高通驍龍875最大障礙已被清除，三星5nm產(chǎn)能獲突破
在上周公布Q3財(cái)報(bào)時(shí)，三星同時(shí)重修了先進(jìn)制程進(jìn)展情況，將已經(jīng)穩(wěn)定投產(chǎn)的最新節(jié)點(diǎn)從7nm LPP升級(jí)為5nm LPE。
此前有消息稱，三星5nm產(chǎn)能遇困，阻礙了其規(guī)模量產(chǎn)工作，現(xiàn)在看起來情況已經(jīng)好轉(zhuǎn)甚至得到了完全解決。
新的5nm旨在取代7nm，官方標(biāo)稱可帶來10%的性能提升和同頻下20%的功耗減少。密度方面，是上一代的1.33倍。
據(jù)悉，5nm LPE引入了多層EUV工藝過程，F(xiàn)inFET晶體管在微觀層面也上馬了智能雙熔點(diǎn)分離、柔性放置觸點(diǎn)等轉(zhuǎn)為低功耗場(chǎng)景優(yōu)化的技術(shù)。
三星還強(qiáng)調(diào)，5nm LPE和7nm在設(shè)計(jì)套件上兼容，以加快廠商部署芯片設(shè)計(jì)的速度。不過，這在某種程度上似乎也暗示，5nm下芯片的性能不會(huì)有令人印象深刻的提升。
外媒稱，三星5nm工藝的首發(fā)SoC將是驍龍875 5G SoC，后者定于12月1日在驍龍技術(shù)峰會(huì)上推出。
責(zé)編AJX
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