一條評(píng)論留言“寒冷的早上與驍龍888很配哦”，在B站收獲了3.2萬個(gè)贊。

在它的下面，熱評(píng)第二寫了這么一句：“在這個(gè)寒冷的冬天，只有（驍龍）888才能給我一絲溫暖”。

又有用戶在它的底下回復(fù)：“不，億絲溫暖?！?/p>

參與評(píng)論的用戶們，充分發(fā)揮著留言的創(chuàng)造力。例如，“你跟夏威夷，只差一部手機(jī)”、“警惕全球變暖”

這些評(píng)論都出自一個(gè)驍龍888評(píng)測(cè)視頻，UP主“極客灣Geekerwan”給這條視頻起的標(biāo)題是《驍龍888性能分析：翻車！》

5nm翻車引“群嘲”

自2020年下半年以來，隨著各手機(jī)大廠新一代旗艦機(jī)陸續(xù)發(fā)布，蘋果A14、華為麒麟9000芯片紛紛登場(chǎng)，“5nm芯片集體翻車”的說法就已接連出現(xiàn)。到了驍龍888，多家自媒體評(píng)測(cè)內(nèi)容均指向這款壓軸出場(chǎng)的5nm高通旗艦芯片“車翻得最厲害”。

5nm是芯片制程工藝的飛躍，相較于7nm工藝的處理器，帶來的應(yīng)該是更好的性能和綜合體驗(yàn)。但在實(shí)際測(cè)試和使用中的表現(xiàn)，卻似乎并不如前期宣傳的那么“美好”。

無論是蘋果A14、華為麒麟9000還是驍龍888，均被爆出不同程度的功耗翻車現(xiàn)象。被詬病最深的是，相比于上一代7nm工藝旗艦，這些5nm芯片性能提升還行，但功耗卻增加明顯。

多家評(píng)測(cè)媒體測(cè)試驗(yàn)證，其中驍龍888功耗表現(xiàn)最差，被調(diào)侃為“火龍888”。其實(shí)，這些評(píng)測(cè)的樣本比較小，理論上難以作為論據(jù)支撐翻車的結(jié)論，但也確實(shí)反映了一些問題。根據(jù)極客灣測(cè)試的數(shù)據(jù)，888比上一代865，單核功耗增加了1W，多核功耗增加1.9W。公開資料顯示，之前，驍龍865比驍龍855降低了0.1W。

高功耗帶來了高發(fā)熱，有網(wǎng)友直呼，“小米的散熱都?jí)翰蛔∵@一代火龍”。首發(fā)搭載驍龍888的小米11，在實(shí)際的測(cè)試中發(fā)熱比較明顯。一位UP主在B站發(fā)布的小米11使用體驗(yàn)視頻中表示，因游戲溫度高，他選擇了退貨?！靶∶?1的一大賣點(diǎn)、首發(fā)芯片拉了胯?！庇性u(píng)論稱。

極客灣數(shù)據(jù)，在某款游戲的測(cè)試中，玩了20分鐘后，小米11背面溫度達(dá)到了48℃，而搭載驍龍865的小米10在相同的測(cè)試環(huán)境下，溫控表現(xiàn)更好只有41℃。

芯片表現(xiàn)需要考慮綜合因素。但人們?nèi)愿鼉A向于將驍龍888的“翻車”歸咎于三星的工藝。理由是，性能提升和功耗控制更好一些的蘋果A14和麒麟9000均出自臺(tái)積電之手。而高通在權(quán)衡之下，選擇了三星獨(dú)家代工。

在芯片代工領(lǐng)域，臺(tái)積電一直是全球市場(chǎng)的老大，三星常年屈居次席，而在市場(chǎng)份額上更是遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后。根據(jù)市場(chǎng)報(bào)告顯示，臺(tái)積電2020年獨(dú)占54%芯片代工市場(chǎng)份額，而三星份額只有17%。

有人質(zhì)疑高通是因?yàn)椤皥D便宜踩了坑”。但也有報(bào)道顯示，高通之所以將驍龍888交給三星代工，主要原因是“為了保穩(wěn)定量產(chǎn)”，由于臺(tái)積電絕大部分5nm產(chǎn)能都供給了蘋果，高通才因此投奔了三星。

