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中芯國(guó)際:第二代FinFET N+1工藝有望于2020年底小批量試產(chǎn)

我快閉嘴 ? 來(lái)源:芯智訊 ? 作者:芯智訊 ? 2020-10-12 10:03 ? 次閱讀
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10月11日消息,據(jù)珠海特區(qū)報(bào)近日?qǐng)?bào)道稱,中國(guó)領(lǐng)先的一站式IP和定制芯片領(lǐng)軍企業(yè)——芯動(dòng)科技發(fā)布消息稱,該公司已完成全球首個(gè)基于中芯國(guó)際FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試,所有IP全自主國(guó)產(chǎn),功能一次測(cè)試通過(guò),為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體生態(tài)鏈再立新功。

眾所周知,中芯國(guó)際目前是中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路芯片制造企業(yè),所謂“N+1”工藝是中芯國(guó)際在第一代先進(jìn)工藝14nm量產(chǎn)之后的第二代先進(jìn)工藝的代號(hào)。

根據(jù)中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博此前公布的信息顯示,N+1工藝和現(xiàn)有的14nm工藝相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數(shù)據(jù)來(lái)看,與7nm工藝相近。

梁孟松博士也表示,N+1代工藝在功耗及穩(wěn)定性上跟7nm工藝非常相似,但性能要低一些(業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)是提升35%),所以中芯國(guó)際的N+1工藝主要面向低功耗應(yīng)用的。而在N+1之后,中芯國(guó)際還會(huì)有N+2,這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,區(qū)別在于性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會(huì)增加。

在此前公布的2020年上半年財(cái)報(bào)當(dāng)中,中芯國(guó)際就曾表示,第二代先進(jìn)工藝(N+1)進(jìn)展順利,已進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗(yàn)證階段。

隨后,在今年9月下旬,中芯國(guó)際再度對(duì)外回應(yīng)稱,第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。

結(jié)合珠海特區(qū)報(bào)的報(bào)道來(lái)看,芯動(dòng)科技正是中芯國(guó)際N+1工藝的首批客戶,并有望年底試產(chǎn)。不過(guò),該報(bào)道并未對(duì)芯動(dòng)科技的這款芯片做具體介紹。而在芯動(dòng)科技的上,也并未找到相關(guān)信息。

珠海特區(qū)報(bào)報(bào)道稱,2019年12月,由珠海大橫琴集團(tuán)等共同投資的芯動(dòng)微電子科技(珠海)有限公司正式落地橫琴,并成立“中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體一站式IP及定制量產(chǎn)中心”,立足珠海推動(dòng)粵港澳大灣區(qū)高智能芯片產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展。

自2019年開(kāi)始,芯動(dòng)科技在中芯國(guó)際“N+1”工藝尚待成熟的情況下,技術(shù)團(tuán)隊(duì)全程攻堅(jiān)克難,投入數(shù)千萬(wàn)元進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),其基于中芯國(guó)際“N+1”制程的首款芯片經(jīng)過(guò)持續(xù)數(shù)月、連續(xù)多輪的測(cè)試迭代,成功助力中芯國(guó)際突破“N+1”工藝良率瓶頸,從而向著實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)邁出了堅(jiān)實(shí)一步。

芯動(dòng)科技是何方神圣?

根據(jù)天眼查資料顯示,芯動(dòng)微電子科技(珠海)有限公司成立于2019年11月,注冊(cè)資本10526.3157萬(wàn)元,法人代表和控股股東均為敖海,持股42.75%。同時(shí)敖海也是蘇州芯動(dòng)科技有限公司的控股股東,持股95%。

這兩家公司都是成立于2006年的武漢芯動(dòng)科技有限公司附屬公司,敖海也是武漢芯動(dòng)科技的總經(jīng)理。

資料顯示,敖海具有15年北美高端芯片綜合研發(fā)和管理經(jīng)驗(yàn),是國(guó)家千人計(jì)劃引進(jìn)專家,擁有多項(xiàng)發(fā)明專利。

根據(jù)天眼查資料顯示,武漢芯動(dòng)科技成立于2006年7月,注冊(cè)資本1000萬(wàn)元,控股股東為敖濟(jì)康,持股94.8%,另一位股東是陳建兵,持股5.2%。公司核心團(tuán)隊(duì)也是兩人,分別是敖濟(jì)康和敖鋼。其中,敖濟(jì)康是執(zhí)行董事兼總經(jīng)理,兼任兼任武漢光谷集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)研發(fā)推廣中心有限公司執(zhí)行董事。敖鋼則是副總裁,他是紐約州立大學(xué)訪問(wèn)學(xué)者、武漢市十大優(yōu)秀留學(xué)回國(guó)人員。

