(chuàng)新以及新型基建有望成為發(fā)展內(nèi)需市場、促進內(nèi)循環(huán)的重要方向。

政策推動高清視頻產(chǎn)業(yè)加速，國內(nèi)半導(dǎo)體顯示產(chǎn)業(yè)已具備國際競爭力

2019 年北京廣播電視局與北京市經(jīng)信局聯(lián)合發(fā)布《北京市超高清視頻產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動計劃 （2019-2022 年）》。發(fā)展行動計劃提出將實現(xiàn) 2022 年北京冬奧會、冬殘奧會 4K 超高清 電視全程直播，8K 超高清實驗直播。根據(jù)新華網(wǎng)訊，2019 年 8 月 31 日至 9 月 15 日籃球 世界杯期間，北京賽區(qū)采用“5G+8K”技術(shù)對 8 場籃球世界杯進行試播，首次實現(xiàn)“5G+8K” 技術(shù)示范應(yīng)用?！?G+8K”融合發(fā)展已進入產(chǎn)業(yè)發(fā)展的戰(zhàn)略窗口期，北京以重大體育賽事 為抓手，加快“5G+8K”技術(shù)驗證和示范應(yīng)用，為 2022 冬奧會賽事直播做好全面準(zhǔn)備。

4Q18 中國大陸大尺寸 LCD 產(chǎn)能已經(jīng)超越韓國成為全球第一。LCD 產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)興于美國、 盛于日本，后又陸續(xù)在韓國、中國臺灣、中國大陸開花結(jié)果，作為一個規(guī)模效應(yīng)顯著、資 金壁壘高企、戰(zhàn)略地位突出的行業(yè)，逆產(chǎn)業(yè)周期擴張更高世代的產(chǎn)線是驅(qū)動 LCD 成本長 期下降、進而不斷創(chuàng)造新的應(yīng)用市場的核心動力。根據(jù) DSCC 數(shù)據(jù)，中國大陸的 TFT-LCD 產(chǎn)能占比從 4Q18 的 42%提升至 1Q20 的 52%，DSCC 預(yù)計 4Q22 中國大陸的 TFT-LCD 產(chǎn)能占比將進一步提升至 70%。除中國大陸以外，隨著三星、LGD 兩大韓系廠商宣布 2020 年將關(guān)閉 5 條產(chǎn)線，DSCC 預(yù)計韓國的 TFT-LCD 產(chǎn)能占比將從 1Q20 的 19%下降至 1Q21 的 7%。

在大尺寸 LCD 領(lǐng)域，根據(jù) WitsView 數(shù)據(jù)，截至 2Q19 全球大尺寸 LCD 產(chǎn)能面積中 8.5 代線已經(jīng)占到 52.6%，10 代線及以上占到 2.75%。分區(qū)域來看，根據(jù) WitsView 數(shù)據(jù)，4Q17 中國大陸的大尺寸 LCD 產(chǎn)能面積達到 1682.08 萬平米，全球占比為 29.62%，超過中國臺 灣成為全球第二；4Q18 中國大陸的大尺寸 LCD 產(chǎn)能面積達到 2365.47 萬平米，全球占比 為 36.80%，超過韓國成為全球第一；2Q19 中國大陸的大尺寸 LCD 產(chǎn)能面積達到 2648.68 萬平米，全球占比提升至 41.0%。

隨著全球LCD產(chǎn)能向中國大陸轉(zhuǎn)移，陸資廠商的市場份額快速提升。根據(jù)WitsView數(shù)據(jù)， 1Q14 京東方大尺寸 LCD 的產(chǎn)能面積僅為 263.07 萬平米，全球占比僅 6.17%；14-18 年 間京東方合肥 8.5 代線、重慶 8.5 代線、福州 8.5 代線、合肥 10.5 代線等高世代線陸續(xù)投 產(chǎn)，4Q18 京東方大尺寸 LCD 的產(chǎn)能面積快速提升至 1209.40 萬平米，全球占比 18.82%， 超越 LGD 成為全球第一。除京東方以外，華星光電大尺寸 LCD 的產(chǎn)能面積占比從 1Q14 的 4.84%提升至 2Q19 的 9.27%；中電熊貓大尺寸 LCD 的產(chǎn)能面積占比從 1Q14 的 1.10% 提升至 2Q19 的 9.02%，均實現(xiàn)了快速提升。

