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最大限度降低寄生電容對放大器穩(wěn)定性影響的三種方案

電子設(shè)計 ? 來源:電子技術(shù)設(shè)計 ? 作者:Tom Kugelstadt ? 2021-02-23 16:25 ? 次閱讀
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由于高增益峰值及其他各種原因,電流反饋(CFB)放大器可能變的不穩(wěn)定,極端情況甚至進入振蕩狀態(tài)。放大器不穩(wěn)定的原因有兩個,反饋電阻值過低以及引入對地的寄生輸入、輸出電容。小電容會導(dǎo)致放大器的頻率響應(yīng)在高頻時達到峰值,同時高電容值會迫使器件進入自持振蕩,忽略任何輸入信號的激勵。

本文將介紹如何確保放大器穩(wěn)定性的設(shè)計技巧,包括須知與禁忌,無需深入研究基本數(shù)學(xué)原理即可設(shè)計出穩(wěn)定的放大器電路。

最大限度降低寄生電容對放大器穩(wěn)定性影響的方法主要有三種:

良好的布線技術(shù),以最大限度減少寄生電路板和探頭電容。

使用CFB放大器廠商規(guī)定的反饋和增益電阻值,保證提供足夠的相位裕度以承受較小的寄生電容。

利用補償技術(shù),最大限度降低頻率響應(yīng)峰值和脈沖響應(yīng)過沖。

電路板布線技巧

優(yōu)化電路性能,使CFB放大器效果達到最佳,需特別注意:電路板布線寄生、外部元件類型和電阻值。以下建議有助于優(yōu)化電路性能(參考圖1和圖2):

使用去耦電容對電源引腳進行低頻和高頻緩沖。對于高頻,并聯(lián)使用100nF和100pF電容,并將它們安置在距離電源引腳不到6mm的位置。對于低頻,使用6.8μF鉭電容,可距離放大器更遠,并允許在其它設(shè)備間共享。避免使用窄電源和接地走線,盡量減少走線電感,特別是電源引腳和去耦電容間的走線電感。

由于放大器的輸出和反相輸入引腳對寄生電容最敏感,因此將輸出電阻RS(如需要)靠近輸出引腳處,反饋和增益電阻(RF和RG)靠近反相輸入,將各自引腳與所有走線電容隔離。

在非反相輸入處增加RIN和CIN占位符,以補償由反相輸入端的寄生電容(CPI)引起的增益峰值。

確定是否需要輸出隔離電阻。低寄生電容負載(<5pF)通常不需要RS。此外,更高的寄生輸出電容可在沒有RS的情況下驅(qū)動,但需要更高的閉環(huán)增益設(shè)置。

保持輸入和輸出引腳周圍無接地層和無電源層的區(qū)域,盡量減輕交流接地相關(guān)電容的積聚。在電路板的其它地方,接地層和電源層應(yīng)保持完好。

通過100Ω電阻將每個測試點連接到要測量的走線,并隔離探針電容示波器與信號走線。

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圖1:具備寄生電容和補償元件RS、RIN及CIN的CFB放大器。

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圖2:無接地窗口的雙層PCB推薦布線。

使用既定RF值

CFB放大器廠商通常指定多個RF值,每個RF值對應(yīng)不同的增益設(shè)置。使用推薦的電阻值可確保最佳性能,而不會帶來(或造成很小幅度的)峰值增益或帶寬損失;偏離這些值則會改變放大器性能。圖3中顯示了在信號增益為2時使用不同RF值的情況,可見,當指定值RF=1.1kΩ時達到最佳性能。但當RF提高至1.5kΩ時,出現(xiàn)帶寬損失,而當RF降低到600Ω時,會產(chǎn)生增益峰值(圖4)。

因此,要獲得最佳性能,請遵循廠商建議的RF值。

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圖3:使用數(shù)據(jù)表中指定的RF值可確保最佳性能。

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圖4:偏離指定的RF值會導(dǎo)致增益達到峰值或降低帶寬。

補償寄生電容的影響

為區(qū)分輸入端(CPI)和輸出端(CPO)的寄生電容,可進行脈沖響應(yīng)測試。CPI通常小于CPO,并會導(dǎo)致短暫信號過沖;而CPO通常會造成信號振鈴現(xiàn)象延長(圖5)。當然,若CPI> CPO,情況則會反轉(zhuǎn);然而這種情況很少發(fā)生。

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圖5:CPI引起的信號過沖與CPO導(dǎo)致的信號振鈴現(xiàn)象。

寄生輸入電容CPI

反相輸入端(CPI)的寄生電容通常較?。?.5至5pF),由布線雜散電容和表面貼裝電阻RG的固有分流電容組成。CPI、RF、RG共同在放大器反饋路徑中形成低通特性,在放大器傳遞函數(shù)VO/VI中轉(zhuǎn)換為高通特性。

