chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

npj:預(yù)測(cè)半導(dǎo)體本征電荷輸運(yùn)性質(zhì)

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學(xué)術(shù)圈 ? 作者:知社學(xué)術(shù)圈 ? 2020-10-13 16:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

利用新的理論、新計(jì)算工具和強(qiáng)大的計(jì)算能力,電子材料的計(jì)算篩選是實(shí)驗(yàn)探索的一種有效而經(jīng)濟(jì)的選擇。例如這些計(jì)算工具協(xié)助發(fā)現(xiàn)了諸如TmAgTe2、NbFeSb、NbCoSn和CdIn2Te4等許多新的高性能熱電(TE)候選材料。人們還借此類工具探索出高遷移率的氧化物、發(fā)現(xiàn)了作為透明導(dǎo)體的新材料,并可能應(yīng)用于顯示器、發(fā)光二極管和太陽能電池等。一些通過計(jì)算確定的TE候選材料(如Ba2BiTaO6和TaIrGe)已得到實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。許多以前的工作都是基于載流子遷移率μ、電導(dǎo)率σ和塞貝克系數(shù)S的預(yù)測(cè)。盡管基于Boltzmann輸運(yùn)方程(BTE)的最新工具和理論能夠準(zhǔn)確預(yù)測(cè)電子和聲子的輸運(yùn)性質(zhì),但其高復(fù)雜性和高計(jì)算成本,限制了其高通量篩選預(yù)測(cè)。

該研究提出了一種計(jì)算效率高的第一性原理方法,以預(yù)測(cè)半導(dǎo)體本征電荷輸運(yùn)性質(zhì)。來自新加坡科學(xué)技術(shù)研究局高性能計(jì)算研究所的Gang Wu和Shuo-Wang Yang共同領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì),通過引入廣義Eliashberg函數(shù)并加入光學(xué)聲子極化、雜質(zhì)散射和自由載流子屏蔽等過程,經(jīng)過密度泛函微擾理論的計(jì)算,使該方法在計(jì)算量很小的情況下,尤其對(duì)非極性和極性半導(dǎo)體都能實(shí)現(xiàn)高保真度。該研究論證了極性光學(xué)聲子散射的重要性,這表明在研究極性半導(dǎo)體的電子性質(zhì)時(shí),在沒有考慮極性光學(xué)聲子散射時(shí),需格外小心。通過與Si、GaAs、Mg2Si和NbFeSb的實(shí)驗(yàn)和理論結(jié)果進(jìn)行的比較,作者驗(yàn)證了這一方法的可靠性,并揭示了NaInSe2是一種潛在的新型熱電材料。該方法的提出可廣泛應(yīng)用于高遷移率半導(dǎo)體和高性能熱電光伏材料的高通量篩選。

該文近期發(fā)表于npj Computational Materials6:46 (2020),英文標(biāo)題與摘要如下。

EPIC STAR: a reliable and efficient approach for phonon- and impurity-limited charge transport calculations

Tianqi Deng, Gang Wu, Michael B. Sullivan, Zicong Marvin Wong, Kedar Hippalgaonkar, Jian-Sheng Wang & Shuo-Wang Yang

A computationally efficient first-principles approach to predict intrinsic semiconductor charge transport properties is proposed. By using a generalized Eliashberg function for short-range electron–phonon scattering and analytical expressions for long-range electron–phonon and electron–impurity scattering, fast and reliable prediction of carrier mobility and electronic thermoelectric properties is realized without empirical parameters. This method, which is christened “Energy-dependent Phonon- and Impurity-limited Carrier Scattering Time AppRoximation (EPIC STAR)” approach, is validated by comparing with experimental measurements and other theoretical approaches for several representative semiconductors, from which quantitative agreement for both polar and non-polar, isotropic and anisotropic materials is achieved. The efficiency and robustness of this approach facilitate automated and unsupervised predictions, allowing high-throughput screening and materials discovery of semiconductor materials for conducting, thermoelectric, and other electronic applications.

