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三大存儲(chǔ)巨頭對(duì)車(chē)用市場(chǎng)進(jìn)行布局 車(chē)用存儲(chǔ)器的前景不可限量

454398 ? 來(lái)源:愛(ài)集微 ? 作者:愛(ài)集微 ? 2021-03-29 15:36 ? 次閱讀
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據(jù)預(yù)測(cè),2021年的全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)增速約為12%,而存儲(chǔ)技術(shù)增速則將達(dá)到19%,產(chǎn)值也會(huì)達(dá)到1460億美元,其中就包括了存儲(chǔ)器在車(chē)用市場(chǎng)的增長(zhǎng)。

自動(dòng)駕駛、電力驅(qū)動(dòng)、車(chē)聯(lián)網(wǎng)這些前沿的技術(shù)正在深刻影響著汽車(chē)供應(yīng)鏈,給各種半導(dǎo)體器件創(chuàng)造了巨大的增長(zhǎng)空間,以前在汽車(chē)中存在感很少的存儲(chǔ)器,將會(huì)在這次變革扮演重要的角色。

大升級(jí)

“車(chē)用存儲(chǔ)器是一個(gè)潛力非常大的市場(chǎng),其中多種存儲(chǔ)產(chǎn)品都會(huì)有較大增長(zhǎng)性,包括NOR/NAND FLASH、DRAM、EEPROM、SRAM等?!贝鎯?chǔ)行業(yè)資深人士呂東(化名)十分看好車(chē)用存儲(chǔ)器的未來(lái)。

特斯拉的帶領(lǐng)下,越來(lái)越多的汽車(chē)廠將前儀表面板改成了觸摸顯示屏,引發(fā)了對(duì)大容量存儲(chǔ)器的需求。還有5G的商用和自動(dòng)駕駛的試水,讓汽車(chē)產(chǎn)生了大量的高速數(shù)據(jù)交互類(lèi)應(yīng)用,也讓高速和高容量的存儲(chǔ)器成為了必需品。

2017年,每輛汽車(chē)存儲(chǔ)設(shè)備硬件成本僅在20美元左右(不包括集成在MCU中的存儲(chǔ)單元)。當(dāng)智能駕駛到L4/L5時(shí),存儲(chǔ)設(shè)備硬件成本在300-500美元左右。有人估計(jì),單車(chē)需要配置32GB DRAM和200GB NAND來(lái)與其功能進(jìn)行匹配,從而實(shí)現(xiàn)智能汽車(chē)的功能。

呂東認(rèn)為,NAND和DRAM將是主要車(chē)載存儲(chǔ)器的主要增長(zhǎng)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)來(lái)源于通訊娛樂(lè)系統(tǒng)的升級(jí)和5G與AI快速發(fā)展帶來(lái)的自動(dòng)駕駛落地。

高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和無(wú)人駕駛車(chē)輛系統(tǒng)要求使用強(qiáng)大的處理器,這類(lèi)處理器對(duì)存儲(chǔ)器容量和帶寬均有要求,只有DRAM才能適配。

同樣,大容量NAND也在其中發(fā)揮無(wú)可替代的作用。ADAS提醒駕駛員注意汽車(chē)與其他障礙物距離過(guò)近等潛在危險(xiǎn),自動(dòng)打開(kāi)大燈,調(diào)節(jié)行駛速度,啟動(dòng)緊急制動(dòng),提醒駕駛員注意周?chē)?chē)輛,保持車(chē)輛在車(chē)道上正常行駛,甚至是監(jiān)控駕駛員的盲區(qū)。 此外,信息娛樂(lè)系統(tǒng)的設(shè)置必須能夠瞬時(shí)保存,以防因?yàn)閿嚯妼?dǎo)致信息丟失。所有這些功能都需要高性能NAND來(lái)支持。

由于汽車(chē)內(nèi)電子設(shè)備產(chǎn)生和處理的數(shù)據(jù)量激增,車(chē)用存儲(chǔ)器在容量和規(guī)格上都將進(jìn)行一輪史無(wú)前例的大升級(jí)。

助推自動(dòng)駕駛

DRAM一直銷(xiāo)量巨大,但是只有很少一部分進(jìn)入車(chē)用,因?yàn)橐郧捌?chē)中運(yùn)轉(zhuǎn)的數(shù)據(jù)量很小,很多時(shí)候只用SRAM就能搞定。隨著汽車(chē)智能化的加速,情況發(fā)生了改變。

