美光發(fā)布176層3D NAND閃存
存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲的應(yīng)用效能。
據(jù)了解，176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘（Replacement Gate）架構(gòu)，是目前全球技術(shù)最為先進的NAND節(jié)點，相較于前代3D NAND相比，美光176層3D NAND閃存在讀取及寫入延遲方面提升35%。
美光176層閃存其實是基于兩個88層疊加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會加入QLC。
據(jù)悉，美光176層3D NAND閃存可提供更好的服務(wù)質(zhì)量，可加速數(shù)據(jù)密集環(huán)境和工作負載，例如數(shù)據(jù)庫、人工智能引擎以及大數(shù)據(jù)分析等。
得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù)，美光將176層閃存的厚度控制在45微米，基本上與早期的64層浮動?xùn)艠O3D NAND相當(dāng)，所以，即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個Die，做到1TB的單顆容量，厚度也不會超過1.5毫米，可以輕松放入智能手機、存儲卡。
責(zé)任編輯：haq
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