本應(yīng)用筆記介紹了MLX10803的Buck拓?fù)渲衅骄?a target="_blank">LED電流的依賴性。由于它被設(shè)計為以低于150 kHz的開關(guān)頻率工作，因此本文檔將介紹如何使用前饋補償網(wǎng)絡(luò)解決相關(guān)性。

理論：切換延遲

由于內(nèi)部傳播延遲而導(dǎo)致的延遲

在上面的圖片（圖1）中，線圈電流的IREF / VREF引腳上定義的閾值達(dá)到了1。但是，MLX10803在檢測到電流之間的內(nèi)部延遲時間為T_InternalDelay（?50 ns）。 RSense的閾值（為1），DRVOUT上的FET的實際開關(guān)為2。

備注：此延遲與去抖動時間（Tdeb?30 ns）無關(guān)。Tdeb旨在消除由于RSense引腳上的振鈴而引起的任何問題。

由于驅(qū)動器FET的下降斜率而導(dǎo)致的延遲

關(guān)斷FET所需的時間會產(chǎn)生一個額外的延遲：T_FEToff_delay

例如：

當(dāng)使用EVB10803_1降壓評估板（其中SOT223 BSP318s以R2 = 100Ω驅(qū)動）時，F(xiàn)ET的關(guān)閉延遲約為30 ns。

相比之下，SOT23 PMV213SN具有較小的柵極電容，再加上100Ω的驅(qū)動電阻會增加?120 ns的延遲（見圖2）。

由于開關(guān)延遲，ILED的電源依賴性

LED平均電流的誤差取決于電源。

[tex]我_ {error} = frac {V_ {sup} -V_ {LED}} {L}乘以T_ {totalhspace {1mm} offhspace {1mm} delay} [/ tex]

和：

[tex] T_ {totalhspace {1mm} offhspace {1mm} delay} = T_ {內(nèi)部
延遲} + T_ {FEToffDelay} [/ tex]

評論：

FET的下降沿通常是主要因素。減小T_FETToffDelay將增加FM無線電頻帶中的EMC噪聲。可以通過在FET的源極路徑中添加鐵氧體磁珠來改善FM無線電頻帶中的這種噪聲。

增加電感值L也會降低Ierror。

通過在Rsense（R7）上的電壓之上加上與電源有關(guān)的電壓，可以實現(xiàn)補償。當(dāng)電源電壓上升時，這會增加RSENSE輸入引腳上的電壓。當(dāng)電源電壓升高時，這會降低峰值電流閾值，從而穩(wěn)定了LED電流。

實際實現(xiàn)是通過添加2個電阻R1和R6完成的。這將產(chǎn)生一個補償電流，其近似值為：

[tex] I_ {VCMP} =-[frac {R_ {6} /（R_ {6} + R_ {1}）乘以V_ {S}} {R_ {7}}] [/ tex]

電流補償斜率由–R6 /（R6 + R1）確定，可用于補償由于非零關(guān)閉延遲而導(dǎo)致的ILED上升。需要進(jìn)行一些實驗才能找到正確的值。

下面的應(yīng)用原理圖以及下面的補償網(wǎng)絡(luò)已將供電依賴性降低到±1％以下。
* R1 =引腳8和引腳5之間的47kΩMLX10803
* R6 = R3和引腳5之間的電阻200ΩMLX10803

編輯：hfy