京東方、華星光電領(lǐng)跑全球大尺寸 LCD 行業(yè)。相較更倚重電視面板市場的三星、LG 等韓 系廠商，京東方在手機、電視、平板、NB、監(jiān)視器等各細(xì)分市場的發(fā)展更為均衡。根據(jù) Omdia 數(shù)據(jù)，從大尺寸 TFT-LCD 出貨面積的角度而言，2020 年 5 月京東方以 22.8%的 市占率位居全球第一，華星光電、群創(chuàng)光電、LG、友達光電分別以 13.0%、12.4%、11.1%、 10.5%的市場率位居二至五名。

從應(yīng)用層面來看，在大尺寸 TFT-LCD 出貨面積的維度上，2020 年 5 月京東方在筆記本電 腦面板市場市占率達到 26.0%，位列第一，領(lǐng)先第二名的群創(chuàng)光電近 4.7pct；2020 年 5 月京東方在顯示器面板市場市占率達到 24.7%，領(lǐng)先于 LG 的 22.7%、友達光電的 14.8%、 三星的 13.3%、群創(chuàng)光電的 12.7%位列第一；在電視面板市場，2020 年 5 月京東方以 21.4% 的市占率位列第一，華星光電以 16.6%的市占率緊隨其后，群創(chuàng)光電、三星、惠科分別以 12.3%、12.2%、8.1%的市占率位居三至五名。

國產(chǎn)手機品牌全球競爭力與日俱增，核心器件自主可控大有可為

國產(chǎn)品牌在全球手機市場的競爭力與日俱增。根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，隨著全球手機市場滲透率趨 于飽和、消費者換機周期延長，2019 年全球智能手機出貨量同比下降 2.3%至 13.7 億， 但前五大品牌廠商合計市占率同比提升 3.5pct 至達到 70.5%，其中華為、OPPO、小米三 大國產(chǎn)品牌合計市占率同比增加 3.8pct 至 35.0%。進入 2020 年，受新冠疫情海內(nèi)外蔓延 的影響，1H20 全球智能手機出貨量同比下降 13.9%至 5.5 億部，但前五大廠商市場集中 度仍進一步提升至 71.9%，華為在海外市場拓展受阻的情況下仍實現(xiàn)了市占率同比 0.6pct 的提升，表明國產(chǎn)品牌在全球手機市場的競爭力仍在不斷提升。

國內(nèi)市場本土品牌大放異彩，5G 滲透率顯著提速。國內(nèi)市場來看，根據(jù) IDC 數(shù)據(jù)，隨著 疫情防控見效，2Q20 中國智能手機出貨量環(huán)比大增 31.8%至 8780 萬部，盡管同比仍有 下降，但降幅（10.3%）顯著低于亞太（31.9%）、西歐（14.8%）、美國（12.6%）等地， 表明中國市場已領(lǐng)先全球進入需求復(fù)蘇階段。其中，華為以 45.2%（QoQ：2.6pct）市占 率穩(wěn)居國內(nèi)市場龍頭，Vivo（17.1%）、OPPO（16.1%）、小米（10.4%）緊隨其后，四者 合計占據(jù)國內(nèi)市場 88.7%的份額。

另一方面，根據(jù)中國信通院數(shù)據(jù)，盡管 2020 年 1-7 月國內(nèi)手機出貨量受疫情影響同比下 降 20.4%，但 5G 手機滲透率仍在不斷提升，其中 7 月 5G 手機滲透率達到 62.4%，1-7M20 累計 5G 滲透率達到 44.2%（出貨量 7751 萬部）。