而根據(jù)荊楚網(wǎng)2016年的一篇報(bào)道顯示,據(jù)時(shí)任武漢芯動(dòng)科技總經(jīng)理的敖海介紹,武漢芯動(dòng)科技是由4名從硅谷回國(guó)的年輕科學(xué)家創(chuàng)立。所以可以猜測(cè),這四人應(yīng)該就是敖海、敖濟(jì)康、敖鋼和陳建兵。

根據(jù)芯動(dòng)科技的介紹,芯動(dòng)科技有限公司(Innosilicon)是一家高端混合電路芯片設(shè)計(jì)公司,公司在中國(guó)和北美都有設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。在武漢東湖高新區(qū)、西安高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)、蘇州工業(yè)園區(qū)和寧波芯空間等地設(shè)有研發(fā)中心,在北京、深圳、上海、香港、硅谷、多倫多等地設(shè)有辦事處。

該公司目前的產(chǎn)品有IP方案、定制芯片和數(shù)字加密服務(wù)器三種類別。目前已實(shí)現(xiàn)從180nm到5nm工藝高速混合電路IP核全覆蓋,且所有IP均自主可控。在芯片定制方面,涵蓋了從55nm到7nm先進(jìn)工藝,擁有創(chuàng)紀(jì)錄(》 200次流片)和年10萬(wàn)片F(xiàn)inFET晶圓授權(quán)量產(chǎn)的驕人業(yè)績(jī),并且成功率高達(dá)100%。

號(hào)稱與中芯國(guó)際、GF、三星、臺(tái)積電和富士通都是簽約合作的IP伙伴,支持了華為海思、中興通訊、瑞芯微、君正、AMD、Microsoft、Amazon、Microchip、Cypress、Micron、Synaptics、Google、OnSemi等國(guó)內(nèi)外知名企業(yè)數(shù)十億顆芯片量產(chǎn),連續(xù)10年中國(guó)市場(chǎng)份額遙遙領(lǐng)先。

資料顯示,芯動(dòng)科技最開(kāi)始是做光通信芯片,后來(lái)轉(zhuǎn)型做比特幣挖礦機(jī)芯片,推出了多款礦機(jī)芯片(比如采用10nm工藝的INNOSILICON T2 ,擁有 17.2TH/s 的算力,單位功耗為 91W/THs)并獲得了成功,曾一度與比特大陸、嘉楠科技、億邦國(guó)際等礦機(jī)廠商正面競(jìng)爭(zhēng)。在比特幣礦機(jī)市場(chǎng)遇冷之后,開(kāi)始轉(zhuǎn)向其他IP和定制芯片開(kāi)發(fā),并取得了不錯(cuò)的成績(jī)。

資料顯示,2018年芯動(dòng)科技在全球范圍內(nèi)率先攻克頂級(jí)難度的GDDR6高帶寬數(shù)據(jù)瓶頸,并量產(chǎn)性能領(lǐng)先的加密計(jì)算GPU;率先掌握0.35V以下近閾值電壓低功耗計(jì)算技術(shù),2020年推出中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)的INNOLINK Chiplet高性能計(jì)算平臺(tái)(CPU/GPU/NPU),在各FinFET先進(jìn)工藝上定制多款芯片,全部一次成功上量。

今年6月,芯動(dòng)科技宣布基于中芯國(guó)際14nm工藝的多款高性能國(guó)產(chǎn)自主可控高速接口IP在國(guó)內(nèi)主流客戶SOC產(chǎn)品上,一次驗(yàn)證成功,進(jìn)入商用量產(chǎn)。

芯動(dòng)科技與長(zhǎng)電科技的糾葛

值得一提的是,在今年4月,芯動(dòng)科技起訴長(zhǎng)電科技發(fā)索賠2500萬(wàn)美元(約合人民幣1.75億元)一事,受到業(yè)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。

根據(jù)長(zhǎng)電科技的公告顯示,芯動(dòng)公司自2017年8月起委托長(zhǎng)電科技控股子公司星科金朋為其比特幣礦機(jī)芯片提供芯片封裝服務(wù),至2018年3月底,芯動(dòng)公司應(yīng)付星科金朋封裝測(cè)試服務(wù)費(fèi)約800萬(wàn)美元,至2018年6月,應(yīng)付服務(wù)費(fèi)增加至1,325萬(wàn)美元。

但是,隨后芯動(dòng)公司以星科金朋封裝測(cè)試的芯片質(zhì)量不合格為由,拒絕支付全部服務(wù)費(fèi) 1,325 萬(wàn)美元。

對(duì)此,長(zhǎng)電科技及控股子公司星科金朋暫扣了芯動(dòng)公司交由星科金朋封裝測(cè)試的芯片及庫(kù)存晶圓。

此次訴訟,正是芯動(dòng)公司對(duì)長(zhǎng)電科技的反擊。芯動(dòng)公司起訴稱,其與長(zhǎng)電科技在2018年3月簽訂了《委托芯片封裝設(shè)計(jì)及加工合同》,長(zhǎng)電科技向其提供芯片封裝服務(wù),“由于封裝質(zhì)量不合格,造成芯片不能正常工作,給其造成來(lái)料成本損失達(dá) 14,151,390 美元。此外,被長(zhǎng)電科技暫扣的芯片及庫(kù)存晶圓損失也達(dá)到了 12,864,130 美元,損失共計(jì) 2500萬(wàn)美元。