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:npj: EPIC STAR—限制聲子和雜質(zhì)的電荷輸運(yùn)的計(jì)算

文章出處:【微信公眾號(hào):知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    30025

    瀏覽量

    258602
  • 電荷
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    663

    瀏覽量

    37218
  • 聲子晶體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    3

    瀏覽量

    7455
  • 電子材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    68

    瀏覽量

    11122

原文標(biāo)題:npj: EPIC STAR—限制聲子和雜質(zhì)的電荷輸運(yùn)的計(jì)算

文章出處:【微信號(hào):zhishexueshuquan,微信公眾號(hào):知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安世半導(dǎo)體蒞臨法電子參觀交流

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商安世半導(dǎo)體(Nexperia)中國(guó)區(qū)銷售負(fù)責(zé)人一行蒞臨我司參觀交流。法電子高層管理團(tuán)隊(duì)全程陪同,雙方圍繞產(chǎn)業(yè)技術(shù)趨勢(shì)、市場(chǎng)合作及未來戰(zhàn)略規(guī)劃進(jìn)行了深入交流。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 10:51 ?1040次閱讀

    現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

    目錄 第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合 第3章?器件制造技術(shù) 第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié) 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    功率半導(dǎo)體器件——理論及應(yīng)用

    本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性,有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。 書中內(nèi)容由淺入深,從半導(dǎo)體性質(zhì)、基本的
    發(fā)表于 07-11 14:49

    大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

    有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手?;蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
    發(fā)表于 06-24 15:10

    化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

    化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s,電阻率達(dá)10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?2136次閱讀
    化合物<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件的定義和制造工藝

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

    電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難,且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介紹一種能把
    發(fā)表于 05-10 22:32

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

    潛在可靠性問題;與傳統(tǒng)封裝級(jí)測(cè)試結(jié)合,實(shí)現(xiàn)全周期可靠性評(píng)估與壽命預(yù)測(cè)。 關(guān)鍵測(cè)試領(lǐng)域與失效機(jī)理 WLR技術(shù)聚焦半導(dǎo)體器件的可靠性,覆蓋以下核心領(lǐng)域: 金屬化可靠性——電遷移:互連測(cè)
    發(fā)表于 05-07 20:34

    模電200問(有問有答)

    等方面也特別突出;但是在失真度和穩(wěn)定性等方面不及真空器件。 2、什么是半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體? 答:純凈的半導(dǎo)體就是
    發(fā)表于 04-21 16:22

    模電200問

    1、半導(dǎo)體材料制作電子器件與傳統(tǒng)的真空電子器件相比有什么特點(diǎn)? 2、什么是半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體? 3、空穴是一種載流子嗎?空穴導(dǎo)電時(shí)電子
    發(fā)表于 04-07 10:21

    MOS管及增益簡(jiǎn)介

    MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫,是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件,它通過電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路的電流,這一特性使其得名。
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:09 ?1987次閱讀
    MOS管及<b class='flag-5'>本</b><b class='flag-5'>征</b>增益簡(jiǎn)介

    鎵在半導(dǎo)體制造中的作用

    隨著科技的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。在眾多半導(dǎo)體材料中,鎵因其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),在半導(dǎo)體制造中占據(jù)了一席之地。 鎵的基本
    的頭像 發(fā)表于 01-06 15:11 ?2500次閱讀

    半導(dǎo)體的作用

    半導(dǎo)體是一類具有特殊電學(xué)性質(zhì)的材料,其導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間。半導(dǎo)體在現(xiàn)代科技和工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色,以下是半導(dǎo)體的一些主要作用:
    的頭像 發(fā)表于 01-02 16:31 ?3867次閱讀

    半導(dǎo)體,最新預(yù)測(cè)

    的一些預(yù)測(cè)。接受調(diào)查的半導(dǎo)體高管中約有92%預(yù)測(cè)2025年整個(gè)行業(yè)將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。由于人工智能、云、數(shù)據(jù)中心、無線通信和汽車應(yīng)用的發(fā)展,對(duì)芯片的需求將持續(xù)增長(zhǎng),畢馬威
    的頭像 發(fā)表于 12-27 10:03 ?1006次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>,最新<b class='flag-5'>預(yù)測(cè)</b>

    全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

    近日,根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)最新發(fā)布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來幾年將保持穩(wěn)健增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。 具體而言,預(yù)計(jì)2024年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到6269億美元,相比前
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:48 ?1550次閱讀

    半導(dǎo)體劃片機(jī)在鐵氧體劃切領(lǐng)域的應(yīng)用

    是對(duì)半導(dǎo)體劃片機(jī)在鐵氧體劃切領(lǐng)域應(yīng)用的詳細(xì)闡述:一、半導(dǎo)體劃片機(jī)的工作原理與特點(diǎn)半導(dǎo)體劃片機(jī)是一種使用刀片或通過激光等方式高精度切割被加工物的裝置,是半導(dǎo)體后道封測(cè)中
    的頭像 發(fā)表于 12-12 17:15 ?1086次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>劃片機(jī)在鐵氧體劃切領(lǐng)域的應(yīng)用