日前西安紫光國(guó)芯宣布推出12nm工藝的GDDR6存儲(chǔ)控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。紫光國(guó)芯之前做過(guò)DDR內(nèi)存芯片，還有就是NAND閃存，推出顯存相關(guān)的IP芯片還是第一次，而且水準(zhǔn)不低。

制程工藝使用的是GF格芯的12nm LP低功耗工藝，做的也是GDDR6存儲(chǔ)控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP），可以理解為GDDR6顯存的主控芯片。

根據(jù)紫光國(guó)芯介紹，這個(gè)GDDR6 MC/PHY IP包括一個(gè)可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標(biāo)準(zhǔn)，并允許設(shè)計(jì)工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應(yīng)用的要求，如顯卡，游戲機(jī)和AI計(jì)算等。

該IP針對(duì)功耗和性能進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，西安紫光國(guó)芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高達(dá)12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率，同時(shí)兼容JEDEC250和DFI3.1標(biāo)準(zhǔn)。

物理接口（PHY）部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴(yán)格的時(shí)序規(guī)范。

與主流GDDR6存儲(chǔ)顆粒集成，經(jīng)過(guò)流片測(cè)試驗(yàn)證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時(shí)滿足設(shè)計(jì)規(guī)格要求。且當(dāng)數(shù)據(jù)率為16Gbps時(shí)，平均每個(gè)DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前，紫光國(guó)芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺(tái)上架。

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