截至 2017 年末我國核心芯片自給率依然非常低，目前仍未能形成實質(zhì)性的份額突破，但 在國際貿(mào)易環(huán)境的外部壓力下，以存儲器、CIS、PMIC、MCU 等為代表的部分芯片產(chǎn)品 的國產(chǎn)化進程已開始明顯提速，國內(nèi)具備替代潛力的細(xì)分產(chǎn)品龍頭大有可為。根據(jù)清華大 學(xué)微電子研究所數(shù)據(jù)，截至 2017 年末，計算機系統(tǒng)中的 MPU、通用電子系統(tǒng)中的 FPGA 和 DSP、通信裝備中的 Embedded MPU 和 DSP、存儲設(shè)備中的 DRAM 和 Nand Flash、 顯示及視頻系統(tǒng)中的 Display Driver 等，國產(chǎn)芯片占有率幾乎為零。

基于華為海思的多年深耕和 2019 年中美貿(mào)易摩擦局勢的催化，根據(jù) IHS 數(shù)據(jù)，3Q19 華 為出貨的手機產(chǎn)品中自研芯片的比例已經(jīng)達到 74.6%，盡管在 2020 年美國限制臺積電、 中芯國際等 Foundry 廠對海思芯片的代工業(yè)務(wù)之后，華為手機芯片的國產(chǎn)化進程難免暫時 擱置，但由此也顯示了以海思為代表的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計公司的全球競爭力，以及在國內(nèi)半 導(dǎo)體材料、設(shè)備、制造能力不斷進步的長期過程中，消費電子終端核心器件國產(chǎn)替代的發(fā) 展?jié)摿Α?/p>

智能手機核心器件產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的包括：卓勝微（射頻芯片）、兆易創(chuàng)新（Nor Flash、 DRAM）、匯頂科技（指紋識別芯片）、圣邦股份（模擬芯片）、韋爾股份（CMOS 圖像傳 感器）、中穎電子（電源管理芯片）、中芯國際（晶圓代工）等。

電子+時代的硬件生態(tài)創(chuàng)新給半導(dǎo)體成熟制程帶來新機遇

“電子+”時代正來臨，華為 1+8+N 戰(zhàn)略布局響應(yīng)“電子+”趨勢。我們認(rèn)為，5G 時代 通信能力及芯片算力的提升有望加速推進終端智能化趨勢，進而實現(xiàn)生產(chǎn)設(shè)備終端、消費 終端等萬物互聯(lián)。我們將這一趨勢概括為“電子+”，即在物聯(lián)網(wǎng)時代實現(xiàn)各類非電子產(chǎn)品 的電子化、簡單電子產(chǎn)品的智能化。華為所提出的 1＋8＋N 全場景智慧化戰(zhàn)略，也正是響 應(yīng)“電子+”趨勢的戰(zhàn)略布局，即以手機為 1 個主入口，以 PC、平板、TV、音響、眼鏡、 手表、車機、耳機為 8 個輔入口，支持“泛 IoT 硬件”，覆蓋智能家居、運動健康、影音 娛樂、智慧出行、移動辦公等 N 個場景。我們認(rèn)為，基于“電子+”時代物聯(lián)網(wǎng)場景的 MCU、分立器件、通信芯片等以成熟制程為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品需求有望成為國內(nèi)半導(dǎo)體市場 國產(chǎn)替代、打造內(nèi)循環(huán)的重要突破口。

物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子為半導(dǎo)體市場發(fā)展新動力，成熟制程半導(dǎo)體有望成為內(nèi)循環(huán)重要突破口。而根據(jù) IC Insights 預(yù)測，物聯(lián)網(wǎng)及汽車電子有望成為 2016-2021 年間全球半導(dǎo)體下游市 場增速最快的兩個領(lǐng)域（市場份額僅次于手機和標(biāo)準(zhǔn)電腦）。其中 MCU 作為汽車電子及物 聯(lián)網(wǎng)電子產(chǎn)品的核心器件，有望受益于下游需求增長實現(xiàn)銷售額和出貨量的正向增長，但 考慮到 2020 年以來全球新冠疫情蔓延下游需求疲弱的影響，IC Insights 預(yù)計 2023 年全 球 MCU 銷售額和出貨量將分別達到 213 億美元和 382 億顆，對應(yīng) 2019-2023 年 CAGR 分別為 3.9%和 6.3%。