這種高通特性可在非反相放大器輸入端用R-C低通濾波器進行補償。為此,非反相輸入端的輸入電容須與反相輸入端的寄生電容相匹配(CIN= CPI),且RIN值必須等于反饋和增益電阻的并聯(lián)值(RIN= RF||RG)。

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圖6:通過RIN-CIN消除增益峰值。

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圖7:通過RIN-CIN減少過沖。

圖6和圖7顯示了圖1中電路的頻率和脈沖響應(yīng)。當放大器以G=2運行時,其中RF= RG為廠商規(guī)定的最佳性能電阻值。圖6和圖7中的其它觀察結(jié)果包括:

當CPI= 0時,黑色曲線所示的頻率和脈沖響應(yīng)既未出現(xiàn)增益峰值也未出現(xiàn)過沖。對于10MHz的±100mV測試輸入,標稱增益為6dB,脈沖幅度為±200mV。

當CPI= 5pF時,紅色曲線所示的頻率和脈沖響應(yīng)顯示增益峰值接近21dB,過沖為±1V。

在補償情況下(藍色曲線),當CIN= CPI= 5pF,且RIN= RF||RG= RF/2時,頻率和脈沖響應(yīng)分別顯示增益峰值和過沖降低至0.5dB和±45mV。

寄生輸出電容CPO

放大器輸出端(CPO)寄生電容還包含布線雜散電容,但大部分通常來自較大的負載電容,例如瞬態(tài)抑制器和電流導(dǎo)引二極管的結(jié)電容、電纜電容,模數(shù)轉(zhuǎn)換器及其它放大器的輸入電容。因此,CPO的總值可低至20pF,也可能達到幾個100pF。

綜上所述,通常較小的寄生輸出電容對傳遞函數(shù)幾乎沒有影響,但較大的CPO值會導(dǎo)致高增益峰值,并且脈沖響應(yīng)會延長振鈴。圖8和圖9顯示了輸出電容為20pF的影響,其增益峰值小于1dB,且僅出現(xiàn)低于30mV的小過沖。若需要補償CPO,則稍微提高RF、RG值即可。

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圖8:利用較高RF值補償較小CPO值。

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圖9:補償結(jié)果顯示幾乎無法區(qū)分的脈沖響應(yīng)。

與此相反,補償較大的輸出電容十分必要。圖10和圖11顯示了在未進行補償?shù)那闆r下,傳遞函數(shù)達到約15dB的增益峰值,且CPO為500pF時(紅色曲線)脈沖響應(yīng)中的長時間信號振鈴。即使提高RF、RG電阻值,改善效果也十分有限(藍色曲線)。不過,安置串聯(lián)電阻(RS)可將放大器輸出與容性負載隔離(參見圖1電路)。在此模擬中,需要一個僅為3.9Ω的小RS值將增益峰降至0.5dB以下,同時將信號過沖從±400mV降低到±50mV。

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圖10:高CPO值需要額外的隔離電阻RS。

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圖11:通過RS補償顯著改善脈沖響應(yīng)。

結(jié)論

本文中重點探討的設(shè)計以確保放大器的穩(wěn)定性,總結(jié)如下:

應(yīng)用良好的布線技術(shù)將寄生電容降至最低

使用6.8μF、100nF和100pF電容器為電源電壓提供低頻和高頻緩沖

在測試點和待測量走線間插入100Ω電阻,隔離探針電容與信號走線

使用數(shù)據(jù)表中指定的電阻值

進行初始脈沖響應(yīng)測試,以區(qū)分寄生輸入和輸出電容

通過R-C低通濾波器補償非反相信號輸入端的寄生輸入電容

提高RF和RG值,補償較小寄生輸出電容

插入低值隔離電阻RS,補償較大的寄生輸出電容

參考資料

1.AN1306,如何規(guī)避軌到軌CMOS放大器的不穩(wěn)定性,2007年9月

2. AN9663,從電壓反饋轉(zhuǎn)換為電流反饋放大器,2006年3月

3. AN9420,電流反饋放大器理論與應(yīng)用,1995年4月

4. AN9787,一種了解電流反饋放大器的直觀方法,2004年10月

5. AN1106,實際電流反饋放大器設(shè)計參考,1998年3月

關(guān)于作者

Tom Kugelstadt是瑞薩電子(美國)公司首席應(yīng)用工程師,為工業(yè)系統(tǒng)定義了新的高性能模擬產(chǎn)品。他擁有法蘭克福應(yīng)用科學(xué)大學(xué)碩士學(xué)位,在模擬電路設(shè)計領(lǐng)域具備超過35年經(jīng)驗。
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