最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。

以下概述了討論的相關(guān)主題。

DRAM

三星，美光和SK hynix等主要DRAM廠商已經(jīng)生產(chǎn)出縮小至15 nm設(shè)計(jì)規(guī)則（D ／ R）的DRAM單元。現(xiàn)在，他們正在開(kāi)發(fā)n ＋ 1和n ＋ 2世代，即所謂的1a（或1α）和1b（或1β），這意味著采用EUV的DRAM單元D ／ R可能能夠進(jìn)一步縮小至12nm以下。由于圖形化，漏電流和感測(cè)裕度的挑戰(zhàn)，單元尺寸微縮的速度越來(lái)越慢。

Graphic DRAM和高帶寬內(nèi)存（例如GDDR6（X）和HBM2（E））采用20 nm或10 nm級(jí)的DRAM技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

通過(guò)在模塊中添加低功耗DRAM芯片，智能手機(jī)上的相機(jī)模塊實(shí)現(xiàn)了三顆芯片的堆疊。

在先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品中可以看到一些創(chuàng)新，例如高k介電材料，柱形電容器，凹槽溝道LV晶體管和HKMG外圍晶體管。

展望DRAM技術(shù)趨勢(shì)和研發(fā)路線圖，DRAM微縮將在未來(lái)10多年中持續(xù)進(jìn)行。

NAND

隨著主要NAND制造商爭(zhēng)相增加3D NAND堆疊層的數(shù)量，他們都已經(jīng)推出了自己的96L或128L 3D NAND芯片。三星128L V－NAND（V6），KIOXIA和Western Digital Company（WDC）96L BiCS4，Intel ／ Micron 96L ／ 128L和176L FG CuA以及SK hynix 128L 4D NAND PUC產(chǎn)品已投放市場(chǎng)。我們將討論該領(lǐng)域中許多創(chuàng)新的變化。

除了存儲(chǔ)密度之外，3D NAND還應(yīng)用于高速SSD，例如三星Z－SSD和具有多plane的并行KIOXIA XL－FLASH。

SK hynix已達(dá)到147層垂直存儲(chǔ)單元堆疊；我們將探討他們的解決方案以及美光的解決方案。

嵌入式和新興存儲(chǔ)技術(shù)

盡管Micron的X100 SSD目前僅可用于附加卡（AIC），但I(xiàn)ntel不僅將XPoint內(nèi)存應(yīng)用程序擴(kuò)展到常規(guī)SSD，而且還擴(kuò)展到了Intel Optane非易失內(nèi)存。

Everspin已經(jīng)發(fā)布許多新型pMTJ MRAM產(chǎn)品（第三代，1GB ／芯片基于 28nm工藝），Avalanche／Renesas（40納米）和三星／索尼（28FDS）。Dialog（先前為Adesto）的第二代ReRAM（CBRAM）產(chǎn)品也已上市。

技術(shù)路線圖

本演示文稿中還包括Techinsights對(duì)當(dāng)前和將來(lái)的DRAM，NAND和新興／嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)分析，趨勢(shì)和路線圖，這些內(nèi)容通常僅供我們的存儲(chǔ)器用戶使用。

審核編輯：符乾江