事實(shí)上，高通之外，由臺(tái)積電代工的蘋果A14也因掉電過快遭到消費(fèi)者吐槽，華為麒麟9000的集成GPU功耗同樣面臨著居高不下的問題。

先進(jìn)芯片是不是噱頭？

一位芯片行業(yè)人士告訴AI財(cái)經(jīng)社，理論上5nm的漏電功耗比7nm更低。但由于“集成了更多的晶體管，累計(jì)漏電功耗（靜態(tài)）反而更高，因此，在用戶體驗(yàn)上反而更差，與設(shè)計(jì)的芯片復(fù)雜度有關(guān)”。

資料顯示，集成電路的功耗分為動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。動(dòng)態(tài)功耗是電路狀態(tài)變化時(shí)產(chǎn)生的功耗，靜態(tài)功耗則是指晶體管泄露電流產(chǎn)生的功耗。雖然每個(gè)晶體管泄漏產(chǎn)生的功耗很小，但因數(shù)量龐大，累積的靜態(tài)功耗難以想象。

集成電路工藝發(fā)展至今，高功耗、高發(fā)熱一直是無法根治的問題。FinFET工藝是針對(duì)這一問題的解決手段之一。FinFET源自于傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的晶體管的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，中文稱為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)百科，F(xiàn)inFET的架構(gòu)設(shè)計(jì)，可以大幅改善電路控制并減少漏電流。

但有媒體報(bào)道，伴隨著晶體管尺寸的進(jìn)一步縮小，F(xiàn)inFET工藝漏電問題再次出現(xiàn)。

雷科技援引Moortec首席技術(shù)官奧利弗·金的說法，在16nm或14nm工藝時(shí)，處理器速度獲得很大提升，漏電流也獲得顯著下降，但從7nm到5nm的過程中，漏電情況又變得嚴(yán)重，“幾乎與28nm水平相同”。

“翻車事件”最大的爭(zhēng)議在于，追求高端工藝本質(zhì)上是為了獲得更好的能效比，但似乎現(xiàn)有的5nm工藝并沒有達(dá)到理想的成果，卻花費(fèi)了更高的費(fèi)用。

報(bào)道數(shù)據(jù)顯示，28nm工藝的成本為0.629億美元，之后隨著制程工藝推進(jìn)，芯片的成本迅速上升。到了7nm，成本暴增至3.49億美元，5nm更進(jìn)一步增至4.76億美元。另有數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電每片5nm晶圓的收費(fèi)約為17000美元，這一數(shù)字將近7nm的兩倍。

也因?yàn)槌杀緣毫?，許多晶圓代工廠無法參與先進(jìn)制程的生產(chǎn)和競(jìng)爭(zhēng)，目前先進(jìn)的制程工藝代工廠僅剩臺(tái)積電、三星和英特爾。

“大多數(shù)應(yīng)用不需要那么先進(jìn)的工藝，只有高端智能手機(jī)需要靠這個(gè)噱頭來吸引顧客?！鄙鲜鲂酒耸繉?duì)AI財(cái)經(jīng)社說。智能手機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)白熱，高端工藝、超高性能的芯片早已成為廠商間互相爭(zhēng)奪的主要賣點(diǎn)之一。

最頂級(jí)的芯片，有助于提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，同樣更容易在同質(zhì)化嚴(yán)重的市場(chǎng)中打出營銷牌。

對(duì)于是不是要采用最先進(jìn)制程做芯片設(shè)計(jì)和制造，該人士對(duì)AI財(cái)經(jīng)社表示，應(yīng)該根據(jù)應(yīng)用需求而定。“就像買車，你是打算買一輛跑車用于飆車，還是追求乘坐舒適性、基于油耗比買一輛商務(wù)車。”

在他看來，既然用戶選擇花錢嘗鮮最先進(jìn)制程工藝芯片，就不要害怕因?yàn)楣に嚊]有完全成熟而可能導(dǎo)致的翻車。否則，不如購買已經(jīng)得到市場(chǎng)驗(yàn)證的成熟產(chǎn)品。

在極客灣的評(píng)測(cè)中，采用7nm工藝的驍龍865的超頻性能，與采用5nm的驍龍888測(cè)試性能不相伯仲。目前來看，前者更成熟可靠，能效比也更好。
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