中科院5nm激光光刻加工方法被誤讀
近日，《財經(jīng)》雜志發(fā)文澄清了一個關(guān)于中科院光刻技術(shù)突破ASML的誤讀傳言。
事情可以追溯至今年7月，中國科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進(jìn)展相關(guān)消息，中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表了一篇題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super－resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團(tuán)隊研發(fā)的「新型5nm超高精度激光光刻加工方法」。
截圖自ACS官網(wǎng)
這一消息被一些媒體誤讀為可以「突破ASML的壟斷」、「中國芯取得重大進(jìn)展」，「中國不需要EUV光刻機就能制作出5nm工藝的芯片」。
日前，這一論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前告訴《財經(jīng)》雜志，稱這是一個誤讀，中科院這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。
極紫外光刻技術(shù)是以波長為10－14nm的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。
而中科院研發(fā)的「5nm超高精度激光光刻加工方法」的主要用途是制作光掩模，目前，國內(nèi)制作的掩模板主要是中低端的，裝備材料和技術(shù)大多來自國外。
責(zé)任編輯：haq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
光刻機
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1199瀏覽量
48822 -
ASML
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
735瀏覽量
43443
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
紫外激光打標(biāo)機 355nm 冷加工 多材質(zhì)高精度雕刻設(shè)備
355nm紫外激光打標(biāo)機：冷加工賦能多材質(zhì)高精度雕刻在精密制造領(lǐng)域，激光打標(biāo)技術(shù)的精準(zhǔn)度與材質(zhì)適配性直接決定產(chǎn)品品質(zhì)，其中355nm紫外
1600TOPS！美國新勢力車企自研5nm芯片，轉(zhuǎn)用激光雷達(dá)硬剛特斯拉
的2025 AI Day上，也首次公布了自研自動駕駛大模型，以及自研的5nm定制芯片，同時還明確了激光雷達(dá)是其下一代自動駕駛系統(tǒng)的核心傳感器之一。 ? 5nm芯片、高速互連、全新神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎 ? 作為一家美國新勢力車企，Rivi
中科院重慶研究院在勢壘可光調(diào)諧的新型肖特基紅外探測器研究中獲進(jìn)展
傳統(tǒng)肖特基探測器和勢壘可光調(diào)諧的肖特基紅外探測器的對比 近日，中科院重慶綠色智能技術(shù)研究院微納制造與系統(tǒng)集成研究中心在《創(chuàng)新》(The Innovation)上發(fā)表了題為Schottky
【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)
發(fā)表于 09-15 14:50
中科院寧波材料所：雙結(jié)構(gòu)石墨烯/PDMS復(fù)合傳感器，用于可穿戴設(shè)備應(yīng)用
在實際應(yīng)用中，柔性傳感器需要在寬廣的測量范圍內(nèi)展現(xiàn)出足夠高的靈敏度；然而，這種需求總是伴隨著權(quán)衡取舍。本文通過對激光誘導(dǎo)石墨烯（LIG）導(dǎo)電路徑的幾何創(chuàng)新，解決了上述挑戰(zhàn)。本文， 中科院寧波材料所趙
中科院微電子所突破 EUV 光刻技術(shù)瓶頸
激光（IR）轟擊 Sn 等離子體，從而釋放出 EUV 輻射，隨后通過收集鏡將 EUV 輻射會聚到中間焦點（IF）處。 然而，在這一過程中，冗余的紅外輻射若進(jìn)入曝光光學(xué)系統(tǒng)，將會產(chǎn)生熱負(fù)載，對光刻系統(tǒng)的穩(wěn)定性以及曝光圖樣質(zhì)量造成不
改善光刻圖形線寬變化的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的
清華大學(xué)在激光干涉光刻全局對準(zhǔn)領(lǐng)域取得新進(jìn)展
圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵
中科曙光助力中科院高能物理研究所打造溪悟大模型
近年來，以大規(guī)模預(yù)訓(xùn)練模型為代表的人工智能技術(shù)迅猛發(fā)展，為科研創(chuàng)新提供了全新范式。中科院高能物理研究所依托正負(fù)電子對撞機等大科學(xué)裝置，積累了海量高價值實驗數(shù)據(jù)，如何高效利用數(shù)據(jù)、加速成果產(chǎn)出，成為研究所面臨的核心課題。
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件免費試用
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量
發(fā)表于 05-02 12:42
成都匯陽投資關(guān)于光刻機概念大漲，后市迎來機會
進(jìn)制程領(lǐng)域，曝光波長逐漸縮短至13.5nm，光刻技術(shù)逐步完善成熟。2024年光刻機市場的規(guī)模為230億美元。2025年光刻機市場的規(guī)模預(yù)計為252億美元。 【
請問外部激光光源如何配合DLPLCR6500 EVM實現(xiàn)投影？
我是做能消除激光散斑的投影系統(tǒng)設(shè)計的，之前買了DLPLCR6500 EVM，照明系統(tǒng)用三基色激光。請問三基色激光的時序該如何設(shè)定？這種外加的激光光源該如何配合DLPLCR6500 E
發(fā)表于 02-28 08:15
請問激光投影中激光光源能否像LED一樣瞬時開關(guān)？
這種先合光再分光的設(shè)計方案既使系統(tǒng)變得復(fù)雜，又使得光能利用率較低。
請問目前采用三基色激光投影顯示的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計方案都是這樣嗎？激光光源能否實現(xiàn)類似于下圖LED這樣的設(shè)計？激光器能否像LED一樣瞬時開關(guān)？
發(fā)表于 02-28 07:11
紙基微流控芯片的加工方法和優(yōu)勢
紙基微流控芯片的加工方法主要包括激光切割、壓印技術(shù)、噴墨打印技術(shù)、層壓技術(shù)和表面改性技術(shù)等。以下是這些加工方法的具體介紹：
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少？
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒有在355nm下的客戶應(yīng)用案例？
這個是激光器的參數(shù)：355
發(fā)表于 02-20 08:42
工商網(wǎng)監(jiān)
評論