據媒體報道，受上游晶圓供應緊缺情況的持續(xù)影響，近日，國內外多家金屬氧化物半導體場效晶體管（MOSFET）廠商發(fā)布漲價通知，目前已累計四家MOS廠商已經啟動漲價，漲幅達到20%。

近期，臺積電、聯電、世界先進三大代工廠將8英寸晶圓線代工價格調高，下游市場出現缺貨情況，8英寸晶圓進入持續(xù)緊缺狀態(tài)，而8寸晶圓產能瓶頸導致MOS代工產能趨緊，帶動下游漲價。

Diodes（美臺）在給客戶的提價通知中表示，將于2021年1月1日起對調漲部分產品價格。值得注意的是，FUTURE發(fā)布的最新市場行情報告顯示，Diodes的低壓MOSFET交期拉長，延長至17-22周。

此外，新潔能21日發(fā)布了價格調整通知函，原有價格難以滿足供貨需求，自2021年1月1日起，產品價格將根據具體產品型號做不同程度的調整。

12月9日，杭州士蘭微電子表示，從即日起SGT MOS產品的價格本月提漲20%。12月16日，富滿電子再次發(fā)布漲價通知。

截至目前已累計四家MOS管廠商已經啟動漲價。業(yè)內預計MOSFET缺貨情況將延續(xù)到明年，價格將逐季調漲。

功率半導體行業(yè)是一個需求驅動型的行業(yè)，功率半導體器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等。在各類半導體功率器件中，增長最強勁的產品是MOSFET與IGBT模塊。

MOSFET在功率器件中占比最高，MOSFET市場在2017年之后逐年上漲，2018年達到75.8億美元，2019年進一步上升至81億美元。2014-2019年，年復合增速約8.6%；IGBT為33.1億美元。

功率器件率先起源于歐美，日韓后續(xù)不斷形成其自身競爭優(yōu)勢。美國、歐洲、日本等國際一流半導體制造企業(yè)占有功率器件當前主要市場份額。

全球功率器件市場競爭格局穩(wěn)定，英飛凌連續(xù)三年占據主導地位，市占率達到24.6%，其全球功率器件和MOSFET市場份額都排名第一；安森美連續(xù)三年排名第二，市場份額穩(wěn)定于9%左右，意法半導體、三菱和東芝連續(xù)三年進入前五。聞泰收購的安世半導體及中國本土成長起來的華潤微進入前十，分別占比4.1%和3.0%。

在IGBT領域英飛凌也排名第一，市占率高達35.6%，前五大公司合計占比達到68.8%。中國本土成長起來的IGBT龍頭公司斯達半導體近幾年發(fā)展較快，進入前十，2019年排名第八，市占率2.5%。

中國是全球最主要的功率器件消費國，功率器件細分的主要產品在中國的市場份額均處于第一位。其中，中國MOSFET市場規(guī)模占比全球為44.3%，目前國內以低端MOSFET產品為主，在中高端MOSFET器件中，90%依賴進口。雖然國際大廠目前占據主要市場，但其高端產品價格高昂，無法滿足國內迅速爆發(fā)的市場需求，國產替代空間十分廣闊。

從行業(yè)增長驅動來看，光伏、風力發(fā)電，逆變器與升壓裝置等對于功率器件需求來來提升，汽車電動化也帶來功率器件單車價值量的大幅度提升，而自動化、儲能等新興產業(yè)也有望帶動功率器件的需求快速增長。

根據去年華為發(fā)布的《5G電源白皮書》顯示，目前5G基站相比4G基站功耗提升了3倍以上。因此需要5G基站能夠達到最高的電源效率，這也進而對基站中整流、逆變、變壓等電能變換和控制過程中的MOSFET需求提升。

國家能源局在《電動汽車充電基礎設施建設規(guī)劃》草案中提出，到2020年國內充換電站數量將達到1.2萬個，充電樁達到450萬個，隨著充電樁加速建設，對MOSFET芯片和IGBT芯片的需求也將進一步提升；而自動化、儲能等新興產業(yè)也有望帶動功率器件的需求快速增長。

近年來在國家產業(yè)政策的鼓勵和行業(yè)技術水平不斷提升等多重利好因素推動下，行業(yè)內部分企業(yè)對國際先進技術的持續(xù)引進以及自主創(chuàng)新獲快速發(fā)展。

未來隨著國內企業(yè)逐步突破行業(yè)高端產品的技術瓶頸，我國功率器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯著增強。

根據IHSMarkit數據，2021年中國功率半導體市場規(guī)模將達到159億美元，年化增速達到4.8%，略高于全球增速。在產業(yè)政策不斷加持下，功率半導體行業(yè)有望迎來廣闊的發(fā)展空間。
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