“DRAM在整車(chē)電子器件中的增長(zhǎng)速度會(huì)超過(guò)30%?!奔⒆稍兏呒?jí)分析師陳躍楠認(rèn)為,在處理攝像頭和高帶寬傳感器輸入的ADAS、信息娛樂(lè)系統(tǒng)中和自動(dòng)駕駛中,DRAM是必不可少的存在。

在ADAS應(yīng)用中,DRAM主要使用在雷達(dá)與光達(dá)感測(cè),以及鏡頭感測(cè)中。而信息娛樂(lè)系統(tǒng),座艙控制器、車(chē)載通訊亦是DRAM的主要應(yīng)用。此外,DRAM也有許多與DCU(域控制器)搭配的應(yīng)用。

觀察特斯拉對(duì)DRAM的使用,就可以看出其應(yīng)用戲份的加碼。從Tesla Model S/X起,由于同時(shí)采用NVIDIA的車(chē)用CPUGPU解決方案,DRAM規(guī)格導(dǎo)入當(dāng)時(shí)頻寬最高的GDDR5,全車(chē)系搭載8GB DRAM;而Model 3更進(jìn)一步導(dǎo)入14GB,下一代車(chē)款更將直上20GB,其平均用量遠(yuǎn)勝目前大部分PC及智能手機(jī)。

新ADAS設(shè)計(jì)中最常見(jiàn)的DRAM是LPDDR4。LPDDR4最初是為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的,它在容量、速度和形狀系數(shù)之間達(dá)成了平衡,這對(duì)汽車(chē)應(yīng)用頗具吸引力。最終,DRAM制造商推出了能夠滿足汽車(chē)溫度等級(jí)的LPDDR4。

除了容量以外,效能也是DRAM最主要的應(yīng)用原因之一。雖然車(chē)內(nèi)應(yīng)用種類(lèi)廣泛,但并非每種應(yīng)用都需要使用大容量DRAM,更常見(jiàn)的是需要高效的計(jì)算。如車(chē)內(nèi)的各種感測(cè)技術(shù),需要通過(guò)高速運(yùn)算來(lái)產(chǎn)生實(shí)時(shí)結(jié)果,以提供車(chē)用電子服務(wù)。因此小容量的LPDDR4將在車(chē)用DRAM中扮演重要角色。

不過(guò),隨著汽車(chē)技術(shù)的不斷演進(jìn),DRAM最大的增量空間還是來(lái)自于自動(dòng)駕駛。

自動(dòng)駕駛的核心是AI技術(shù),需要極高的算力、創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲(chǔ)系統(tǒng),用來(lái)處理和保存計(jì)算機(jī)做出模仿人類(lèi)決策所需的大量數(shù)據(jù)。

自動(dòng)駕駛汽車(chē)所含代碼行數(shù)將超過(guò)迄今為止創(chuàng)建的任何其他軟件平臺(tái)。到 2020 年,預(yù)計(jì)典型的車(chē)輛將包含超過(guò) 3 億行代碼,包含 1 TB以上的存儲(chǔ),需要每秒超過(guò) 1 TB 的內(nèi)存帶寬來(lái)支持自動(dòng)駕駛平臺(tái)所需的計(jì)算性能。傳統(tǒng)的DRAM顯然已不能勝任。

接力棒傳到了最新一代的LPDDR5和即將到來(lái)的DDR5手上。LPDDR5特別適用于最新型車(chē)輛使用的更大顯示器,能夠管理日益復(fù)雜的導(dǎo)航圖像和駕駛艙單元的控制區(qū)域。此外,從傳統(tǒng)的IVI派生而來(lái)、利用車(chē)內(nèi)攝像頭的數(shù)字集群、前后傳感器以及駕駛員監(jiān)控系統(tǒng),都需要使用LPDDR5的高端功能。更為強(qiáng)大的DDR5則將出現(xiàn)在下一代自動(dòng)駕駛SoC當(dāng)中。

存儲(chǔ)器廠商們已經(jīng)紛紛行動(dòng)起來(lái)。近期,存儲(chǔ)器大廠美光就宣布首款車(chē)用LPDDR5存儲(chǔ)器已開(kāi)始送樣,該方案根據(jù)基于國(guó)際化標(biāo)準(zhǔn)ISO 26262設(shè)計(jì),符合美國(guó)汽車(chē)協(xié)會(huì)最嚴(yán)格的要求。

盡管前景光明,業(yè)內(nèi)人士對(duì)DRAM能否在近期爆發(fā)還是持謹(jǐn)慎態(tài)度。呂東就認(rèn)為,DRAM的上量需考慮自動(dòng)駕駛和智能交通等技術(shù)大規(guī)模應(yīng)用進(jìn)度,汽車(chē)的電動(dòng)化和智能化并不能和自動(dòng)駕駛的普遍應(yīng)用完全劃上等號(hào),相信DRAM在自動(dòng)駕駛成熟后才會(huì)有爆發(fā)性的增長(zhǎng)。

