文章來(lái)源：電子技術(shù)設(shè)計(jì)

作者：廖均

電力電子朝向碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬能隙（WBG）材料發(fā)展，雖然硅仍然占據(jù)市場(chǎng)主流，但SiC與GaN器件很快就會(huì)催生新一代更高效的技術(shù)解決方案。

據(jù)總部位于法國(guó)的市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole Développement估計(jì)，到2025年SiC器件市場(chǎng)營(yíng)收將占據(jù)整體電力電子市場(chǎng)的10%以上，GaN器件的營(yíng)收比例會(huì)超過(guò)2%。

SiC組件的知名供貨商包括意法半導(dǎo)體（ST）、Cree/Wolfspeed、羅姆、英飛凌、安森美半導(dǎo)體（On Semiconductor）以及三菱（Mitsubishi Electric）。

Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET以及Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合；Microchip和ROHM均已發(fā)布SiC MOSFET和二極管；英飛凌在推出了8款650V CoolSiC MOSFET器件。。.。。.由此看出各大廠商在SiC材料方面均有所布局并有著自己的發(fā)展策略。

碳化硅較硅有何性能優(yōu)勢(shì)？

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車(chē)，以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰(zhàn)。

SiC由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢(shì)：更高的臨界雪崩擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的導(dǎo)熱系數(shù)和更寬的禁帶。

SiC具有3電子伏特（eV）的寬禁帶，可以承受比硅大8倍的電壓梯度而不會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。禁帶越寬，在高溫下的漏電流就越小，效率也越高。而導(dǎo)熱系數(shù)越大，電流密度就越高。

圖1：碳化硅相較于硅的性能優(yōu)勢(shì)

SiC襯底具有更高的電場(chǎng)強(qiáng)度，因而可以使用更薄的基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)，其厚度可能僅為硅外延層的十分之一。此外，SiC的摻雜濃度比硅高2倍，因此器件的表面電阻降低了，傳導(dǎo)損耗也顯著減少。

SiC現(xiàn)已公認(rèn)為是一種能夠可靠替代硅的技術(shù)。許多電源模塊和電源逆變器制造商已在其未來(lái)產(chǎn)品路線圖中規(guī)劃使用SiC技術(shù)。

這種寬禁帶技術(shù)大幅降低了特定負(fù)載下的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，改善了散熱管理，提供了前所未有的能效。在功率電子系統(tǒng)中，散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要，它能確保高能量密度，同時(shí)縮小電路尺寸。在這些應(yīng)用中，SiC因其3倍于硅半導(dǎo)體的導(dǎo)熱系數(shù)而成為理想的半導(dǎo)體材料。

SiC技術(shù)適用于功率較高的項(xiàng)目，例如電動(dòng)機(jī)、驅(qū)動(dòng)器和逆變器。電驅(qū)動(dòng)器制造商正在開(kāi)發(fā)新的驅(qū)動(dòng)電路，以滿(mǎn)足轉(zhuǎn)換器對(duì)更高開(kāi)關(guān)頻率的需求，并采用更復(fù)雜巧妙的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)來(lái)減小電磁干擾（EMI）。

SiC器件所需的外部元器件更少，系統(tǒng)布局更可靠，制造成本也更低。由于效率更高、外形尺寸更小以及重量更輕，智能設(shè)計(jì)的冷卻要求也相應(yīng)降低。

碳化硅的應(yīng)用

電動(dòng)汽車(chē)/混動(dòng)汽車(chē)

幾家汽車(chē)制造商運(yùn)用全新的動(dòng)力概念，在市場(chǎng)上率先推出了混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)。這些車(chē)輛包含新的器件和系統(tǒng)，例如為發(fā)動(dòng)機(jī)提供動(dòng)力的變頻器（最高達(dá)300kW）、3.6W至22kW車(chē)載電池充電器、3.6kW至22kW感應(yīng)充電器（無(wú)線充電）、高達(dá)5kW的DC/DC轉(zhuǎn)換器，以及用于空調(diào)和動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)等輔助負(fù)荷的逆變器。

