EUV（極紫外光）光刻機(jī)，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進(jìn)光刻機(jī)類(lèi)型。近來(lái)，有不少消息都指出，EUV光刻機(jī)耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺(tái)積電的一大難題。

為何EUV光刻機(jī)會(huì)這么耗電呢？OFweek君根據(jù)公開(kāi)資料整理出了一些原因，供讀者參考。

與DUV（深紫外光）光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)的吞吐量相對(duì)較低，每小時(shí)可曝光處理的晶圓數(shù)量約在120片－175片之間，技術(shù)改進(jìn)后，速度可以提升至275片每小時(shí)。但相對(duì)而言，EUV生產(chǎn)效率還是更高，原因在于1層EUV晶圓通?？梢源?－4層DUV晶圓。

據(jù)悉，晶圓制造采用的主流光源是氬氟激光，波長(zhǎng)為193nm，而極紫外光的波長(zhǎng)只有13．5nm，EUV光刻即以其作為光源。

EUV耗電量高的原因主要有幾個(gè)方面：

一，要激光高功率的極紫外光，需要通過(guò)功耗極大的激光器，這個(gè)過(guò)程會(huì)產(chǎn)生大量熱量，因此也需要優(yōu)秀且完備的冷卻、散熱系統(tǒng)來(lái)保證設(shè)備正常工作，而激發(fā)極紫外光和冷卻散熱都需要消耗大量電力。

二、光前進(jìn)到晶圓的過(guò)程中，需要經(jīng)過(guò)十幾次反射鏡修正光路方向，而每經(jīng)過(guò)一次反射，會(huì)有約30％的損耗，最終大約只有不到2％的光線到達(dá)晶圓。過(guò)程中損耗的能量，也大量會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量，這又帶來(lái)大量的散熱工作，又轉(zhuǎn)化成電力消耗。

三，晶圓廠產(chǎn)能很多時(shí)候吃緊，為提高產(chǎn)能，晶圓廠會(huì)進(jìn)一步提升光源功率，從而提升曝光的節(jié)奏，這又帶來(lái)更多的用電。

綜合而言，EUV光刻機(jī)的耗電問(wèn)題，本質(zhì)是從光源激發(fā)到晶圓生產(chǎn)過(guò)程中極低的能源轉(zhuǎn)換率。

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