更快、更強(qiáng)

在閃存大規(guī)模使用之前,汽車(chē)電子的很多模塊都會(huì)用到EEPROM,包括車(chē)身控制模塊、駕駛輔助系統(tǒng)以及信息娛樂(lè)與車(chē)聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)等模塊。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),平均每輛車(chē)上的EEPROM使用需求在12顆以上。

憑借更強(qiáng)的可編程能力,NOR閃存成為EEPROM的后繼者。它在需要快速,非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域,如通信,工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用中找到了新的機(jī)遇。

由于高可靠性和性價(jià)比,NOR閃存一直在汽車(chē)中存有一席之地。比如,用于ADAS的后視攝像頭需要儀表盤(pán)能快速啟動(dòng),ADAS 的激光雷達(dá)需要內(nèi)建一個(gè)NOR Flash控制內(nèi)部各種功能,此外自動(dòng)緊急剎車(chē)系統(tǒng)(AEB)、胎壓偵測(cè)器(TPMS)、道路偏移警示等 ADAS 系統(tǒng)等都需要用到NOR。

不過(guò),受限于工藝制程,NOR后續(xù)的發(fā)展空間不大,加之汽車(chē)中對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求,NAND正在全面取代NOR。

“以往汽車(chē)采用HDD或NOR的地方,都逐漸被NAND取代,包括整個(gè)車(chē)內(nèi)儀表板以及導(dǎo)航、娛樂(lè)等系統(tǒng),都將需要大容量的NAND?!眳螙|告訴記者。

NAND在汽車(chē)中多以eMMC(后續(xù)是UFS)形式出現(xiàn),這是一種自帶控制器和NAND型閃存,開(kāi)發(fā)非常簡(jiǎn)單,容量可以做到很大。

數(shù)據(jù)顯示,全球eMMC市場(chǎng)在2020年達(dá)到21億片,驅(qū)動(dòng)力是移動(dòng)設(shè)備。而汽車(chē)是增長(zhǎng)最快的部分,預(yù)計(jì)2014~2021年器件年均增長(zhǎng)16.4%。在汽車(chē)部分,信息娛樂(lè)預(yù)計(jì)年均增長(zhǎng)20.5%,到2021年將使用近1.6億片eMMC。

現(xiàn)今,汽車(chē)上的所有應(yīng)用程序都需要閃存,無(wú)論是簡(jiǎn)單的軟件更新,不僅要存儲(chǔ)軟件和程序代碼,還要存儲(chǔ)地圖等數(shù)據(jù)庫(kù),這些數(shù)據(jù)庫(kù)也需要存儲(chǔ)在本地。容量更大、速度更快的NAND自然成為不二之選。

并且,當(dāng)全球 L4 級(jí)自動(dòng)駕駛汽車(chē)的普及率達(dá)到 1% 時(shí),行業(yè)人士預(yù)計(jì) NAND 的需求將是目前需求的 25 倍。

對(duì)于NAND的發(fā)展趨勢(shì),呂東認(rèn)為或能將物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展歷史作為可參考對(duì)象,“因技術(shù)產(chǎn)品成熟和迭代成本可控,NAND的增長(zhǎng)會(huì)先到來(lái)且未來(lái)預(yù)期比較清晰?!?/p>

跨越挑戰(zhàn)

將同規(guī)格和容量的車(chē)規(guī)產(chǎn)品與一般商規(guī)產(chǎn)品相比,兩者至少有3成以上的溢價(jià),且價(jià)格也會(huì)隨著規(guī)格與細(xì)致度上升而有倍數(shù)上漲的概率。因而吸引眾多廠商對(duì)汽車(chē)市場(chǎng)趨勢(shì)若騖。

通常,汽車(chē)配件市場(chǎng)分為前裝和后裝兩部分。前裝是隨整車(chē)生產(chǎn)而集成在內(nèi),后裝則是在已經(jīng)生產(chǎn)好的車(chē)上另行加裝。后裝市場(chǎng)更像消費(fèi)電子,前裝則門(mén)檻很高。

陳躍楠認(rèn)為車(chē)用存儲(chǔ)的新機(jī)遇在于前裝市場(chǎng),“基于閃存或DRAM的各種場(chǎng)景,會(huì)在前端的使用更多,信息娛樂(lè)、自動(dòng)駕駛等功能都集成在整車(chē)之內(nèi)了?!?/p>