新型高壓電池是混動(dòng)和電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展的主要障礙之一。利用SiC，汽車(chē)制造商可以縮小電池尺寸，同時(shí)降低電動(dòng)汽車(chē)的總成本。

此外，由于SiC具有良好的散熱性能，因此制造商還可以降低冷卻動(dòng)力總成器件的成本。這有助于減小電動(dòng)汽車(chē)的重量并降低成本。

電動(dòng)汽車(chē)/混動(dòng)汽車(chē)也是安森美半導(dǎo)體的SiC戰(zhàn)略重點(diǎn)市場(chǎng)之一。在近日舉辦的“安森美半導(dǎo)體碳化硅策略及方案”在線媒體交流會(huì)上，該公司電源方案部產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理王利民介紹說(shuō)，

電動(dòng)汽車(chē)是碳化硅的主要驅(qū)動(dòng)力之一，將占整個(gè)碳化硅市場(chǎng)容量約60%。碳化硅器件應(yīng)用于主驅(qū)、OBC和DC-DC，可大幅度提高效率，因此能給電動(dòng)汽車(chē)增加續(xù)航能力。基于這些優(yōu)點(diǎn)，目前幾乎所有做主驅(qū)逆變器的廠家都以研究碳化硅做主驅(qū)為方向。

圖2：電動(dòng)汽車(chē)是碳化硅的主要驅(qū)動(dòng)力之一

車(chē)載充電器包含各種功率轉(zhuǎn)換器件，例如二極管和MOSFET。其目標(biāo)是通過(guò)使用小尺寸無(wú)源元件，使功率電子電路體積變小，從而將它們?nèi)考稍谝黄稹?/p>

如果所用的半導(dǎo)體器件能夠用高開(kāi)關(guān)頻率在相同的電路中進(jìn)行控制，就可以實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)。但是，由于硅的散熱性能不夠好，高開(kāi)關(guān)頻率解決方案并不適用。SiC MOSFET為此類(lèi)應(yīng)用提供了理想的解決方案。

目前絕大部分OBC和DC-DC廠家是使用碳化硅器件作為高效、高壓和高頻率的功率器件。

王利民舉例說(shuō)，

美國(guó)加利福尼亞州已簽署行政命令，到2030年實(shí)現(xiàn)500萬(wàn)輛電動(dòng)車(chē)上路的目標(biāo)；

歐洲也有電動(dòng)汽車(chē)全部替換燃油車(chē)的時(shí)間表；

而在中國(guó)各大一線城市，電動(dòng)汽車(chē)可以零費(fèi)用上牌。

這一系列政策都推動(dòng)了電動(dòng)汽車(chē)的大幅增長(zhǎng)，電動(dòng)汽車(chē)對(duì)于高壓、高頻率和高效率器件的需求也推動(dòng)了碳化硅市場(chǎng)的大幅增長(zhǎng)。

5G電源和開(kāi)關(guān)電源

5G電源和開(kāi)關(guān)電源（SMPS）領(lǐng)域是安森美半導(dǎo)體的第二個(gè)碳化硅戰(zhàn)略市場(chǎng)。

傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域是Boost及高壓電源，對(duì)功率密度一直都有很高的要求，從最早通信電源的金標(biāo)、銀標(biāo)，到現(xiàn)在的5G通信電源和云數(shù)據(jù)中心電源，這些都對(duì)高能效有很高的要求。

“碳化硅器件沒(méi)有反向恢復(fù)，使得電源能效非常高，可達(dá)到98%。電源和5G電源是碳化硅器件最傳統(tǒng)、也是目前相對(duì)較大的一個(gè)市場(chǎng)?！蓖趵裾f(shuō)。