芯動(dòng)公司依據(jù)《委托芯片封裝設(shè)計(jì)及加工合同》的合同履行爭(zhēng)議事項(xiàng),向無(wú)錫市中級(jí)人民法院提起訴訟,要求長(zhǎng)電科技賠償2500萬(wàn)美元損失。

針對(duì)芯動(dòng)公司以“質(zhì)量索賠”為由起訴長(zhǎng)電科技一事,5月1日晚間,長(zhǎng)電科技通過(guò)微信公眾號(hào)做出了正面回應(yīng),發(fā)布了嚴(yán)正聲明稱,經(jīng)初步調(diào)查,芯動(dòng)公司涉嫌商業(yè)欺詐具體行為如下:

(1)芯動(dòng)公司向我司新加坡子公司星科金朋提供虛假偽造資料,夸大注冊(cè)資本,篡改股東身份信息,騙取星科金朋商業(yè)付款信用;

(2)芯動(dòng)公司通過(guò)其刻意設(shè)計(jì)復(fù)雜的交易架構(gòu)蓄意進(jìn)行商業(yè)欺詐。其公司注冊(cè)于島國(guó)薩摩亞,在香港匯豐銀行開(kāi)立結(jié)算賬戶。中途切換業(yè)務(wù)主體至香港亨通,并指定由香港亨通履行付款義務(wù),但香港亨通從未償付過(guò)任何貨款;

(3)芯動(dòng)公司在2018年3月遭遇礦機(jī)市場(chǎng)經(jīng)營(yíng)困境時(shí)為拖延貨款提出所謂“質(zhì)量問(wèn)題”后,屢次回避拒絕星科金朋提出的關(guān)于停止生產(chǎn),澄清質(zhì)量問(wèn)題的要求,反而提出希望加快生產(chǎn)出貨,致使拖欠貨款超過(guò)一千三百萬(wàn)美元(我司已于2018年計(jì)提壞賬減值);

(4)2018年至2019年在我司業(yè)務(wù)人員一直與芯動(dòng)公司多方溝通,敦促其支付長(zhǎng)期拖欠我司的賬款。我司負(fù)責(zé)人主動(dòng)多次走訪芯動(dòng)公司及其產(chǎn)品裝配生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng),對(duì)封裝樣品進(jìn)行多次驗(yàn)證并給出質(zhì)量驗(yàn)證報(bào)告,表明我司加工環(huán)節(jié)無(wú)責(zé)后,芯動(dòng)公司不但沒(méi)有積極配合澄清問(wèn)題,反而采取不接聽(tīng)電話,拒絕拜訪,或以抵扣貨款為預(yù)設(shè)前提的商談,拒絕回避正常合理的溝通;

(5)我司在積極努力溝通無(wú)果后,多次要求芯動(dòng)公司進(jìn)行第三方檢驗(yàn),但未得到對(duì)方回應(yīng)和配合,其反而通過(guò)多方個(gè)人渠道尋找關(guān)系尋求與我司的非正常商務(wù)和解。

長(zhǎng)電科技稱,堅(jiān)決抵制芯動(dòng)公司的商業(yè)欺詐訛詐行為。

值得注意的是,在2016年到2019年間,芯動(dòng)科技也曾涉入一樁訴訟案。EDA巨頭新思科技(Synopsys)狀告芯動(dòng)科技使用了未經(jīng)授權(quán)的HSPICE、Primetime、DesignCompiler、VCS、ICCompiler軟件。

今年1月,湖北省武漢市中級(jí)人民法院做出裁決,要求芯動(dòng)科技停止侵權(quán),刪除與以上軟件相關(guān)的電腦內(nèi)容,并分別賠償100萬(wàn)元、100萬(wàn)元、100萬(wàn)元、70萬(wàn)元、500萬(wàn)元,并承擔(dān)新思科技為制止侵權(quán)行為所支付的合理費(fèi)用。
責(zé)任編輯:tzh

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    20254月16日,在上海舉行的三電關(guān)鍵技術(shù)高峰論壇上,方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品,性能達(dá)到國(guó)際頭部領(lǐng)先水平。
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    小批量PCBA打樣避坑指南:讓你少走彎路,快速出樣!

    產(chǎn)品投放市場(chǎng)前的初期試產(chǎn)階段,小批量打樣都起著決定性的作用。然而,為了確保打樣順利,工程師在委托PCBA代工廠進(jìn)行打樣時(shí),需要關(guān)注幾個(gè)重要的細(xì)節(jié)和注意事項(xiàng)。 小批量PCBA打樣的注意事項(xiàng) 一、元器件采購(gòu)與選型
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