SK海力士加速量產(chǎn)第四代內(nèi)存，將配備EUV光刻機
目前，EUV光刻機的部署安裝主要在臺積電、三星的晶圓代工廠。不過，內(nèi)存廠商們也開始著手上馬了。
此前，SK海力士規(guī)劃的是為年底建成的M16工廠配備，但來自德國CB的消息稱，M14老廠也會引進。
EUV光刻機參與的將是SK海力士的第四代（1a nm）內(nèi)存，在內(nèi)存業(yè)內(nèi)，目前的代際劃分是1x、1y、1z和1a。
EUV光刻機的參與可以減少多重曝光工藝，提供工藝精度，從而可以減少生產(chǎn)時間、降低成本，并提高性能。
當然，EUV光刻機實在是香餑餑。唯一的制造商ASML（荷蘭阿斯麥）產(chǎn)能極有限，盡管一臺要10億元左右，可仍舊供不應(yīng)求。這一回新老工廠其上位，不知道SK海力士從ASML那里敲定了多少臺。
另外，本次報道稱，三星2021年將投產(chǎn)EUV工藝生產(chǎn)的內(nèi)存，也就是早些時候發(fā)布的16Gb容量LPDDR5。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
3122瀏覽量
75249 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
994瀏覽量
39601 -
EUV光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
129瀏覽量
15506
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
高通推出第四代驍龍7移動平臺
高通技術(shù)公司今日推出最新驍龍7系產(chǎn)品——第四代驍龍7移動平臺。這一全新平臺旨在增強用戶喜愛的多媒體體驗并提供全面的穩(wěn)健性能。無論是利用先進圖像處理功能拍攝珍貴瞬間，還是借助精選的Snapdragon
高通推出第四代驍龍8s移動平臺
今日，高通技術(shù)公司宣布推出第四代驍龍8s移動平臺，該平臺專為追求出色娛樂體驗和創(chuàng)作體驗的用戶打造，旨在將旗艦性能和先進特性帶給更多消費者，并為手游玩家和創(chuàng)作者提供強勁支持。第四代驍龍8s能夠確保終端持久運行，滿足用戶全天候的多樣化需求，無論是隨時隨地暢玩游戲、享受影音娛樂
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點（SF4X）進行大規(guī)模生產(chǎn)。
高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版發(fā)布
高通技術(shù)公司今日宣布推出高通躍龍第四代固定無線接入平臺至尊版，這是全球首款5G Advanced FWA平臺。
SK海力士加速16Hi HBM3E內(nèi)存量產(chǎn)準備
近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測試已經(jīng)正式啟動，為明年初的
SK海力士新設(shè)AI芯片開發(fā)與量產(chǎn)部門
韓國存儲芯片巨頭SK海力士于近日宣布，為鞏固其在人工智能(AI)內(nèi)存領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，公司決定在年度組織調(diào)整中新增兩個專門部門，專注于下一代AI芯片的開發(fā)與
SK海力士調(diào)整生產(chǎn)策略，聚焦高端存儲技術(shù)
近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計劃在第四季度進一步降至20%。這一調(diào)整或將意味著
意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世
意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時，意法半導(dǎo)體還針對
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代SiC MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體（簡稱ST）近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)，標志著公司在高效能半導(dǎo)體領(lǐng)域又邁出了重要一步。此次推出的第四代技術(shù)，在能效、功率密度和穩(wěn)健性方面均樹立了新的市場標桿，將為汽車和工業(yè)市場帶來革命性的改變。
SK啟方半導(dǎo)體推出第四代0.18微米BCD工藝
韓國知名8英寸純晶圓代工廠SK啟方半導(dǎo)體宣布，其自主研發(fā)的第四代0.18微米BCD工藝已正式面世，較上一代工藝性能提升約20%。這一創(chuàng)新成果不僅彰顯了SK啟方在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的深厚積累
SK海力士9月底將量產(chǎn)12層HBM3E高性能內(nèi)存
9月4日，半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要動態(tài)，SK海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的最新進展與未來展望。金柱善社長
富士康，布局第四代半導(dǎo)體
來源：鉅亨網(wǎng) 鴻海（富士康）研究院半導(dǎo)體所，攜手陽明交大電子所，雙方研究團隊在第四代化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵技術(shù)上取得重大突破，提高了第四代半導(dǎo)體氧化鎵 (Ga2O3) 在高壓、高溫應(yīng)用領(lǐng)域的高壓耐受性
SK海力士加速NAND研發(fā)，400+層閃存量產(chǎn)在即
韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報道，該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準備工作，并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生
SK海力士攜手臺積電，N5工藝打造高性能HBM4內(nèi)存
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，SK海力士再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎(chǔ)裸片來構(gòu)建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志
工商網(wǎng)監(jiān)
評論