在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕，也預示著HBM內(nèi)存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。

據(jù)最新消息，新一代HBM內(nèi)存——HBM4的JEDEC標準正緊鑼密鼓地定案中，預示著這一技術的標準化與商業(yè)化進程正加速推進。而SK海力士作為業(yè)界的佼佼者，其首批HBM4產(chǎn)品（12層堆疊版）已明確時間表，預計將于2025年下半年正式面世。這一產(chǎn)品的推出，無疑將極大滿足市場對于更高帶寬、更低延遲存儲解決方案的迫切需求。

SK海力士與臺積電的合作，可追溯至今年4月雙方簽署的合作諒解備忘錄。該備忘錄明確了雙方在HBM內(nèi)存基礎裸片領域的深度合作意向，旨在通過技術共享與優(yōu)勢互補，共同推動HBM內(nèi)存技術的革新與發(fā)展。此次SK海力士選擇臺積電的N5工藝版基礎裸片來構建HBM4內(nèi)存，正是這一合作戰(zhàn)略的具體體現(xiàn)。

臺積電在2024年技術研討會歐洲場上透露的信息，進一步彰顯了其在HBM4內(nèi)存領域的深厚積累與前瞻布局。據(jù)介紹，臺積電為HBM4內(nèi)存準備了兩款基礎裸片：一款是面向價格敏感性產(chǎn)品的N12FFC+版，另一款則是面向高性能應用的N5版。其中，N5版基礎裸片憑借其卓越的性能指標脫穎而出——其面積僅為N12FFC+版的39%，卻在同功率下實現(xiàn)了邏輯電路頻率的顯著提升，高達N12FFC+版的155%；同時，在保持相同頻率的條件下，其功耗更是降低至僅有N12FFC+版的35%。這一系列數(shù)據(jù)無疑彰顯了N5工藝在提升HBM4內(nèi)存性能與能效方面的巨大潛力。

SK海力士選擇臺積電的N5工藝版基礎裸片來構建HBM4內(nèi)存，不僅是對臺積電技術實力的認可，更是對自身產(chǎn)品競爭力提升的一次重要布局。通過這一合作，SK海力士將能夠為客戶提供更加高效、可靠的HBM4內(nèi)存解決方案，進一步鞏固其在高性能存儲市場的領先地位。展望未來，隨著HBM4標準的正式確立與產(chǎn)品的逐步落地，我們有理由相信SK海力士與臺積電的合作將為整個半導體行業(yè)帶來更多的驚喜與可能。