電子顯微鏡下英特爾的14nm+++和臺積電的7nm
單純從名字上看，臺積電在工藝制成方面明顯領(lǐng)先于英特爾，不過情況似乎并不是這樣，此前英特爾也表示，臺積電的命名方式有爭議，并非按照實際物理數(shù)值。臺積電也表示，很早就不按照物理數(shù)值命名了。那么英特爾和臺積電的制程工藝差多少呢？ 一位加拿大博主拿來電子顯微鏡，專門對比了英特爾的14nm+++和臺積電的7nm，對應(yīng)產(chǎn)品為i9-10900K和銳龍9 3950X。結(jié)果比較有意思，雖然兩者命名差距很大，但從電子顯微鏡中看，兩者差別很小。
英特爾14nm+++和臺積電的7nm
英特爾14nm+++和臺積電的7nm 實際上英特爾14nm+++的晶體管柵格寬度為24nm，而臺積電7nm的晶體管柵格寬度為22nm，而且柵格高度也很相似。從數(shù)據(jù)上看臺積電7nm確實領(lǐng)先英特爾14nm+++，但領(lǐng)先幅度非常有限。如此看來，英特爾的10nm超越臺積電7nm是沒有問題的，看來在營銷方面，臺積電還是有一手啊。
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