2025年4月16日，在上海舉行的三電關鍵技術高峰論壇上，方正微電子副總裁彭建華先生正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅SiC MOS 1200V 13mΩ產品，性能達到國際頭部領先水平。方正微電子第二代車規(guī)主驅SiC MOS在第一代的高可靠基礎上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現(xiàn)了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業(yè)通用認證要求：高導通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時）以及可支持1000VDC電驅系統(tǒng)”等特點。

這標志著方正微電子作為國內領先的三代半IDM企業(yè)，在車規(guī)SiC MOS領域，持續(xù)引領中國三代半發(fā)展！

方正微電子的車規(guī)主驅第一代SiC MOS早已大規(guī)模上車，預計2025年將實現(xiàn)上乘用車主驅幾十萬輛車的新跨越。方正微電子車規(guī)/工規(guī)SiC全系產品聚焦新能源車、光儲充、UPS、工業(yè)電源、AI服務器以及新興應用機器人、eVTOL、電動船舶等應用領域，已大規(guī)模出貨，服務行業(yè)客戶。

（備注：方正微電子第二代車規(guī)主驅SiC MOS對標行業(yè)頭部友商最新的第四代車規(guī)主驅產品）