隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、電動車蓬勃發(fā)展，對于低功耗要求越來越高，功率半導體成為這些產(chǎn)業(yè)勢不可擋的必備組件。宜特（TWSE： 3289）晶圓后端工藝廠的晶圓減薄能力也隨之精進。宜特今（1/6）宣布，晶圓后端工藝廠（竹科二廠），通過客戶肯定，成功開發(fā)晶圓減薄達1.5mil（38um）技術，技術門坎大突破。同時，為更專注服務國際客戶，即日起成立宜錦股份有限公司（Prosperity Power Technology Inc）。

使用控片測得2mil、1.5 mil、1.5 mil優(yōu)化條件后的損壞層厚度及TEM分析宜特指出，功率半導體進行“減薄”，一直都是改善工藝，使得功率組件實現(xiàn)“低功耗、低輸入阻抗”最直接有效的方式。晶圓減薄除了有效減少后續(xù)封裝材料體積外，還可因降低RDS（on）（導通阻抗）進而減少熱能累積效應，以增加芯片的使用壽命。

但如何在減薄工藝中降低晶圓厚度，又同時兼顧晶圓強度，避免破片率居高不下之風險自晶圓減薄最大的風險。

為解決此風險，iST宜特領先業(yè)界，已完成2mil（50um）、1.5mil（38um），甚至到0.4mil（10um）減薄技術開發(fā)，iST宜特更藉由特殊的優(yōu)化工藝，在降低晶圓厚度的同時，也兼顧晶圓強度，可將研磨損傷層（Damage layer）降到最低。

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