本土 MCU 廠商有望依托于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品創(chuàng)新打破外資壟斷。從市場份額來看，根據(jù)前瞻產(chǎn) 業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2018 年全球及國內(nèi) MCU 市場仍然由外資主導(dǎo)地位，其中全球市場前五大 外資合計占 83%份額，中國市場前九大外資合計占 76%份額。而從下游應(yīng)用分布來看， 根據(jù) OFweek 產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，中國市場應(yīng)用（2018 年）仍集中在消費電子（26%）、計 算機網(wǎng)絡(luò)（19%）等中低端 MCU 產(chǎn)品，相比于全球（2019 年）在汽車電子（33%）、工 控/醫(yī)療（25%）等中高端 MCU 應(yīng)用，仍有較大產(chǎn)品升級空間。

另一方面，對本土半導(dǎo)體制造類企業(yè)而言，我們認(rèn)為其在追逐突破先進制程之外，亦可依 托于特色工藝的差異化競爭，如嵌入式非易失性存儲，模擬 IC，光學(xué)器件，傳感器，分立 器件等，因為盡管終端應(yīng)用的制程需求在不斷向前迭代，但受制于對設(shè)備，性能，功耗的 需求，仍然有一些產(chǎn)品如功率器件可以停留在 8 英寸生產(chǎn)線上。

半導(dǎo)體是新型基建的基石，本土設(shè)備及材料產(chǎn)業(yè)化進程加速

上游設(shè)備及材料長期是日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支柱，變局育新機

回顧日本電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，在 1985 年之后由于美國對日政策的轉(zhuǎn)向以及《廣場協(xié)議》 所造成的日元升值壓力，使得日本電子產(chǎn)業(yè)的驅(qū)動力由出口向內(nèi)需轉(zhuǎn)變，貿(mào)易收支開始減 少；在 2000 年后，日本國內(nèi) TV、PC 的消費增速趨緩、與海外企業(yè)競爭加劇，日本電子 產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了明顯的衰退，根據(jù)日本電信產(chǎn)業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，其電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值由 2000 年的 26.2 萬億日元跌至 2019 年 10.5 萬億日元。

但是從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，相對于日本電子產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值的大幅衰退，上游電子元器件和設(shè)備的 產(chǎn)值下滑幅度較少。根據(jù)日本電信產(chǎn)業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2019 年日本電子產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值較 2000 年 下滑 59.8%，而電子元器件和設(shè)備下滑 43.7%，電子元器件和設(shè)備占總產(chǎn)值的比重由 2000 年的 44.9%穩(wěn)步提升至 2019 年的 62.9%。

由日本電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展經(jīng)驗可見，在其國內(nèi)市場終端產(chǎn)品滲透率趨于飽和、海外競爭加劇、 制造中心向中國臺灣、大陸轉(zhuǎn)移的過程中，電子元器件和設(shè)備產(chǎn)業(yè)依然維持了較長時間的 強勢地位，日本村田/TDK 等電子元器件廠商、信越/環(huán)球晶圓等硅片廠商以及東京電子/ 愛德萬/迪恩士等半導(dǎo)體設(shè)備大廠至今仍在全球產(chǎn)業(yè)分工中扮演著舉足輕重的角色。由此可 見，半導(dǎo)體設(shè)備和材料的競爭壁壘高、全球產(chǎn)業(yè)競爭格局穩(wěn)定，而在國際貿(mào)易形勢日趨復(fù) 雜化、國內(nèi)實現(xiàn)自主可控決心日益堅定的大環(huán)境下，就給本土半導(dǎo)體材料及設(shè)備企業(yè)實現(xiàn) 從無到有、從弱到強創(chuàng)造了新機遇。

