半導(dǎo)體景氣復(fù)甦，大廠紛紛加碼投資。三星明年將加碼10兆韓元用于擴(kuò)大半導(dǎo)體制造能量，鎖定提升DRAM、NAND芯片與晶圓代工產(chǎn)能。市場(chǎng)解讀，三星布局，意在與SK海力士、美光、臺(tái)積電等同業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)。

依韓國媒體與三星消息，三星相關(guān)投資主要在平澤工廠，擴(kuò)產(chǎn)后，三星DRAM月產(chǎn)能將增加3萬片、NAND增加6萬片、晶圓代工增加2萬片。

面對(duì)三星在晶圓代工領(lǐng)域緊追，臺(tái)積電一向不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的動(dòng)態(tài)。三星近期擴(kuò)大采購極紫外光（EUV）設(shè)備，更規(guī)劃在韓國華城、平澤以及美國德州奧斯丁等城市建立EUV產(chǎn)線，做7納米與5納米以下芯片生產(chǎn)基地。

韓聯(lián)社報(bào)道，三星集團(tuán)今年前九月資本支出創(chuàng)下歷史新高，主因研發(fā)費(fèi)用大增、在韓國雇用員工人數(shù)創(chuàng)新高。

三星在今年10月推出首款采用自家5納米技術(shù)量產(chǎn)的系統(tǒng)芯片，2021年看好全球需求復(fù)甦，將對(duì)多個(gè)領(lǐng)域展開投資；高速運(yùn)算應(yīng)用多元化、客戶采用先進(jìn)制程也帶動(dòng)三星晶圓代工成長。

三星資本支出集中半導(dǎo)體領(lǐng)域，全年資本支出估約35.2兆韓元，創(chuàng)新高，其中，半導(dǎo)體資本支出也創(chuàng)新高、達(dá)28.9兆韓元。今年1到9月半導(dǎo)體相關(guān)資本支出已達(dá)21.3兆韓元。

外媒報(bào)導(dǎo)，明年半導(dǎo)體資本支出不低于今年，還將額外加碼擴(kuò)大半導(dǎo)體產(chǎn)能。

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