殘酷的現(xiàn)實(shí)是,前裝市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)品的考驗(yàn)要遠(yuǎn)大于后裝市場(chǎng)?!捌?chē)關(guān)乎人命,因此門(mén)檻很高,以最基本的 AEC-Q100 車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)為例,廠商需要連續(xù)三個(gè)批次完成三輪實(shí)驗(yàn),要符合這些標(biāo)準(zhǔn)用的設(shè)計(jì)就必須要比消費(fèi)性電子的強(qiáng)度強(qiáng)10倍。”一位車(chē)用芯片廠商告訴記者,為達(dá)標(biāo)準(zhǔn),廠商都要另外給臺(tái)積電付費(fèi)來(lái)做特殊工藝。除了硬件設(shè)計(jì)要符合車(chē)規(guī)的設(shè)計(jì)過(guò)程,軟件也需要符合車(chē)規(guī)規(guī)定的軟件寫(xiě)的方法和過(guò)程,要求非常嚴(yán)謹(jǐn),很多公司都不能承受。

然而通過(guò)認(rèn)證只是開(kāi)始,進(jìn)入車(chē)廠導(dǎo)入環(huán)節(jié)以后,每個(gè)車(chē)廠還會(huì)結(jié)合自己的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)流程對(duì)供應(yīng)商提出不同的合規(guī)化和定制化要求。

高制作難度、高生產(chǎn)成本的挑戰(zhàn),嚇退很多嘗試者,但是依然吸引無(wú)數(shù)新進(jìn)者,就因?yàn)檐?chē)用存儲(chǔ)器有很高的報(bào)酬與潛在龐大商機(jī)。

“前裝市場(chǎng)對(duì)于存儲(chǔ)器的規(guī)格要求十分嚴(yán)苛,帶來(lái)的就是更高的設(shè)計(jì)和測(cè)試驗(yàn)證要求,以及更好的價(jià)格和利潤(rùn)表現(xiàn)。”呂東認(rèn)為。

為此,存儲(chǔ)器廠商們一邊積極應(yīng)考,一邊不斷改進(jìn)工藝。從公開(kāi)數(shù)據(jù)來(lái)看,最新出爐的車(chē)用存儲(chǔ)產(chǎn)品已經(jīng)可以勝任汽車(chē)新時(shí)代的挑戰(zhàn)了。

作為汽車(chē)電子系統(tǒng)中不可或缺的一員,車(chē)用存儲(chǔ)器的前景不可限量。巨大的商機(jī)當(dāng)前,三大存儲(chǔ)巨頭已經(jīng)對(duì)車(chē)用市場(chǎng)進(jìn)行了各種布局,而國(guó)內(nèi)的存儲(chǔ)新勢(shì)力也開(kāi)始躍躍欲試,新一輪的競(jìng)賽已經(jīng)悄悄展開(kāi)。

編輯:hfy

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    HIRO 華興容產(chǎn)品矩陣解密:從<b class='flag-5'>車(chē)</b>規(guī)級(jí)電容到<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>件的全品類(lèi)<b class='flag-5'>布局</b>

    CW32L052 FLASH存儲(chǔ)器介紹

    均為 0xFF。 如果對(duì)未解鎖的 FLASH 頁(yè)面進(jìn)行頁(yè)擦除操作,或者對(duì)*正在運(yùn)行的程序[^1]*進(jìn)行擦除操作,會(huì)操作失敗,產(chǎn)生錯(cuò)誤中斷標(biāo)志。 CW32L052 內(nèi)部 FLASH 存儲(chǔ)器被劃分
    發(fā)表于 12-05 08:22

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類(lèi)存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?587次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告

    2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告 存儲(chǔ)芯片作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分,涵蓋動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存兩大核心領(lǐng)域。在人工智能(AI)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和移動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 10-27 08:54 ?6080次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?4516次閱讀

    貞光科技:紫光國(guó)芯車(chē)規(guī)DDR3在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用

    隨著汽車(chē)產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型,高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和智能駕駛技術(shù)已成為現(xiàn)代汽車(chē)不可或缺的核心組件。紫光國(guó)芯作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片制造商,其車(chē)規(guī)級(jí)DDR3存儲(chǔ)產(chǎn)品在智能
    的頭像 發(fā)表于 06-05 16:50 ?1461次閱讀
    貞光科技:紫光國(guó)芯<b class='flag-5'>車(chē)</b>規(guī)DDR3在智能駕駛與ADAS中的應(yīng)用

    非易失性存儲(chǔ)器芯片的可靠性測(cè)試要求

    非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
    的頭像 發(fā)表于 04-10 14:02 ?1730次閱讀