具體來說，半導(dǎo)體設(shè)備和材料處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游，為半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)提供必要的工 具和原料，是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造技術(shù)的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝復(fù)雜，對半導(dǎo)體設(shè)備和材料的 要求極高。以 7nm 技術(shù)節(jié)點為例，由于對半導(dǎo)體設(shè)備和原材料的精度要求達到更精細(xì)的 nm 量級以下，并且集成電路產(chǎn)品的晶圓加工工藝步驟將超過 1000 步，每一步的良率都 將影響到綜合良率，因此對設(shè)備和材料的穩(wěn)定性要求極高。隨著先進制程不斷迭代，其對 半導(dǎo)體設(shè)備和原材料也往往提出更高的精度要求。

中國已成為全球半導(dǎo)體設(shè)備及材料需求大國，國產(chǎn)替代空間廣闊。根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝 置協(xié)會數(shù)據(jù)，2019 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從 2005 年的 328.8 億美元增加至 597.5 億美 元，對應(yīng) 2006-2019 年 CAGR 為 4.4%，同期中國大陸地區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額從 13.3 億 美元增加至 134.5 億美元，對應(yīng) 2006-2019 年 CAGR 為 18.0%，占全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售 額比例從 4.0%提升至 22.5%。根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2018 年全球半導(dǎo)體材料銷售額從 2006 年的 372.4 億美元增加至 519.4 億美元，對應(yīng) 2007-2018 年 CAGR 為 2.8%，同期中國半 導(dǎo)體材料銷售額從 2006 年的 23.8 億美元增加至 84.4 億美元，對應(yīng) 2007-2018 年 CAGR 為 11.1%，占全球半導(dǎo)體材料銷售額比例從 2006 年的 6.4%增加至 16.2%。

本土半導(dǎo)體產(chǎn)能擴張及技術(shù)進步，為國產(chǎn)設(shè)備提供更好的驗證試用平臺

根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)“一代設(shè)備，一代工藝，一代產(chǎn)品”的經(jīng)驗，半導(dǎo)體產(chǎn)品制造要超前電 子系統(tǒng)開發(fā)新一代工藝，而半導(dǎo)體設(shè)備要超前半導(dǎo)體產(chǎn)品制造開發(fā)新一代產(chǎn)品，因此海外 半導(dǎo)體設(shè)備龍頭企業(yè)的技術(shù)發(fā)展歷程均離不開全球一流晶圓廠緊密配合，合作開發(fā)、技術(shù) 協(xié)同和產(chǎn)品驗證至關(guān)重要。

目前，以中芯國際、長江存儲、合肥長鑫為代表的本土半導(dǎo)體制造企業(yè)正分別在邏輯電路 芯片、3D NAND 存儲芯片、DRAM 存儲芯片領(lǐng)域布局先進制程產(chǎn)能，是中國半導(dǎo)體制程 工藝技術(shù)走在最前沿的企業(yè)。中芯國際 28nm 制程的發(fā)展成熟已經(jīng)為本土企業(yè)帶來了可觀 的驗證機會，據(jù)中國電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會數(shù)據(jù)，2019 上半年國產(chǎn)設(shè)備在集成電路生產(chǎn) 線設(shè)備市場占比達到 10%左右。我們認(rèn)為，隨著中芯國際、長江存儲、合肥長鑫等企業(yè) 在工藝技術(shù)上的進一步發(fā)展將為國產(chǎn)設(shè)備帶來更前沿的驗證機會和更廣闊的進口替代市 場，國產(chǎn)設(shè)備份額上升潛力較大。

主流晶圓廠設(shè)備國產(chǎn)化持續(xù)推進，從長江存儲開工至今的設(shè)備招標(biāo)情況來看，中國半導(dǎo)體 設(shè)備國產(chǎn)化已取得階段性突破，本土設(shè)備企業(yè)已在刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備等領(lǐng)域占據(jù)一 定份額。長江存儲是中國大陸工藝技術(shù)走在前沿、現(xiàn)有產(chǎn)能建設(shè)規(guī)劃規(guī)模較大的本土晶圓 廠之一，其招標(biāo)采購的市場份額情況對于評估中國半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化進展具有重要參考 意義。

