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臺積電三星3nm制程工藝研發(fā)均受阻

lhl545545 ? 來源:比特網 ? 作者:賈桂鵬 ? 2021-01-12 16:26 ? 次閱讀
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2020年,臺積電和三星這兩大芯片代工商,均把芯片制程工藝提升至5nm,而且更先進的3nm制程也在計劃中,不過,最近它們好像都遇到了一些麻煩。

近日,產業(yè)鏈方面的最新消息顯示,臺積電和三星在3nm制程工藝的研發(fā)方面遇到了不同方面的關鍵技術瓶頸,研發(fā)進度不得不放慢。

據臺積電CEO魏哲家在財報分析師會議上透露,臺積電的3nm制程工藝仍將會采用成熟的鰭式場效應晶體管技術(FinFET)。而三星在3nm制程工藝方面將會采用環(huán)繞柵極晶體管技術(GAA)。

不過,目前還不能確認臺積電和三星在3nm制程工藝研發(fā)過程中遇到什么樣的瓶頸,到底會對研發(fā)的進程造成怎樣的影響。

但是,臺積電可能是由于“缺電”的原因,造成進程受阻。數據顯示,先進制程機臺用電量占臺積電公司能源使用50%以上,同時考慮先進制程機臺數量逐年增加,臺積電對于電能的消耗將進一步快速增長。

而對于臺積電3nm工藝的產能,此前有報道稱其準備了四波產能,第一步中大部分將留給多年的大客戶蘋果,后三波產能將會被高通、AMDIntel等廠商預定。
責任編輯:pj

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