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QLC、TLC硬盤砍掉內(nèi)存 成本有優(yōu)勢(shì)

工程師鄧生 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2021-01-26 11:31 ? 次閱讀
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提到QLC、TLCV閃存的硬盤,DIY玩家往往一臉不屑,不過(guò)這些硬盤的讀寫性能并不差,三星980 Pro上了TLC也一樣能達(dá)到7GB/s的極限性能。

之所以這樣,很大一個(gè)因素是SSD硬盤支持DRAM緩存,大家都知道DDR內(nèi)存的帶寬遠(yuǎn)高于閃存,都是數(shù)GB/s甚至數(shù)十GB/s的,可以大幅提升SSD的讀寫速度。

但是另一方面,使用DRAM內(nèi)存做緩存的SSD也面臨著成本增加的問(wèn)題,通常SSD中70-75%的成本是閃存,內(nèi)存成本占10-15%,主控、PCB等部分占10-20%,內(nèi)存的影響不可忽視。

如今內(nèi)存芯片價(jià)格又要開(kāi)始上漲,而SSD硬盤的成本壓力增大,所以今年無(wú)內(nèi)存(DRAM-Less) SSD硬盤開(kāi)始增多,慧榮、群聯(lián)、Marvell三大主控廠最近都推出了無(wú)內(nèi)存的PCIe硬盤主控。

雖然沒(méi)有了內(nèi)存加速,但得益于PCIe 4.0及HMB(Host Memory Buffer,主機(jī)內(nèi)存緩沖器,借用PC內(nèi)存來(lái)提升性能)的發(fā)展,砍掉內(nèi)存之后性能依然夠看,還是要比SATA III及低端PCIe硬盤要強(qiáng)不少。

沒(méi)了內(nèi)存之后,DRAM-Less硬盤的成本降低差不多10%左右,反而推動(dòng)了PCIe硬盤的普及,今年就會(huì)滲透到更多低端筆記本、臺(tái)式機(jī)等領(lǐng)域。

責(zé)任編輯:PSY

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