目前中國本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)中已涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀企業(yè)，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備逐漸呈現(xiàn)譜系化 發(fā)展，其中在細(xì)分領(lǐng)域走在國內(nèi)前列的企業(yè)包括：北方華創(chuàng)（刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、 清洗設(shè)備等）、中微公司（刻蝕設(shè)備）、長川科技（測試設(shè)備）、晶盛機電（硅片生長、加 工設(shè)備）、上海微電子（光刻設(shè)備）、沈陽拓荊（薄膜沉積設(shè)備）、中科儀（真空獲得設(shè)備、 薄膜沉積設(shè)備）、盛美半導(dǎo)體（清洗設(shè)備）、華海清科（CMP 設(shè)備）、南京晶升能源（硅片 生長設(shè)備）等。

在以中芯國際為代表的本土半導(dǎo)體制造大廠大幅擴產(chǎn)（公司公告：2020 年資本開支從 2019 年的 21 億美元增加至 67 億美元）、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)替代持續(xù)推進之際，我們預(yù)計本土 半導(dǎo)體設(shè)備廠商或有望從 2020Q2 開始實現(xiàn)較高的收入增長。從國內(nèi)主流半導(dǎo)體制造企業(yè) 的投資規(guī)劃來看，2020 年或是本土設(shè)備企業(yè)成長新起點，本輪設(shè)備需求的增長周期有望 持續(xù)到 2025 年，為本土企業(yè)實現(xiàn)份額上升提供了重要時間窗口，產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)標(biāo)的包括中 微公司、北方華創(chuàng)等。

國內(nèi)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)鏈從無到有、從弱到強，產(chǎn)業(yè)發(fā)展正進入黃金時期

半導(dǎo)體材料是國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈最薄弱的環(huán)節(jié)之一。中興通訊、福建晉華事件給國內(nèi)半導(dǎo) 體產(chǎn)業(yè)敲響了警鐘，上游原材料和設(shè)備的自主可控迫在眉睫。根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計， 2018 年國內(nèi)半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)國產(chǎn)材料的使用率不足 15%，先進工藝制程和先進封裝領(lǐng)域， 半導(dǎo)體材料的國產(chǎn)化率更低，本土材料的國產(chǎn)替代形勢依然嚴(yán)峻，且部分產(chǎn)品面臨嚴(yán)重的專利技術(shù)封鎖。未來國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進口替代，沒有半導(dǎo)體材料的自主創(chuàng)新，半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)的發(fā)展也是空中樓閣。如果不能早日實現(xiàn)材料與設(shè)備在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)配套環(huán)節(jié)的國產(chǎn)替代， 我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將受制于人。

當(dāng)前國內(nèi)半導(dǎo)體材料的發(fā)展正在快速迎來突破，在過去十年，以 02 專項、國家重點研發(fā) 計劃為代表的產(chǎn)業(yè)政策和專項補貼推動了半導(dǎo)體材料從無到有的起步階段，本土半導(dǎo)體材 料企業(yè)數(shù)量大幅增長，以鼎龍股份的 CMP 研磨墊、江豐電子的靶材、安集微電子的研磨 液、上海硅產(chǎn)業(yè)集團的大硅片為代表的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料進入主流晶圓制造產(chǎn)線進行上線驗 證，部分產(chǎn)品實現(xiàn)了批量供應(yīng)。同時，大基金的進入，大力推動了本土材料產(chǎn)業(yè)的資源整 合和海外人才引入的加速。雖然目前產(chǎn)業(yè)總體正處于起步階段，我們認(rèn)為，2020 年起半 導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)有望進入發(fā)展壯大的黃金時期。

來源：未來智庫

原文標(biāo)題：集成電路產(chǎn)業(yè)專題報告：IC產(chǎn)業(yè)內(nèi)循環(huán)新機遇

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