圖3：碳化硅可用于5G電源和開(kāi)關(guān)電源中

電動(dòng)汽車(chē)充電樁

電動(dòng)汽車(chē)充電樁也是我們碳化硅戰(zhàn)略市場(chǎng)之一。充電樁實(shí)現(xiàn)的方案有很多種，現(xiàn)在消費(fèi)者最感興趣的就是直流快充。

直流快充的充電樁需要非常大的充電功率以及非常高的充電效率，這些都需要通過(guò)高電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。

在電動(dòng)汽車(chē)充電樁的應(yīng)用里，碳化硅無(wú)論是在Boost，還是輸出的二極管，目前有很多使用主開(kāi)關(guān)的碳化硅MOSFET電動(dòng)汽車(chē)充電樁方案，其應(yīng)用前景非常廣闊。

圖4：電動(dòng)汽車(chē)充電樁也是碳化硅的一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域

太陽(yáng)能逆變器

在太陽(yáng)能逆變器領(lǐng)域，碳化硅二極管的使用量也非常巨大。太陽(yáng)能逆變器的安裝量每年持續(xù)增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)10~15年會(huì)有15%的能源（目前是1%）來(lái)自太陽(yáng)能。太陽(yáng)能是免費(fèi)的，且取之不盡用之不竭。國(guó)內(nèi)已出臺(tái)相關(guān)政策，個(gè)人可以把太陽(yáng)能電力賣(mài)給國(guó)家電網(wǎng)。

“碳化硅半導(dǎo)體可應(yīng)用于太陽(yáng)能逆變器的Boost。隨著太陽(yáng)能逆變器成本的優(yōu)化，不少?gòu)S家會(huì)使用碳化硅的MOSFET作為主逆變的器件，用來(lái)替換原來(lái)的三電平（逆變器）控制復(fù)雜電路。”王利民說(shuō)，“在政策驅(qū)動(dòng)方面，歐盟有20-20-20目標(biāo)，即到2020年，能效提高20%，二氧化碳排放量降低20%，可再生能源達(dá)到20%。NEA也設(shè)定了清潔能源目標(biāo)，到2030年要滿(mǎn)足中國(guó)20%的能源需求?！?/p>

圖5：碳化硅在太陽(yáng)能逆變器中的應(yīng)用

結(jié)語(yǔ)

長(zhǎng)期可靠性已成為SiC MOSFET的標(biāo)志。功率半導(dǎo)體制造商接下來(lái)的任務(wù)是開(kāi)發(fā)多芯片功率模塊或混合模塊，將傳統(tǒng)的硅晶體管和SiC二極管集成在同一物理器件上。由于具有較高的擊穿電壓，這些模塊可以在更高的溫度下工作。它們還能提供高效率，同時(shí)進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。

從目前的市場(chǎng)價(jià)格來(lái)看，SiC MOSFET相較于硅IGBT具有系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)，而且，隨著150 毫米晶圓制造被廣泛采用，預(yù)計(jì)SiC MOSFET的價(jià)格還將繼續(xù)下降。

一些制造商已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)200毫米（8英寸）晶圓。隨著晶圓尺寸的增加，每個(gè)裸片的成本將會(huì)降低，但良率也可能降低。因此，制造商必須不斷改進(jìn)工藝。

然而，由于SiC器件的制造工藝成本較高，并且缺乏量產(chǎn)，因而很難被廣泛使用。SiC器件的批量生產(chǎn)需要精心設(shè)計(jì)的穩(wěn)健架構(gòu)和制造工藝，例如在晶圓測(cè)試中，要求被測(cè)試的器件尺寸更小并且工作在較高的電流和電壓范圍內(nèi)。

一旦解決了這些難題，OEM設(shè)計(jì)師將會(huì)采用更多的SiC器件，充分利用其良好的電氣特性，大幅降低系統(tǒng)成本并提高整體效率。

責(zé)任編輯：haq