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反激變壓器的優(yōu)化設(shè)計

芯朋微電子 ? 來源:芯朋微電子 ? 作者:芯朋微電子 ? 2020-10-10 10:16 ? 次閱讀
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攻城獅們在反激變壓器設(shè)計時,需綜合考慮電源電氣指標(biāo)、EMC&安規(guī)、可靠性等因素,控制技術(shù)的快速發(fā)展(如PSR控制、高頻QR、ACF)使得傳統(tǒng)變壓器設(shè)計方法已窮于應(yīng)對,Chipown技術(shù)團(tuán)隊根據(jù)多年實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗,將為大家陸續(xù)專題分享《反激變壓器優(yōu)化設(shè)計》的系列心得,希望能助電源攻城獅們一臂之力!

本期為大家分享AP法則、磁通密度、電流密度和共模噪聲等實(shí)用理論。

變壓器設(shè)計考量

AP法則

1、多大窗口面積Aw可以保證變壓器線圈繞制且安全距離充足?

2、多大磁芯有效截面積Ae可以保證變壓器最大功率下也不飽和?

3、AP值定義為Aw和Ae的乘積,滿足AP值的磁芯及配套骨架為可用變壓器:

變壓器匝比n和初級感量Lp

變壓器匝比n影響Q1的Vds電壓、D1的Vrr電壓,并受最大占空比限制

初級感量Lp影響變換器工作模式:

當(dāng)Lp=Lbcm,芯片工作在BCM模式;

當(dāng)Lp>Lbcm,芯片工作在CCM模式;

當(dāng)Lp

磁通密度

1.反激變壓器有變壓和儲能雙重作用:當(dāng)Q1導(dǎo)通則D1截止,變壓器儲能能量于初級電感Lp中;當(dāng)Q1截止則D1導(dǎo)通,變壓器向次級負(fù)載釋放能量;2.由于反激變換器多基于峰值電流控制,因而Ipmax由控制芯片通過CS電阻限定;3.變壓器磁化曲線在第一象限:為防止變壓器飽和,磁芯需開氣隙,使得最大磁通密度Bm

電流增量

最大原邊電流

最大磁通密度

磁化曲線

電流密度

1.電流密度定義為流過線圈電流有效值除以線圈截面積。電流密度越小,變壓器線圈的發(fā)熱則越小。

2. Krp因子統(tǒng)一了反激變換器的任意模式的優(yōu)化分析:Krp因子越小,變壓器原副邊的電流峰值及有效值越小。不同工作模式下,反激變壓器工作電流波形差異較大,通過Krp因子可簡化計算。

趨膚效應(yīng)、臨近效應(yīng)

1.趨膚效應(yīng):高頻電流流過導(dǎo)體時,越靠近導(dǎo)體表面電流密度越大,越靠近導(dǎo)體中心電流密度較小,結(jié)果使導(dǎo)體損耗增加。導(dǎo)線中電流密度從表面到中心按指數(shù)規(guī)律下降,工程上定義表面下穿透深度以內(nèi)流導(dǎo)線全部電流。

導(dǎo)體穿透深度@20℃

銅導(dǎo)體穿透深度@100℃

2.鄰近效應(yīng):當(dāng)高頻電流在兩導(dǎo)體中彼此反向流動,電流會集中于導(dǎo)體鄰近側(cè)流動。

共模噪聲

由于反激電源內(nèi)部的高頻干擾源電流方向不同,可通過優(yōu)化設(shè)計變壓器使干擾相互抵消:當(dāng)共模平臺電壓向上則增加屏蔽圈數(shù),向下則減少屏蔽圈數(shù),直至共模平臺電壓控制在2V以內(nèi)。

變壓器寄生電容分析模型

共模噪音分析模型

共模噪音波形

后續(xù)Chipown技術(shù)團(tuán)隊將通過深入分析PWM、PFM、QR控制策略,分享從芯片控制入手有針對性的優(yōu)化設(shè)計反激變壓器,各位粉絲敬請關(guān)注!

責(zé)任編輯:YYX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:【芯朋寶典】反激變壓器優(yōu)化設(shè)計之一

文章出處:【微信號:chipown,微信公眾號:芯朋微電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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